【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路,尤其涉及一种电平移位电路。
技术介绍
1、在直流-直流转换器(dc-to-dc converter,dcdc)中,上功率管采用n型金属氧化物半导体器件(n metal oxide semiconductor,nmos),通常需要利用电荷泵结构产生高于电源电压的电压源来驱动nmos管。而驱动nmos管的逻辑信号的电压域为电源电压或者一个更低的内部电源,需要特定的电平移位电路将逻辑信号从低电压域转换为高电压域。
2、目前,电平移位电路的传输延时和功耗会直接影响dcdc控制系统的稳定性和dcdc转换器的转换效率,而高性能的dcdc电源管理芯片也对电平移位电路的传输延时和功耗提出了更高的需求。为了进一步降低电平移位过程中的动态功耗,现有的电平移位电路是通过减小上功率管的尺寸来减小上功率管的饱和电流,但是在瞬态翻转过程中,上功率管仍旧处于饱和区,瞬态翻转过程中的电路功耗未被降低。
3、基于此,如何降低电平移位电路中瞬态翻转导致的电路功耗,就成了亟需解决的问题。
技术实现思
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1.一种电平移位电路,其特征在于,包括依次电连接的输入模块、第一电位控制模块、第二电位控制模块、驱动模块和输出模块,以及分别与所述第一电位控制模块、所述第二电位控制模块、所述驱动模块和所述输出模块连接的开关模块;
2.根据权利要求1所述的电平移位电路,其特征在于,所述第一电位控制模块的第一端、所述第二电位控制模块的第一端以及所述驱动模块的第一输入端均与第一节点耦接;
3.根据权利要求2所述的电平移位电路,其特征在于,所述开关模块包括:第一开关子模块和第二开关子模块,其中:
4.根据权利要求2所述的电平移位电路,其特征在于,所述第二电
...【技术特征摘要】
1.一种电平移位电路,其特征在于,包括依次电连接的输入模块、第一电位控制模块、第二电位控制模块、驱动模块和输出模块,以及分别与所述第一电位控制模块、所述第二电位控制模块、所述驱动模块和所述输出模块连接的开关模块;
2.根据权利要求1所述的电平移位电路,其特征在于,所述第一电位控制模块的第一端、所述第二电位控制模块的第一端以及所述驱动模块的第一输入端均与第一节点耦接;
3.根据权利要求2所述的电平移位电路,其特征在于,所述开关模块包括:第一开关子模块和第二开关子模块,其中:
4.根据权利要求2所述的电平移位电路,其特征在于,所述第二电位控制模块包括第一控制子模块、第二控制子模块以及上拉子模块,其中:
5.根据权利要求4所述的电平移位电路,其特征在于,所述上拉子模块包括第一上拉单元和第二上拉单元,其中:
6.根据权利要求2所述的电平移位电路,其特征在于,所述驱动模块包括第一驱动子模块和第...
【专利技术属性】
技术研发人员:郝宁,杨孙伟,李博,葛维维,赵炜,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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