System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种全氟辛烷磺酸传感器及其制备方法和应用技术_技高网
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一种全氟辛烷磺酸传感器及其制备方法和应用技术

技术编号:40424558 阅读:9 留言:0更新日期:2024-02-20 22:44
本发明专利技术涉及电化学传感器技术领域,且公开了一种全氟辛烷磺酸传感器及其制备方法和应用,包括有金纳米星/玻碳电极AuNS/GCE的制备、MIP/AuNS/GCE PFOs的制备和全氟辛烷磺酸PFOS分析检测。本发明专利技术通过AuNS和MIP薄涂层修饰,研制了一种检测自来水中全氟辛烷磺酸的超灵敏伏安传感器,AuNS涂层有助于增强所选FcCOOH氧化还原探针对Fe2+氧化时空白信号强度的伏安响应,MIP层的统计优化提供了更高的峰值变化,同时研制的传感器在自来水中与EPA发布的LC‑MS法具有相当的分析性能,通过金纳米星/玻碳电极AuNS/GCE的制备、MIP/AuNS/GCE PFOs的制备和全氟辛烷磺酸PFOS分析检测,制备得到的电化学传感器检测自来水中的PFOs操作便捷、响应迅速、灵敏度高、特异性强、稳定性和抗干扰性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电化学传感器,具体为一种全氟辛烷磺酸传感器及其制备方法和应用


技术介绍

1、随着健康和环保意识的逐步增强,单个和多氟烷基物质pfas引起广泛关注,其原因主要与pfas独特的物理化学特征以及与各种人类健康不良问题的潜在联系有关。此外,在所有不同的pfas化合物中,全氟辛烷磺酸pfos由于相对较高的环境普遍性和毒性而成为研究最多的化合物之一。作为回应,美国环境保护署epa发布了饮用水中pfos与全氟辛酸pfoa结合浓度为70ng/l或70ppt的终身健康建议。因此,高灵敏度和选择性的研究分析饮用水中的pfos尤为突出。

2、目前,检测水样中pfos的标准方法主要基于色谱技术,但该技术需要昂贵的仪器,复杂的样品预处理和浓缩过程,以及熟练的实验室技术人员,值得注意的是,电化学方法由于成本低、制备和使用方便,在有机或无机环境污染物的现场检测中被广泛关注。然而,由于pfas具有非凡的化学稳定性,用传统的电化学方法直接分析pfas尤其具有挑战性,因此,开发一种低成本、高便携性和可靠的电化学方法,在地表水、海水、地下水、废水和污泥等各种样品基质中进行pfas的现场检测具有重要意义。基于以上信息,用原始gce首先通过滴铸技术用auns修饰,以提高电极对氧化还原探针即fccooh的初始灵敏度,然后通过cv与o-pd电聚合,增强对全氟辛烷磺酸目标分析物的传感能力,此外,优化电聚合工艺即cv循环、单体/模板比,电解液ph以提供更高的峰值变化。


技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种全氟辛烷磺酸传感器及其制备方法和应用,具备实验设备和条件要求低、成本低廉、操作安全简单,同时电化学传感器电流响应好、稳定性强、重复性和可操作性高,并且制备得到的电化学传感器检测自来水中的pfos操作便捷、响应迅速、灵敏度高、特异性强、稳定性和抗干扰性好的优点,解决了上述技术问题。

3、(二)技术方案

4、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种全氟辛烷磺酸传感器及其制备方法和应用,包括有金纳米星/玻碳电极auns/gce的制备s1、mip/auns/gce pfos的制备s2和全氟辛烷磺酸pfos分析检测s3。

5、优选的,所述金纳米星/玻碳电极auns/gce的制备s1操作步骤如下:

6、as1:首先将一定量的氯金酸原液加入5ml去离子水中,在恒温油浴中加热10min,加热后盖上盖子,冷却至室温备用;

7、bs1:其次制备4-羟乙基哌嗪乙磺酸hepes溶液,用碱性溶液调节ph值至7~8;然后将2ml hepes与3ml去离子水混合,加入定量新配制的氯金酸溶液,轻轻搅拌室温下熟化一定时间后变为蓝绿色,即得auns悬浮溶液;

8、cs1:auns的涂层的处理,首先将定量的auns悬浮溶液移液到干净的gce表面,然后将电极放在40℃的培养箱中1小时使其干燥,即获得后续操作所需的电化学传感器基底auns/gce。

9、通过上述技术方案,制备好的auns用透射电镜图、x射线衍射图、紫外–可见吸收光谱图表征,结果如图1所示,可以看出,基于tem图像,对auns粒子进行了形态分析,观察到的平均尖端到尖端粒径、内球直径和穗长分别为46±19nm、20±6nm和16±7nm;基于xdr图,观察到4个衍射峰38.3°、44.1°、64.7°和77.3°,分别与111、200、220和311布拉格反射相关联,证实了auns晶体结构的存在;基于uv/vis光谱图,观察到719和521nm处的两个吸光度峰,其中较显著的719nm峰对应于外尖刺结构,使auns悬浮液呈现出深蓝绿色。

10、优选的,所述mip/auns/gce pfos的制备s2操作步骤如下;

11、as2:首先配置含有邻苯二胺o-pd聚合物单体材料和全氟辛烷磺酸pfos分子印迹模板的醋酸甲醇缓冲液,此时醋酸缓冲液/甲醇浓度0.1m,2:1,v/v,随后采用循环伏安法cv开展电化学聚合;

12、bs2:其次优化电化学聚合参数,包含了同时改变并分析三个主要影响因素单体材料/印记模板摩尔比、电解质ph和cv循环次数,且所述单体/模板摩尔比即o-pd/pfos在5:1~25:1之间,所述电解质ph在3.6~5.6之间,所述cv循环次数在5~55之间;

13、cs2:在电聚合完成后,首先用去离子水冲洗mip/auns/gce表面,并通过在甲醇/水混合洗脱液中温和搅拌20分钟,温和搅拌50rpm,甲醇/水1:1,v/v,去除包埋在印迹膜中的pfos分子,最后对传感器进行风干处理并储存在一个干净的室中。

14、通过上述技术方案,auns/gce和gce用电化学阻抗图和循环伏安图表征,结果如图2所示,可以看出,基于eis图,分析了auns/gce与gce在电荷转移电阻rct上的差异,由于auns/gce具有优异的电子传递能力,其光谱明显小于gce;基于cv图,研究了氧化还原探针,即10mm fe(cn)63-/4-存在时auns/gce和gce的电化学行为,并利用randle-sevcik方程计算得到auns/gce和裸gce的有效表面积分别为4.3和1.9mm2,o-pd单独聚合和o-pd/pfos聚合用循环伏安图表征,结果如图3所示,可以看出,o-pd单体单独的氧化聚合在大约0.43v,接着是一个较小的第二峰,大约在0.78v。然而,pfos的掺入使第二个峰几乎从伏安图中消失,但对第一个氧化峰没有影响,其中缺失的第二个峰被确定为将模板即pfos纳入聚合物层的直接证据。

15、优选的,所述全氟辛烷磺酸pfos分析检测s3操作步骤如下:

16、as3:mip/auns/gce电化学传感器是通过采用差分脉冲伏安法dpv测量二茂铁甲酸fccooh氧化峰变化表明mip层与pfos之间的相互作用,从而定量分析各类液体样品中的pfos浓度,其中电化学测量的过程包括有预洗、孵育和检测,预洗时,用去离子水轻轻冲洗mip/auns/gce以清洁电极表面;孵育时,在10ml溶液中与一定水平的全氟烷基物质pfas在100rpm搅拌下孵育10分钟;检测时,dpv在另一个含0.5mm fccooh的0.1m pbs中检测。

17、通过上述技术方案,裸gce、auns/gce、mip/auns/gce去除pfos和mip/auns/gce未去除pfos用循环伏安图表征,结果如图4所示,可以看出,上述都在cv图获得的fccooh fe2+/fe3+的可逆峰,mip/auns/gce去除pfos后与未去除pfos的cv图差异表明,mip层可以完全阻断电极工作表面与体液之间的电子转移,auns/gce和mip/auns/gce用扫描电镜图表征,结合如图5所示,可以看出,通过sem图像确认了电聚合前后mip层的存在。

18、优选的,所述mip/auns/gce pfos的制备s2不是在实验室制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全氟辛烷磺酸传感器及其制备方法和应用,包括有金纳米星/玻碳电极(AuNS/GCE)的制备S1、MIP/AuNS/GCE PFOs的制备S2和全氟辛烷磺酸(PFOS)分析检测S3。

2.根据权利要求1所述的一种全氟辛烷磺酸传感器的制备方法,其特征在于:所述金纳米星/玻碳电极(AuNS/GCE)的制备S1操作步骤如下:

3.根据权利要求1所述的一种全氟辛烷磺酸传感器的制备方法,其特征在于:所述MIP/AuNS/GCE PFOs的制备S2操作步骤如下;

4.根据权利要求1所述的一种全氟辛烷磺酸传感器的制备方法,其特征在于:所述全氟辛烷磺酸(PFOS)分析检测S3操作步骤如下:

5.根据权利要求2所述的制备方法制得的电化学传感器在检测自来水中PFOS的应用,其特征在于:所述MIP/AuNS/GCE PFOs的制备S2不是在实验室制备的PFOs溶液中孵育,而是在自来水样品中浸泡10分钟,在100rpm搅拌下,以相同的工艺进行后续DPV测试。

6.根据权利要求4所述的制备方法和应用,其特征在于:所述DPV测试,参数的电位范围为0.1-0.7V vs Ag/AgCl,电位幅值为50mV,电位增量为10mV,采样宽度为10ms,脉冲周期为100ms。

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【技术特征摘要】

1.一种全氟辛烷磺酸传感器及其制备方法和应用,包括有金纳米星/玻碳电极(auns/gce)的制备s1、mip/auns/gce pfos的制备s2和全氟辛烷磺酸(pfos)分析检测s3。

2.根据权利要求1所述的一种全氟辛烷磺酸传感器的制备方法,其特征在于:所述金纳米星/玻碳电极(auns/gce)的制备s1操作步骤如下:

3.根据权利要求1所述的一种全氟辛烷磺酸传感器的制备方法,其特征在于:所述mip/auns/gce pfos的制备s2操作步骤如下;

4.根据权利要求1所述的一种全氟辛烷磺酸传感器的制备方法,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢鼎南马晨甘慧慧姚志远
申请(专利权)人:宁波大学
类型:发明
国别省市:

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