一种太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以使异质结太阳能电池中形成有异质接触结构的一侧具有良好的光学性能和电学性能。太阳能电池包括：硅基底、第一本征钝化层、第一掺杂半导体层和第一电极。第一本征钝化层和第一掺杂半导体层依次层叠设置在硅基底的向光面和/或背光面一侧。第一掺杂半导体层由导电类型相同的第一掺杂部和第二掺杂部构成，第二掺杂部的结晶度大于第一掺杂部的结晶度，第二掺杂部的厚度小于等于第一掺杂半导体层的厚度。第一电极位于第一掺杂半导体层背离第一本征钝化层的一侧。第一掺杂半导体层中被第一电极遮挡的区域为遮挡区，其余区域为裸露区。第一掺杂部至少位于裸露区，第二掺杂部大致位于遮挡区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池及其制造方法。

技术介绍

1、异质结太阳能电池是一种制作工艺简单、开路电压高、转换效率高、温度系数低、无光致衰减的电池结构，受到光伏学术界及工业界的广泛关注，成为高效太阳电池技术的热门发展方向。

2、但是，现有的异质结太阳能电池中，形成有异质接触结构的一侧难以具有平衡的光学性能和电学性能，导致异质结太阳能电池的光电转换效率较低。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池及其制造方法，用于使异质结太阳能电池中，形成有异质接触结构的一侧具有良好的光学性能和电学性能，利于提升异质结太阳能电池的光电转换效率。

2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：硅基底、第一本征钝化层、第一掺杂半导体层和第一电极。沿硅基底的厚度方向，第一本征钝化层和第一掺杂半导体层依次层叠设置在硅基底的向光面和/或背光面一侧。第一掺杂半导体层由导电类型相同的第一掺杂部和第二掺杂部构成，第二掺杂部的结晶度大于第一掺杂部的结晶度，第二掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一本征钝化层或所述第一掺杂部的材料包括非晶硅和/或纳米晶硅；

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂部的材料为宽带隙非晶硅。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂部的边界与所述遮挡区的边界重合；

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂部内杂质的掺杂浓度大于所述第一掺杂部内杂质的掺杂浓度。

6.根据权利要求1～5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂部内...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一本征钝化层或所述第一掺杂部的材料包括非晶硅和/或纳米晶硅；

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂部的材料为宽带隙非晶硅。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂部的边界与所述遮挡区的边界重合；

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂部内杂质的掺杂浓度大于所述第一掺杂部内杂质的掺杂浓度。

6.根据权利要求1～5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂部内杂质的掺杂浓度大于等于1×1019cm-3、且小于等于1×1020cm-3；和/或，

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂部内杂质的掺杂浓度小于所述第一掺杂部内杂质的掺杂浓度，且所述第二掺杂部内杂质的掺杂浓度大于所述第一掺杂部内杂质的掺杂浓度的十分之一。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，层叠设置的所述第一本征钝化层和所述第一掺杂半导体层设置在所述硅基底的向光面和背光面，且位于所述硅基底向光面一侧的所述第一掺杂半导体层与位于所述硅基底背光面一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兆，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：