太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统技术方案

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。在本申请实施例中，通过在透明导电层上形成保护层，再进行等离子体处理，使得透明导电层的目标区域的粗糙度达到目标粗糙度，进而能够改善等离子体对基底、本征半导体层和掺杂半导体层的污染和损伤。由于目标区域至少包括电极区域，进而能够增大透明导电层的电极区域与电极的接触面积，从而提高了栅线电极的附着力和可焊接性。由此，本申请实施例不仅能够提高栅线电极的附着力和可焊接性，也能够改善太阳能电池被污染和损伤的情形，提高了电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，特别是涉及太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。

技术介绍

1、与传统晶硅太阳能电池相比，异质结太阳能电池表面的电极的附着力、可焊接性表现不佳。为提高栅线电极的附着力和可焊接性，需要通过等离子体工艺对透明导电层进行处理，容易对电池造成污染和损伤，从而降低异质结太阳能电池的转换效率。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统，以在提高栅线电极的附着力和可焊接性的同时，改善太阳能电池被污染和损伤的情形，提高电池的转换效率。

2、根据本申请的一个方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：

3、提供一基底；基底具有沿第一方向相对设置的第一表面和第二表面，基底的第一表面和第二表面均依次层叠设有本征半导体层、掺杂半导体层和透明导电层；

4、在透明导电层背离于基底的一侧设置保护层；

5、在保护层的第一区域进行等离子体处理，以使透明导电层的目标区域的粗糙度为目标粗糙度；>

6、其中，目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述目标区域为所述电极区域，所述保护层包括掩模版；

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护层包括设置于所述透明导电层背离于所述基底的一侧的缓冲层；

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护层包括依次层叠设置于所述透明导电层背离于所述基底的一侧的缓冲层和掩膜版；

5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材质包括氮化硅或氧化硅；和/或

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述目标区域为所述电极区域，所述保护层包括掩模版；

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护层包括设置于所述透明导电层背离于所述基底的一侧的缓冲层；

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述保护层包括依次层叠设置于所述透明导电层背离于所述基底的一侧的缓冲层和掩膜版；

5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材质包括氮化硅或氧化硅；和/或

6.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述电极区域沿第二方向的尺寸与所述栅线电极沿所述第二方向的尺寸的比值为1.2-1.5；

8.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述目标粗糙度大于10nm。

9.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述等离子体处理的过程中，刻蚀时间为20s-200s，功率密度为3kw/m2-30kw/m2，刻蚀气压为...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩玉浩，何瑞，殷志豪，杨广涛，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：