【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于对以基板或半导体晶圆(以下，适当称作“晶圆”)为例的工件执行以半导体元件的安装处理、金属蒸镀处理或背面磨削处理为例的各种处理的工件处理方法和工件处理装置。
技术介绍
1、近年来，对于以智能电话、ic卡为例的电子设备，薄型化和轻量化急速推进，要求安装于这样的电子设备的半导体芯片的小型化。随着半导体芯片的小型化，对于作为基础的晶圆、基板(作为一例为柔性基板)，使用更薄板化的晶圆、基板。
2、薄板化的晶圆、基板由于强度降低，因此容易破损、难以处理。因而，以往，在对于成为薄板化的对象的工件贴合被称作支承板的金属板或硬质塑料板等之后，对工件进行磨削。通过将支承板(支承体)贴合于工件，从而即使在磨削过程后也能够保持工件的强度。因此，在以切割处理、半导体封装处理为例的之后的各种处理过程中，能够避免在处理工件时产生工件的损伤。
3、从防止由热等引起的工件的翘曲这样的方面来看，使工件贴合于支承板而支承工件的过程也是很重要的。即，在对工件进行金属蒸镀处理、清洗处理、树脂成形处理等的情况下，容易产生如下问题：工件在热的作用下变形，在基板产生翘曲。通过使工件贴合于支承板，能够确保工件的平坦性，因此能够防止在各种处理工序中工件因热等而翘曲的情况。因此，能够避免以半导体芯片为例的半导体装置的制造不良。
4、以往，在工件与支承板之间形成粘接剂的层而使两者贴合，对工件进行需要的处理，之后将通过粘接剂层贴合的支承板自工件剥离。作为将支承板自工件剥离的以往的方法，可举出如下方法：在支承板预先形成通孔，向支承板的
5、另外，作为以往的剥离方法的其他例子，可举出在利用板状的封闭构件将形成有通孔的支承板的未形成有粘接剂层的那侧密封的状态下对支承板进行加热的方法。在该方法中，因加热而使支承板的通孔内的空气膨胀，膨胀的空气进入粘接剂层而使粘接剂层变形，因此能够在未使用溶剂的情况下自工件剥离支承板(参照专利文献2)。
6、专利文献1：日本特开2006-135272号公报
7、专利文献2：日本特开2008-034644号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、然而，在上述以往方法中存在如下那样的问题。即，担心在自支承板剥离工件时粘接剂层的至少一部分残留于工件的所谓的残胶的问题。若粘接剂残留于工件，则因残留的粘接剂而使工件产生连接不良等，因而产生不合格品的频率变高。另外，在使用粘接剂将工件贴合于支承板的操作中，需要粘接剂液的涂布和干燥等多个工序，因此，半导体产品的生产效率降低。
3、另外，在以往的方法之中使用溶剂剥离工件的情况下，溶剂需要长时间才浸透粘接剂层，因此，半导体产品的生产效率进一步降低。另外，在通过利用封闭构件密封支承板并进行加热来剥离工件的以往方法中，难以将加热控制到使空气膨胀而剥离粘接剂层的程度，另外，还难以确保封闭构件与支承板的密合性。因此，难以提高通过加热将工件自支承板剥离的效率。
4、本专利技术是鉴于这样的情况而做出的，其主要的目的在于，提供在以利用支承体支承工件的状态进行各种处理的结构中能够防止工件产生不良且能够将工件容易地脱离支承体的工件处理方法和工件处理装置。
5、用于解决问题的方案
6、本专利技术为了实现这样的目的而采用如下那样的结构。
7、即，本专利技术提供一种工件处理方法，其特征在于，该工件处理方法具备：层叠体载置过程，在该层叠体载置过程中，将由保持工件的保持薄膜层叠在支承体之上而成的薄膜层叠体载置于支承台；工件保持过程，在该工件保持过程中，将所述工件载置于所述薄膜层叠体中的所述保持薄膜侧而使所述工件保持于所述保持薄膜；工件处理过程，在该工件处理过程中，对所述工件进行预定处理；以及工件脱离过程，在该工件脱离过程中，使所述工件脱离所述薄膜层叠体，所述保持薄膜由包含有机硅化合物、氟化合物或聚酰亚胺的多孔体构成。
8、(作用·效果)根据该结构，在工件保持过程中，通过将工件载置于保持薄膜，从而由多孔体构成的保持薄膜保持工件。
9、保持薄膜用于保持工件，通过在薄膜层叠体中的保持薄膜侧载置工件，从而确保工件的平坦性。即，在以向工件安装半导体元件的过程为例的工件处理过程中，能够利用保持薄膜来防止工件产生翘曲等变形。因此，能够更可靠地防止在工件处理过程中产生不合格品。
10、另外，保持薄膜由多孔体构成。因此，在使工件保持于保持薄膜时，保持薄膜不会咬入气泡，而会根据工件表面上的细微的凹凸而相应地精度良好地变形，从而保持薄膜与工件的较大的范围内密合。因此，能够提高保持薄膜对工件的保持力。并且，在工件脱离过程中，在使工件脱离薄膜层叠体时，能够避免保持薄膜的一部分剥落而残留于工件的表面的情况。因此，能够防止工件的表面被由保持薄膜引起的残留物污染而产生不良这样的情形。
11、并且，通过在薄膜层叠体的保持薄膜侧载置工件这样的简单的操作，从而防止工件变形的保持力作用于工件。即，能够大幅缩短防止工件变形的工序所需的时间。因此，能够在提高工件的处理效率的同时防止工件变形。
12、另外，在上述专利技术中，优选的是，所述工件脱离过程具备：气体供给过程，在该气体供给过程中，通过向所述工件与所述保持薄膜之间供给气体，从而使所述保持薄膜的保持力降低；以及工件离开过程，在该工件离开过程中，使所述工件离开通过所述气体供给过程而使保持力降低后的所述保持薄膜。
13、(作用·效果)根据该结构，通过向工件与保持薄膜之间供给气体，从而构成保持薄膜的多孔体与工件之间的接触被气体妨碍，因此能够降低保持薄膜的保持力。即，通过在进行了气体供给过程之后进行工件离开过程，能够防止使工件离开保持薄膜的动作被保持薄膜的保持力妨碍的情况，因此能够使工件更好地脱离薄膜层叠体。
14、另外，在上述专利技术中，优选的是，所述薄膜层叠体具有从载置于所述支承台的面连通至保持所述工件的面的1个或两个以上的通气孔，在所述气体供给过程中，通过从所述支承台经由所述通气孔向所述工件与所述保持薄膜之间供给气体，从而使所述保持薄膜的保持力降低。
15、(作用·效果)根据该结构，构成薄膜层叠体的支承体和保持薄膜各自具有相连通的1个或两个以上的通气孔。因此，通过向支承台供给气体，从而该气体会经由通气孔向工件与保持薄膜之间的空间供给。因而，通过将气体供给机构配设于支承台，能够容易地实现向工件与保持薄膜之间可靠地供给气体的系统。
16、另外，在上述专利技术中，优选的是，具备接近过程，在该接近过程中，使工件抑制构件抵接或接近于由所述保持薄膜保持着的所述工件中的未被所述保持薄膜保持的面的外周部，所述气体供给过程是在所述接近过程之后利用所述工件抑制构件抑制所述工件并且从所述支承台经由所述通气孔向所述工件与所述保持薄膜之间供给气体，从而使所述保持薄膜的保持力降低。
17、(作用·效果)根据该本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种工件处理方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的工件处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的工件处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的工件处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的工件处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的工件处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的工件处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的工件处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的工件处理方法，其特征在于，
10.一种工件处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的工件处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的工件处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的工件处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的工件处理装置，其特征在于，
15.根据权利要求10所述的工件处理装置，其特征在于，
16.根据权利要求15所述的工件处理装置，其
17.根据权利要求15所述的工件处理装置，其特征在于，
18.根据权利要求15所述的工件处理装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种工件处理方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的工件处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的工件处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的工件处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的工件处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的工件处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的工件处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的工件处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的工件处理方法，其特征在于，
10.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋月伸也，山本雅之，村山聪洋，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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