【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及导引头制备领域，尤其涉及一种红外导引头的制备方法及装置。
技术介绍
1、红外导引头是一种用于制导导弹、无人机等导弹系统的关键部件，其主要作用是接收来自目标的红外辐射信号，并根据该信号对导弹的飞行轨迹进行调整，以实现精确打击目标的目的。
2、目前，红外导引头的制备方法主要依靠红外传感器技术和目标识别与跟踪技术相结合，同时，还需要应用导弹控制系统的设计与制造技术来完成红外导引头的制备过程，然而，由于制备工序的复杂性和繁多性，导致红外导引头的制备效率相对较低，因此，需要一种能够提高制备效率的红外导引头制备方法和装置，以提高红外导引头的制备效率。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种红外导引头的制备方法及装置，其主要目的在于提高红外导引头的制备效率。
2、为实现上述目的，本专利技术提供的一种红外导引头的制备方法，包括：
3、获取待处理基底材料，利用预设切割设备对所述待处理基底材料进行形状切割，得到符合导引头形状的基底切割材料，将预设的电子导线连接所述基底切割材料，得到电子基底元件；
4、利用预设的喷涂设备喷覆红外敏感材料至所述电子基底元件表面，得到所述电子基底元件对应的红外喷覆元件，计算所述红外喷覆元件对应的红外信噪比，基于所述红外信噪比，连接预设的光学透镜在所述红外喷覆元件上，得到所述红外喷覆元件对应的初级导引头；
5、识别所述初级导引头对应外表涂层，对所述外表涂层进行光学薄膜镀覆，得到镀覆导引头，计算所述镀覆导引
6、基于所述光束透过率，对所述镀覆导引头进行电路搭建，得到所述镀覆导引头对应的光学电路，对所述光学电路进行电路调试，得到调试电路；
7、基于所述调试电路，对所述镀覆导引头进行外部封装，得到封装导引头，对所述封装导引头进行质量控制，得到所述封装导引头对应的控制记录表，提取所述控制记录表中的关键参数，基于所述关键参数，生成红外导引头制备的制备流程图。
8、可选地，所述获取待处理基底材料，利用预设切割设备对所述待处理基底材料进行形状切割，得到符合导引头形状的基底切割材料，包括：
9、基于红外导引头的构建要求，获取所述红外导引头对应的待处理基底材料；
10、基于所述红外导引头的构建规格，设置所述预设切割设备的设备参数；
11、基于所述设备参数，确定所述红外导引头对应的切割模版；
12、基于所述切割模版，对所述待处理基底材料进行形状切割，得到符合导引头形状的基底切割材料。
13、可选地，所述将预设的电子导线连接所述基底切割材料，得到电子基底元件，包括：
14、确定所述基底切割材料对应的电子导线；
15、对所述电子导线进行绝缘层剥离，得到剥离金属导线；
16、将所述剥离金属导线与所述基底切割材料进行插针插入，并对插针进行焊接，得到连接基底元件；
17、对所述连接基底元件进行封装保护，得到电子基底元件。
18、可选地，所述利用预设的喷涂设备喷覆红外敏感材料至所述电子基底元件表面，得到所述电子基底元件对应的红外喷覆元件，包括：
19、识别所述电子基底元件的表面环境；
20、基于所述表面环境，确定所述电子基底元件对应的喷涂点位；
21、利用预设的喷涂设备对所述喷涂点位进行红外敏感材料喷覆，得到所述电子基底元件对应的红外喷覆元件。
22、可选地，所述计算所述红外喷覆元件对应的红外信噪比，包括：
23、利用下述公式计算所述红外喷覆元件对应的红外信噪比：
24、；
25、其中，是指所述红外喷覆元件对应的红外信噪比，pi 表示第i个红外喷覆元件的信号功率，gi 表示第i个红外喷覆元件的信号增益，ai 表示第i个红外喷覆元件的信号放大器增益，ni 表示第i个红外喷覆元件的噪声功率，bi 表示第i个红外喷覆元件的背景噪声功率，i表示红外喷覆元件的索引。
26、可选地，所述基于所述红外信噪比，连接预设的光学透镜在所述红外喷覆元件上，得到所述红外喷覆元件对应的初级导引头，包括：
27、识别所述红外信噪比中的信号比值；
28、基于所述信号比值，定位所述红外喷覆元件对应的适当位置；
29、将预设的光学透镜安装在所述适当位置上，并对所述光学透镜进行光学微调，得到所述红外喷覆元件对应的初级导引头。
30、可选地，所述识别所述初级导引头对应外表涂层，对所述外表涂层进行光学薄膜镀覆，得到镀覆导引头，包括：
31、确定所述初级导引头的材质属性；
32、基于所述材质属性，识别所述初级导引头对应的外表涂层；
33、利用预设的镀覆设备所述外表涂层进行光学薄膜镀覆，得到所述初级导引头对应的镀覆导引头。
34、可选地，所述计算所述镀覆导引头对应的光束透过率，包括：
35、利用下述公式计算所述镀覆导引头对应的光束透过率：
36、；
37、其中，t表示所述镀覆导引头对应的光束透过率，表示所述导引头材料的折射率，i表示所述导引头材料中不同部分对应的材料索引，n表示导引头材料中不同部分的总数量，表示导引头中第i个材料的衰减系数，表示导引头中材料的散射系数，表示所述镀覆导引头中光束传输时的损耗程度，表示导引头中第i个材料的反射系数。
38、可选地，所述基于所述光束透过率，对所述镀覆导引头进行电路搭建，得到所述镀覆导引头对应的光学电路，包括：
39、基于所述光束透过率，确定所述镀覆导引头对应的性能目标；
40、基于所述性能目标，分析所述镀覆导引头对应的光学元件；
41、基于所述光学元件，对所述镀覆导引头进行电路链接，得到链接电路；
42、对所述链接电路进行参数调整后，对所述镀覆导引头进行电路搭建，得到所述镀覆导引头对应的光学电路。
43、为了解决上述问题，本专利技术还提供一种红外导引头的制备装置，所述装置包括：
44、基底切割模块，用于获取待处理基底材料，利用预设切割设备对所述待处理基底材料进行形状切割，得到符合导引头形状的基底切割材料，将预设的电子导线连接所述基底切割材料，得到电子基底元件；
45、信噪比计算模块，用于利用预设的喷涂设备喷覆红外敏感材料至所述电子基底元件表面，得到所述电子基底元件对应的红外喷覆元件，计算所述红外喷覆元件对应的红外信噪比，基于所述红外信噪比，连接预设的光学透镜在所述红外喷覆元件上，得到所述红外喷覆元件对应的初级导引头；
46、透过率计算模块，用于识别所述初级导引头对应外表涂层，对所述外表涂层进行光学薄膜镀覆，得到镀覆导引头，计算所述镀覆导引头对应的光束透过率；
47、电路调试模块，用于基于所述光束透过率，对所述镀覆导引头进行电路搭建，得到所述镀覆导引头对应的光学电路，对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述获取待处理基底材料，利用预设切割设备对所述待处理基底材料进行形状切割，得到符合导引头形状的基底切割材料，包括：
3.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述将预设的电子导线连接所述基底切割材料，得到电子基底元件，包括：
4.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述利用预设的喷涂设备喷覆红外敏感材料至所述电子基底元件表面，得到所述电子基底元件对应的红外喷覆元件，包括：
5.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述计算所述红外喷覆元件对应的红外信噪比，包括：
6.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述基于所述红外信噪比，连接预设的光学透镜在所述红外喷覆元件上，得到所述红外喷覆元件对应的初级导引头，包括：
7.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述识别所述初级导引头对应外表涂层，对所述外表涂层
8.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述计算所述镀覆导引头对应的光束透过率，包括：
9.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述基于所述光束透过率，对所述镀覆导引头进行电路搭建，得到所述镀覆导引头对应的光学电路，包括：
10.一种红外导引头的制备装置，其特征在于，用于执行如权利要求1-9中任意一项所述的一种红外导引头的制备方法，所述装置包括：
...【技术特征摘要】
1.一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述获取待处理基底材料，利用预设切割设备对所述待处理基底材料进行形状切割，得到符合导引头形状的基底切割材料，包括：
3.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述将预设的电子导线连接所述基底切割材料，得到电子基底元件，包括：
4.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述利用预设的喷涂设备喷覆红外敏感材料至所述电子基底元件表面，得到所述电子基底元件对应的红外喷覆元件，包括：
5.如权利要求1所述的一种红外导引头的制备方法，其特征在于，所述计算所述红外喷覆元件对应的红外信噪比，包括：
6.如权利要求1所述的一种红...
【专利技术属性】
技术研发人员：李保平，刘晨阳，
申请(专利权)人：中天引控科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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