【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，集成电路的特征尺寸持续微缩，传统三栅或双栅的鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)在3纳米(nm)以下节点受到限制，由于纳米片环栅晶体管(nanosheet-gate all round fin field-effect transistor，nanosheet-gaafet)突破了3nm节点的限制，因此受到广泛关注和研究。
2、nanosheet-gaafet是一种具有环栅结构和水平纳米片(nanosheet，ns)作为导电沟道的新型器件。在栅极控制方面，环栅结构具有比finfet器件结构更好的栅控能力，可以有效抑制器件的短沟道效应，在电流驱动方面，nanosheet-gaafet具有“体反型”的反型载流子，而且有效栅宽的增加和垂直方向的纳米片堆叠设计也可显著增强器件的电流驱动性能。
3、nanosheet-gaafet包括的纳米片可以被界面层包围，从而提高器件性...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述利用氢源、氧源和硅源在所述第二半导体层的表面形成界面层并对所述界面层和所述第二半导体层之间的界面进行钝化包括：
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氢源和所述氧源为氢氧混合源；
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述氢氧混合源为H2O。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧源为O3。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氢源为NH3、H2S和H2中
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述利用氢源、氧源和硅源在所述第二半导体层的表面形成界面层并对所述界面层和所述第二半导体层之间的界面进行钝化包括：
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氢源和所述氧源为氢氧混合源；
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述氢氧混合源为h2o。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧源为o3。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：张青竹，桑冠荞，魏延钊，蒋任婕，李俊峰，殷华湘，秦旭磊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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