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本申请提供一种半导体器件及其制造方法，方法包括：利用氢源、氧源和硅源在第二半导体层的表面形成界面层并对界面层和第二半导体层之间的界面进行钝化，形成界面层的工艺温度小于温度阈值，这样可以一方面通过控制工艺温度从而降低去钝化效果，另一方面通过利...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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