基于HiSIM-HV模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法技术

本发明专利技术公开了一种基于HiSIM‑HV模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体器件技术领域。所述自动化检查方法包括：需确定器件类型为N型MOSFET或P型MOSFET；将参数提取得到的参数文件，利用程序进行读取；得到参数名称和对应的参数值，对当前参数值进行判定，参数范围分为两个区间[r1,r2]和[r3,r4]；若当前参数值在区间[r3,r4]内，对是否在区间[r1,r2]内进行判定；若判定在区间[r1,r2]内，则当前参数值正确。实现了对参数提取得到HiSIM‑HV紧凑模型参数进行范围检查，以保证参数的合理性，并实现了对参数提取过程提供有力反馈，并为后续电路设计及芯片制造提供保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种基于hisim-hv模型的mosfet模型参数范围自动化检查方法。

技术介绍

1、对于单个的半导体器件，人们可以通过tcad建立器件结构，给定掺杂，边界条件，载流子输运模型等，进行网格划分，采用有限元方式求解器件的各种电学性能，由于集成电路行业的飞速发展，即使一个小的电路模块，也可能会包含非常多的晶体管，不可能对于电路中的所有器件利用tcad进行研究，而利用紧凑模型可表示某一工艺生产的各种尺寸的器件，极大地缩短了仿真时间。

2、hisim-hv模型是一种适用于高压mosfet的紧凑模型，其将器件物理效应等效为一系列基于mosfet器件表面势的数学公式，以模型参数来表征并计算器件的性能，利用模型对器件的电学性能的测试数据进行参数提取，即可得到用于电路原理图仿真的紧凑模型，可极大地提高仿真效率，并降低芯片生产成本。

3、然而，hisim-hv紧凑模型包含大量参数及数学方程，且参数数量远大于方程个数，这意味着，在参数提取过程中，得到的模型参数不是唯一解，即使不同的参数仍能仿真出相同的性能，

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【技术保护点】

1.一种基于HiSIM-HV模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的自动化检查方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的自动化检查方法，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的自动化检查方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的自动化检查方法，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种基于hisim-hv模型的mosfet模型参数范围自动化检查方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的自动化检查方法，其特征在于，

3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，应涛，崔秀海，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：

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