【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体设备，尤其涉及一种原子层沉积设备真空腔。
技术介绍
1、ald设备指的是原子层沉积(atomic layer deposition,ald)设备，是一种用于制备薄膜材料的高级化学气相沉积技术装置。ald设备可用于生产半导体芯片、薄膜电池、微电子设备以及光电子器件等，广泛应用于先进的电子、光电子和纳米
2、在晶圆的气相沉积过程中，ald设备可以在晶圆表面制备出均匀厚度的薄膜。该ald设备包括由上筒体和下筒体形成的真空腔室以及反应腔室，其中，反应腔室设置于真空腔室内，反应腔室的外壁设置有用于对反应腔室加热的加热装置，所述真空腔室用于确保反应腔室的真空环境。当加热装置加热时，下筒体同样会被加热至较高温度，不仅极大降低了下筒体的使用寿命，而且增加了操作人员被烫伤的风险。在相关技术中，主要依靠自然冷却或者使用风冷设备对下筒体进行降温。
3、然而，无论是下筒体自然冷却还是利用风冷装置对下筒体进行冷却，降温效率均很低，无法满足降温需求。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种原子层沉积设备真空腔，解决了现有技术中加热装置加热时，下筒体温度较高的技术问题。
2、本申请实施例提供了一种原子层沉积设备真空腔，包括：上筒体、下筒体以及冷却管路；
3、上筒体设置在下筒体上，上筒体与下筒体形成真空腔室；
4、真空腔室内设置有反应腔室，反应腔室的外壁上设置有加热装置，加热装置用以对反应腔室加热；
5、冷却管路中
6、在一种可行的实现方式中，冷却管路包括第一冷却管，第一冷却管沿下筒体外壁的圆周方向敷设于下筒体的外壁上；
7、第一冷却管包括第一进液口和第一出液口，第一进液口和第一出液口分别位于第一冷却管的两端；
8、冷却液经第一进液口进入第一冷却管，并经第一出液口离开第一冷却管，以对下筒体进行冷却。
9、在一种可行的实现方式中，第一冷却管曲折的敷设在下筒体的外壁上。
10、在一种可行的实现方式中，冷却管路还包括第二冷却管，第二冷却管沿下筒体外壁的圆周方向敷设于下筒体的外壁上；
11、第二冷却管包括第二进液口和第二出液口，第二进液口和第二出液口分别位于第二冷却管的两端；
12、冷却液经第二进液口进入第二冷却管，冷却液经第二出液口排出第二冷却管。在一种可行的实现方式中，第二冷却管沿第一冷却管的延伸方向与第一冷却管一同敷设于下筒体的外壁上。
13、在一种可行的实现方式中，冷却液在第二冷却管中的流向与冷却液在第一冷却管中的流向相同或相反。
14、在一种可行的实现方式中，冷却管路包括多个冷却段，多个冷却段沿下筒体的外壁周向均布，且每个冷却段内均设有流动的冷却液，以对下筒体进行冷却降温。
15、在一种可行的实现方式中，冷却段包括第三冷却管、第三进液口和第三出液口；
16、第三冷却管曲折的敷设在下筒体的外壁上，第三进液口和第三出液口分别位于第三冷却管的两端；
17、冷却液经第三进液口进入第三冷却管，冷却液经第三出液口排出第三冷却管。在一种可行的实现方式中，冷却管路包括至少一个平面，至少一个平面与下筒体外壁的表面接触。
18、在一种可行的实现方式中，冷却液为低温冷却水。
19、本申请实施例提供了一种原子层沉积设备真空腔，包括上筒体、下筒体以及冷却管路，其中，上筒体设置在下筒体上，上筒体与下筒体形成真空腔室，真空腔室内设置有反应腔室，反应腔室的外壁上设置有加热装置，加热装置用以对反应腔室加热；冷却管路中设置有冷却液，且冷却管路绕设在下筒体的外壁上，用以对下筒体进行冷却。由于冷却液具有更大的比热容，相比于风冷装置和自然冷却具有更好的冷却效果，能够对较高温度下的下筒体进行有效降温，不仅有效提高了下筒体的冷却效率，延长了下筒体的使用寿命，而且有效避免了操作人员出现烫伤的情况，同时，绕设于下筒体外壁上的冷却管路能够使下筒体下降的温度较为均衡，进一步延长了下筒体的使用寿命。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种原子层沉积设备真空腔，其特征在于，包括：上筒体、下筒体(100)以及冷却管路(200)；
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)包括第一冷却管(210)，所述第一冷却管(210)沿所述下筒体(100)外壁的圆周方向敷设于所述下筒体(100)的外壁上；
3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述第一冷却管(210)曲折的敷设在所述下筒体(100)的外壁上。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)还包括第二冷却管(220)，所述第二冷却管(220)沿所述下筒体(100)外壁的圆周方向敷设于所述下筒体(100)的外壁上；
5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述第二冷却管(220)沿所述第一冷却管(210)的延伸方向与所述第一冷却管(210)一同敷设于所述下筒体(100)的外壁上。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却液在所述第二冷却管(220)中的流向与所述冷却液
7.根据权利要求1所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)包括多个冷却段，多个冷却段沿所述下筒体(100)的外壁周向均布，且每个所述冷却段内均设有流动的冷却液，以对所述下筒体(100)进行冷却降温。
8.根据权利要求7所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却段包括第三冷却管(230)、第三进液口(231)和第三出液口(232)；
9.根据权利要求1-8任一项所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)包括至少一个平面，至少一个所述平面与所述下筒体(100)外壁的表面接触。
10.根据权利要求1-8任一项所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却液为低温冷却水。
...【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积设备真空腔，其特征在于，包括：上筒体、下筒体(100)以及冷却管路(200)；
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)包括第一冷却管(210)，所述第一冷却管(210)沿所述下筒体(100)外壁的圆周方向敷设于所述下筒体(100)的外壁上；
3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述第一冷却管(210)曲折的敷设在所述下筒体(100)的外壁上。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)还包括第二冷却管(220)，所述第二冷却管(220)沿所述下筒体(100)外壁的圆周方向敷设于所述下筒体(100)的外壁上；
5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述第二冷却管(220)沿所述第一冷却管(210)的延伸方向与所述第一冷却管(210)一同敷设于所述下筒体(100)...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦，李立松，曾纪栋，
申请(专利权)人：南京原磊纳米材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。