一种原子层沉积设备真空腔制造技术

本申请实施例提供了一种原子层沉积设备真空腔，包括上筒体、下筒体以及冷却管路；上筒体设置在下筒体上，上筒体与下筒体形成真空腔室；真空腔室内设置有反应腔室，反应腔室的外壁上设置有加热装置，加热装置用以对反应腔室加热；冷却管路中设置有流动的冷却液，且冷却管路绕设于下筒体的外壁上，以对下筒体进行冷却。由于冷却液具有更大的比热容，相比于风冷装置和自然冷却具有更好的冷却效果，能够对较高温度下的下筒体进行有效降温，不仅提高了下筒体的冷却效率，延长了下筒体的使用寿命，而且有效避免了操作人员出现烫伤的情况，同时，绕设于下筒体外壁上的冷却管路能够使下筒体下降的温度较为均衡，进一步延长了下筒体的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体设备，尤其涉及一种原子层沉积设备真空腔。

技术介绍

1、ald设备指的是原子层沉积(atomic layer deposition,ald)设备，是一种用于制备薄膜材料的高级化学气相沉积技术装置。ald设备可用于生产半导体芯片、薄膜电池、微电子设备以及光电子器件等，广泛应用于先进的电子、光电子和纳米

2、在晶圆的气相沉积过程中，ald设备可以在晶圆表面制备出均匀厚度的薄膜。该ald设备包括由上筒体和下筒体形成的真空腔室以及反应腔室，其中，反应腔室设置于真空腔室内，反应腔室的外壁设置有用于对反应腔室加热的加热装置，所述真空腔室用于确保反应腔室的真空环境。当加热装置加热时，下筒体同样会被加热至较高温度，不仅极大降低了下筒体的使用寿命，而且增加了操作人员被烫伤的风险。在相关技术中，主要依靠自然冷却或者使用风冷设备对下筒体进行降温。

3、然而，无论是下筒体自然冷却还是利用风冷装置对下筒体进行冷却，降温效率均很低，无法满足降温需求。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种原子层沉积设备真空腔，其特征在于，包括：上筒体、下筒体(100)以及冷却管路(200)；

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)包括第一冷却管(210)，所述第一冷却管(210)沿所述下筒体(100)外壁的圆周方向敷设于所述下筒体(100)的外壁上；

3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述第一冷却管(210)曲折的敷设在所述下筒体(100)的外壁上。

4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)还包括第二冷却管(220)，所述第二冷却管(220...

【技术特征摘要】

1.一种原子层沉积设备真空腔，其特征在于，包括：上筒体、下筒体(100)以及冷却管路(200)；

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)包括第一冷却管(210)，所述第一冷却管(210)沿所述下筒体(100)外壁的圆周方向敷设于所述下筒体(100)的外壁上；

3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述第一冷却管(210)曲折的敷设在所述下筒体(100)的外壁上。

4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述冷却管路(200)还包括第二冷却管(220)，所述第二冷却管(220)沿所述下筒体(100)外壁的圆周方向敷设于所述下筒体(100)的外壁上；

5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备真空腔，其特征在于，所述第二冷却管(220)沿所述第一冷却管(210)的延伸方向与所述第一冷却管(210)一同敷设于所述下筒体(100)...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦，李立松，曾纪栋，
申请(专利权)人：南京原磊纳米材料有限公司，
类型：新型
国别省市：