【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体器件。
技术介绍
1、包括在衬底上呈鳍形形状和/或纳米线形状的多个硅体且在硅体的表面上形成栅极的多沟道晶体管已经被建议作为用于增加半导体器件的密度的缩放技术。
2、此类多沟道晶体管可以使用三维沟道结构，该三维沟道结构可以促进多沟道晶体管的缩放。备选地或附加地，即使不增加多沟道晶体管的栅极长度，也可以提高多沟道晶体管的电流控制能力。此外，可以抑制沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应(sce)。
技术实现思路
1、本公开可以提供一种半导体器件，其中，在上栅电极堆叠在底部栅电极的结构中，栅极切割的用于隔离上栅电极的部分的宽度大于栅极切割的用于隔离底部栅电极的另一部分的宽度。为此，可以形成连接到底部源/漏接触部的通孔，该通孔在水平方向上不与上栅电极重叠，并且因此，可以防止在上栅电极和通孔之间发生短路。
2、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括在...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一栅极切割的所述第二部分与所述多个第一上纳米片和所述多个第二上纳米片中的每一个接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一栅极切割的所述第二部分与所述多个第一上纳米片和所述多个第二上纳米片中的每一个接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极切割的所述第二部分的下表面与所述第一底部栅电极和所述第二底部栅电极中的每一个接触。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极切割的所述第一部分的第一材料与所述第一栅极切割的所述第二部分的第二材料不同。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一栅极切割的所述第一部分的上表面与所述第一栅极切割的所述第二部分的下表...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。