半导体存储装置制造方法及图纸

技术编号:40391405 阅读:16 留言:0更新日期:2024-02-20 22:22
本发明专利技术提供一种半导体存储装置,其包括多个存储组。每个存储组包括第一存储单元、第二存储单元、选择电路以及译码电路。选择电路经由第一位线及第二位线分别耦接第一存储单元及第二存储单元,并根据第一开关信号以及第二开关信号选择要进行操作的存储单元。译码电路根据存储组选择信号、第一局域列选择信号以及第二局域列选择信号,产生第一开关信号以及第二开关信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储装置,尤其涉及一种具有多存储组(multi-bank)的半导体存储装置


技术介绍

1、在具有多存储组的动态随机存取内存(dynamic random access memory,dram)中,需要使用译码电路来进行译码,以确保同时只会对于一个存储组做读取或写入的动作。列译码器可以共享,以节省布局面积。然而,传统的译码电路所需的晶体管数量较多,所占的空间也较大,容易造成绕线的空间限制,或是效能的降低。因此,如何使译码电路所占的空间下降,并且维持好的效能,是本领域设计者的一大课题。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种半导体存储装置,可改良译码电路的架构,以降低所需的晶体管数量。

2、本专利技术的半导体存储装置包括多个存储组。每个存储组包括第一存储单元、第二存储单元、选择电路以及译码电路。第一存储单元耦接第一位线。第二存储单元耦接第二位线。选择电路经由第一位线及第二位线分别耦接第一存储单元及第二存储单元,并根据第一开关信号以及第二开关信号选择要进行操作的存储单元。译码电路耦接选本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置,其特征在于,包括多个存储组,各所述多个存储组包括:

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,所述存储组选择信号包括第一存储组选择信号以及第二存储组选择信号,所述第一存储组选择信号的逻辑电平与所述第二存储组选择信号的逻辑电平相反,所述译码电路包括:

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其特征在于,所述译码电路还包括:

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其特征在于,在未被选择的存储组中,对应的所述放电晶体管导通而同步拉低对应的所述第一开关信号及所述第二开关信号。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储装置,其特征在于,包括多个存储组,各所述多个存储组包括:

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,所述存储组选择信号包括第一存储组选择信号以及第二存储组选择信号,所述第一存储组选择信号的逻辑电平与所述第二存储组选择信号的逻辑电平相反,所述译码电路包括:

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其特征在于,所述译码电路还包括:

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其特征在于,在未被选择的存储组中,对应的所述放电晶体管导通而同步拉低对应的所述第一开关信号及所述第二开关信号。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其特征在于,在被选择的存储组中,对应的所述放电晶体管断开,而由所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:詹凯霖张昆辉
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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