【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种存储器结构、半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、动态随机存取内存(dynamic random access memory，简称dram)是一种半导体存储器，其最大优势是很小的布局面积。相对于静态随机存取内存，dram具有较复杂的控制电路、存取电路以及更新电路。
2、然而，对于dram而言，半导体制程技术的微缩已经对晶体管的接触区造成极大的影响。换句话说，由于半导体结构被高度集成化和小型化，晶体管接触区的面积也被缩小；但是，这种缩小的面积导致接触电阻的增加及驱动电流的减少，由此将影响晶体管的性能。因此，如何降低晶体管的接触电阻是当前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的不足之处，提供一种存储器结构、半导体结构及其制备方法。
2、为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底；所述衬底内具有隔离结构，所述隔离结构在所述衬底内定义出有源区；所述有源区包括沟道区以及位于...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源极和所述漏极均具有连接部；
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触插塞包裹所述源极的所述齿状部顶端；所述第二接触插塞包裹所述漏极的所述齿状部顶端。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触插塞包裹所述源极的所述齿状部顶端，且延伸至与所述源极的所述连接部接触；
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一隔离侧墙及第二隔离侧墙；
6.根据权利要求5所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源极和所述漏极均具有连接部；
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触插塞包裹所述源极的所述齿状部顶端；所述第二接触插塞包裹所述漏极的所述齿状部顶端。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触插塞包裹所述源极的所述齿状部顶端，且延伸至与所述源极的所述连接部接触；
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一隔离侧墙及第二隔离侧墙；
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括覆盖介质层；所述覆盖介质层覆盖所述栅极结构及所述衬底，所述覆盖介质层具有第一通孔及第二通孔；所述第一通孔至少暴露所述源极的所述齿状部，所述第二通孔至少暴露所述漏极的所述齿状部；
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：
9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述提供衬底，包括提供单晶衬底；
【专利技术属性】
技术研发人员：韩清华，金正起，曺奎锡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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