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本申请涉及一种存储器结构、半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底；衬底内具有隔离结构，隔离结构在衬底内定义出有源区；有源区包括沟道区以及位于沟道区两相对侧的源极区和漏极区；栅极结构；栅极结构位于衬底的上表面，且覆盖沟道区；源极和漏极；...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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