System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种磁芯表面防护膜的制备方法技术_技高网

一种磁芯表面防护膜的制备方法技术

技术编号:40359343 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-09 14:45
本发明专利技术涉及磁芯技术领域,具体涉及一种磁芯表面防护膜的制备方法。包括,步骤S1,对带材进行初步的处理获得目标磁芯;步骤S2,将固体树脂放入一反应器中在真空下升华为气态树脂;步骤S3,将气态树脂传送到一加热设备中,将气态树脂进行裂解,获得裂解后的树脂;步骤S4,将裂解后的树脂传送到冷却设备,冷却到常温下获得游离态的树脂,在磁芯表面沉积聚合形成一层致密的防护膜。本发明专利技术通过在目标磁芯上气相沉积致密的无针孔的防护膜,具有低应力、耐腐蚀的有益效果,水、气透过率极低,可防水,防盐雾,耐酸碱,抗氧化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁芯,具体涉及一种磁芯表面防护膜的制备方法


技术介绍

1、铁基纳米晶合金具有磁导率高、矫顽力低、电导率高、损耗低等优异的软磁性能,其在互感器、变压器、开关电源、电机等诸多软磁电子器件中有较好的应用前景。

2、尤其是新能源汽车进一步的发展,对软磁磁芯提出更高的要求,铁基纳米晶合金虽然具有磁导率高、矫顽力低、电导率高、损耗低等优异的软磁性能,但是其容易氧化,抗在潮湿的空气中腐蚀能力差,传统的磁芯防护是在磁芯表面喷涂防护油墨和打金属粉,但是这种往往存在覆盖不完全出现针孔或者缝隙且表面不平整,造成抗盐雾能力差,耐水性差,耐磨性较差。然而,同时也存在一些不足,当在表面沉积聚对二甲苯时,表面的洁净程度和基材本身的表面能等会对聚对二甲苯和基材之间的结合力带来很大的影响。因此在沉积聚对二甲苯之前对磁芯表面处理显得尤其重要,而且如果处理不当会对制品的性能造成影响,需要预先在磁芯表面制作一层固化树脂层提高结合力。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于,提供一种磁芯表面防护膜的制备方法,解决以上技术问题;

2、本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:

3、一种磁芯表面防护膜的制备方法,包括,

4、步骤s1,对带材进行初步的处理获得目标磁芯;

5、步骤s2,将固体树脂放入一反应器中在真空下升华为气态树脂;

6、步骤s3,将所述气态树脂传送到一加热设备中,将所述气态树脂进行裂解,获得裂解后的树脂;

7、步骤s4,将所述裂解后的树脂传送到冷却设备,冷却到常温下获得游离态的树脂,在所述磁芯表面沉积聚合形成一层致密的防护膜。

8、优选的,步骤s2中,所述固体树脂为四氯代对二甲苯环二体。

9、优选的,步骤s2中,所述固体树脂升华为所述气态树脂的温度为145℃-155℃。

10、优选的,步骤s3中,所述加热设备将所述气态树脂进行裂解的温度为630℃-665℃。

11、优选的,所述防护膜的厚度为15um-35um。

12、优选的,步骤s1包括,

13、步骤s11,对所述带材进行表面处理并按设定尺寸卷绕形成初步的磁芯;

14、步骤s12,对所述初步的磁芯进行热处理定型;

15、步骤s13,将所述初步的磁芯通过横磁场热处理,获得横磁场热处理后的磁芯;

16、步骤s14,将所述横磁场热处理后的磁芯浸漆固化,获得所述目标磁芯。

17、优选的,步骤s12中,热处理定型的温度为420℃-450℃,保温时间60min-120min,保温后冷却至第一设定温度。

18、优选的,步骤s13中,在一种较优的实施例中,步骤s13中,横磁场热处理包括,

19、步骤s131,将所述初步的磁芯置于一横磁场热处理设备,升温至480℃-500℃,保温60min-80min;

20、步骤s132,升温至550℃-600℃,开启磁场,磁场强度为500gs-1200gs,保温120min-300min;

21、步骤s133,冷却至第二设定温度,获得所述横磁场热处理后的磁芯。

22、优选的,步骤s14中,浸漆固化的温度为140℃-180℃,时间为120min-200min,升温速率为10℃/min。

23、优选的,步骤s14中,浸漆固化为将所述横磁场热处理后的磁芯在树脂含量为5%-8%的改性环氧树脂液体中浸泡5s-10s。

24、本专利技术的有益效果:由于采用以上技术方案,本专利技术通过在目标磁芯上气相沉积致密的无针孔的防护膜,具有低应力、耐腐蚀的有益效果,水、气透过率极低,可防水,防盐雾,耐酸碱,抗氧化。以及具有高机械强度和低摩擦系数,同时可以增加磁芯的介电性及耐高压性能,解决常规车载磁芯应用问题。

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【技术保护点】

1.一种磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,包括,

2.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述固体树脂为四氯代对二甲苯环二体。

3.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,所述固体树脂升华为所述气态树脂的温度为145℃-155℃。

4.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤S3中,所述加热设备将所述气态树脂进行裂解的温度为630℃-665℃。

5.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,所述防护膜的厚度为15um-35um。

6.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤S1包括,

7.根据权利要求6所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤S12中,热处理定型的温度为420℃-450℃,保温时间60min-120min,保温后冷却至第一设定温度。

8.根据权利要求6所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤S13中,横磁场热处理包括,

9.根据权利要求6所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤S14中,浸漆固化的温度为140℃-180℃,时间为120min-200min,升温速率为10℃/min。

10.根据权利要求6所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤S14中,浸漆固化为将所述横磁场热处理后的磁芯在树脂含量为5%-8%的改性环氧树脂液体中浸泡5s-10s。

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【技术特征摘要】

1.一种磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,包括,

2.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤s2中,所述固体树脂为四氯代对二甲苯环二体。

3.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤s2中,所述固体树脂升华为所述气态树脂的温度为145℃-155℃。

4.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤s3中,所述加热设备将所述气态树脂进行裂解的温度为630℃-665℃。

5.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,所述防护膜的厚度为15um-35um。

6.根据权利要求1所述的磁芯表面防护膜的制备方法,其特征在于,步骤s1包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:霍利山苗晓宇
申请(专利权)人:宁波中益赛威新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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