本申请公开了一种集成式三相全桥功率模块，涉及半导体器件领域。本发明专利技术包括：框架、芯片、功率连接部、信号连接部和塑封体，框架和芯片通过焊接料连接、框架通过功率连接部和信号连接部实现各部分连接，塑封体进行包封。本发明专利技术在工作中，通过MOS管集成减少成本，方便散热，在减小体积的同时功率不减；MOS集成相比分立MOS可靠性高，且开关环路面积小，抗电磁干扰性能会更好。采用集成MOS可以提高产品竞争力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域，尤其涉及一种集成式三相全桥功率模块。
技术介绍
1、目前，市场上的三相全桥功率模块，使用6个mos单管或3个半桥封装的形式组成，然后应用到无刷电机中使用。由于三相全桥功率模块采用半桥封装的形式组成，使得三相全桥功率模块的体积比较大。还有采用分立mos管方案进行应用,其存在体积大、散热效果不佳的问题。
2、国家知识产权局于2023.05.19授权公告的公告号为cn219046290u,名称为“一种全桥功率模块”，包括引线框架，其被划分为第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛、电源引脚、gnd引脚、g极引脚和输出引脚；mosfet晶粒，被装配于所述第一基岛、所述第二基岛、所述第三基岛和所述第四基岛上，各电极按照三相全桥电路连接，实现三相全桥的电气连接；所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛、所述gnd引脚、以及所述g极引脚局部均为半蚀刻。其局部采用半蚀刻，塑封料对半蚀刻部分进行填充覆盖，增加了基岛、引脚与塑封料结合时的结合强度，增加了模块的机械强度。
3、然而，其存在的问题是：
4、1、第二基岛和第三、第四基岛之间存在间隙，同时，第二基岛和第一基岛之间存在间隙，造成体积大；
5、2、第二基岛、第三基岛和第四基岛的两端设有gnd引脚，这样,电路电流路径过长，造成①封装电阻过大，造成器件能量损耗过大，发热过多②寄生电感大；还有承载芯片的基岛集中，热量集中在中心；
6、3、使用pcb板电路散热，①散热性差②会对pcb板上其它元件有热影响；
<
p>7、4、u、v、w相芯片ds过流电路和gs控制电路共用s极，造成电流和控制信号产生干扰；8、5、产品和pcb焊接区域过大，会产生翘曲，在振动和温度冲击下会与pcb板分离。
技术实现思路
1、本专利技术针对以上问题，提供了一种结构简单，集成度高，提高可靠性的集成式三相全桥功率模块。
2、本专利技术的技术方案为：一种集成式三相全桥功率模块，包括塑封体，所述塑封体内设有框架，所述框架的顶面与塑封体的顶面位于同一平面，所述框架的两侧伸出塑封体两侧边缘；
3、所述框架包括六个引脚组、设于一侧的vs相基岛以及设于另一侧的u相基岛、v相基岛和w相基岛，
4、其中，三个引脚组位于vs相基岛一侧，另三个引脚组与u相基岛、v相基岛和w相基岛一一对应设置；
5、所述引脚组包括源极引脚和栅极引脚，
6、所述框架还包括位于u相基岛和v相基岛之间以及所述v相基岛和w相基岛之间的gnd引脚，
7、所述vs相基岛上设有三颗芯片，所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上分别设有一颗芯片；
8、所述芯片包括半导体层，所述半导体层的顶部设有源极金属层和栅极金属层，底部设有漏极金属层；
9、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
10、所述u相基岛和v相基岛上芯片的源极金属层分别连接位于u相基岛和v相基岛之间的gnd引脚，
11、所述v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层分别连接位于v相基岛和w相基岛之间的gnd引脚，
12、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层和栅极金属层还分别一一对应连接塑封体一侧的三个引脚组；
13、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层和栅极金属层还分别一一对应连接塑封体另一侧的三个引脚组。
14、所述vs相基岛、u相基岛、v相基岛和w相基岛上分别设有台阶。
15、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝线分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
16、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层通过铝线连接对应的gnd引脚。
17、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝带分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
18、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层通过铝带连接对应的gnd引脚。
19、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铜片分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
20、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层通过铜片连接对应的gnd引脚。
21、所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层和栅极金属层还分别通过铝线一一对应连接塑封体一侧的若干引脚；
22、所述u相基岛、v相基岛和w相基岛上芯片的源极金属层和栅极金属层还分别通过铝线一一对应连接塑封体另一侧的若干引脚。
23、所述框架伸出塑封体的部位设有镀锡层，所述镀锡层的厚度为8-20um。
24、所述vs相基岛包括伸出塑封体的三个vs相基岛引脚，
25、所述u相基岛包括伸出塑封体的u相基岛引脚，
26、所述v相基岛包括伸出塑封体的v相基岛引脚，
27、所述w相基岛包括伸出塑封体的w相基岛引脚。
28、所述源极引脚、栅极引脚、gnd引脚、vs相基岛引脚、u相基岛引脚、v相基岛引脚和w相基岛引脚均为海鸥脚。
29、本专利技术在工作中，通过mos管集成减少成本，方便散热，在减小体积的同时功率不减；mos 集成相比分立 mos可靠性高，且开关环路面积小，抗电磁干扰性能会更好。采用集成 mos 可以提高产品竞争力。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成式三相全桥功率模块，包括塑封体，其特征在于，所述塑封体内设有框架，所述框架的顶面与塑封体的顶面位于同一平面，所述框架的两侧伸出塑封体两侧边缘；
2.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛、U相基岛、V相基岛和W相基岛上分别设有台阶。
3.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝线分别一一对应连接U相基岛、V相基岛和W相基岛；
4.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝带分别一一对应连接U相基岛、V相基岛和W相基岛；
5.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铜片分别一一对应连接U相基岛、V相基岛和W相基岛；
6.根据权利要求1-5中任一项所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛上三颗芯片的源极金属层和栅极金属层还分别通过铝线一一对应连接塑封体一侧的若干引脚；
>7.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述框架伸出塑封体的部位设有镀锡层，所述镀锡层的厚度为8-20um。8.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述VS相基岛包括伸出塑封体的三个VS相基岛引脚，
9.根据权利要求8所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述源极引脚、栅极引脚、GND引脚、VS相基岛引脚、U相基岛引脚、V相基岛引脚和W相基岛引脚均为海鸥脚。
...
【技术特征摘要】
1.一种集成式三相全桥功率模块，包括塑封体，其特征在于，所述塑封体内设有框架，所述框架的顶面与塑封体的顶面位于同一平面，所述框架的两侧伸出塑封体两侧边缘；
2.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述vs相基岛、u相基岛、v相基岛和w相基岛上分别设有台阶。
3.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝线分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
4.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述vs相基岛上三颗芯片的源极金属层通过铝带分别一一对应连接u相基岛、v相基岛和w相基岛；
5.根据权利要求1所述的一种集成式三相全桥功率模块，其特征在于，所述vs相基岛...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈睿韬，牛利刚，薛傲，郑忠庆，邓九屹，尹志坚，孔维华，赵振中，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。