System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 氧化膜的去除方法技术_技高网

氧化膜的去除方法技术

技术编号:40350832 阅读:9 留言:0更新日期:2024-02-09 14:35
一种氧化膜的去除方法,对含有氧化膜的工件进行金属氟化物等离子蚀刻,金属氟化物产生的等离子体F<supgt;‑</supgt;取代氧化膜中的氧,并与金属等离子体共同形成介稳相,使得氧化膜产生裂缝,同时测试工件的波长,以确定等离子蚀刻的停止时间;再通过惰性气体的等离子体对脆化后的工件进行清洗,以进一步去除氧化膜。其中,本申请的氧化膜的去除方法,反应温和,时间短;蚀刻过程损耗的金属氟化物以及清洗过程中损耗的惰性气体用量少,有利于节省成本,且不会如强碱蚀刻产生较大的环境污染;并且,在等离子蚀刻过程中,实时监测工件的波长,根据工件波长的变化即可调控等离子蚀刻的停止,从而在脆化氧化膜的过程中,有效改善基体被损坏的现象。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及工件清洗,尤其涉及一种氧化膜的去除方法


技术介绍

1、相对于传统的软质阳极膜技术,在工件的表面形成的硬质阳极膜,具有易上色、抗腐蚀性能好等优势。但是采用常规的方法,硬质阳极膜难以清除,若采用强碱进行清除,反应程度难以控制,且强碱容易对工件产生腐蚀,甚至报废。


技术实现思路

1、有鉴于此,有必要提供一种能够有效改善工件腐蚀的去除氧化膜的方法,以解决上述问题。

2、一种氧化膜的去除方法,包括以下步骤:提供工件,工件包括基体与位于基体表面的氧化膜;对工件进行金属氟化物等离子蚀刻,以使氧化膜脆化,在等离子蚀刻的同时,检测工件产生的等离子光谱波长,当波长变化至氧化膜的波长时,停止等离子蚀刻;采用惰性气体对工件进行等离子清洗,以去除脆化后的氧化膜。

3、在本申请一些实施方式中,金属氟化物包括氟化钠、氟化镁、氟化钾以及氟化钙中的至少一种。

4、在本申请一些实施方式中,等离子蚀刻的压力范围为0.1pa-10-6pa。

5、在本申请一些实施方式中,等离子蚀刻的时间范围为10s-75s。

6、在本申请一些实施方式中,等离子清洗的压力范围为0.1pa-10-6pa。

7、在本申请一些实施方式中,等离子清洗的时间范围为45s-150s。

8、在本申请一些实施方式中,惰性气体为氩气以及氦气中的至少一种。

9、在本申请一些实施方式中,氧化膜的材质为氧化铝。

10、在本申请一些实施方式中,基体的材质为铝合金。

11、在本申请一些实施方式中,在等离子清洗的步骤之后,去除方法还包括:采用去离子水清洗基体。

12、本申请实施例提供的氧化膜的去除方法,对含有氧化膜的工件进行金属氟化物等离子蚀刻,金属氟化物产生的等离子体f-取代氧化膜中的氧,并与金属等离子体共同形成介稳相,使得氧化膜产生裂缝,同时测试工件的波长,以确定等离子蚀刻的停止时间;再通过惰性气体的等离子体对蚀刻后的工件进行清洗,以进一步去除氧化膜。其中,本申请的氧化膜的去除方法,反应温和,时间短;蚀刻过程损耗的金属氟化物以及清洗过程中损耗的惰性气体用量少,有利于节省成本,且不会如强碱蚀刻产生较大的环境污染;并且,在等离子蚀刻过程中,实时监测工件的波长,根据工件波长的变化即可调控等离子蚀刻的停止,从而在脆化氧化膜的过程中,有效改善基体被损坏的现象。

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【技术保护点】

1.一种氧化膜的去除方法,包括:

2.根据权利要求1所述的氧化膜的去除方法,其中,所述金属氟化物包括氟化钠、氟化镁、氟化钾以及氟化钙中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的氧化膜的去除方法,其中,所述等离子蚀刻的压力范围为0.1Pa-10-6Pa。

4.根据权利要求1所述的氧化膜的去除方法,其中,所述等离子蚀刻的时间范围为10s-75s。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的氧化膜的去除方法,其中,所述等离子清洗的压力范围为0.1Pa-10-6Pa。

6.根据权利要求1-4中任意一项所述的氧化膜的去除方法,其中,所述等离子清洗的时间范围为45s-150s。

7.根据权利要求1-4中任意一项所述的氧化膜的去除方法,其中,所述惰性气体为氩气以及氦气中的至少一种。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的氧化膜的去除方法,其中,所述氧化膜的材质为氧化铝。

9.根据权利要求1-4中任意一项所述的氧化膜的去除方法,其中,所述基体的材质为铝合金。

10.根据权利要求1-4中任意一项所述的氧化膜的去除方法,其中,在所述等离子清洗的步骤之后,所述去除方法还包括:

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【技术特征摘要】

1.一种氧化膜的去除方法,包括:

2.根据权利要求1所述的氧化膜的去除方法,其中,所述金属氟化物包括氟化钠、氟化镁、氟化钾以及氟化钙中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的氧化膜的去除方法,其中,所述等离子蚀刻的压力范围为0.1pa-10-6pa。

4.根据权利要求1所述的氧化膜的去除方法,其中,所述等离子蚀刻的时间范围为10s-75s。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的氧化膜的去除方法,其中,所述等离子清洗的压力范围为0.1pa-10-6pa。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱扬淳张士浤王金美于爽夏伟瀚罗坤杰李平平洪辰谕
申请(专利权)人:富联裕展科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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