【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。
2、为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(finfet)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，且隔离结构表面低于鳍部顶部；位于隔离结构表面，以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。
3、但是，现有的半导体结构的形成方法，存在着操作复杂的问题，降低了半导体结构的形成效率。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，以简化工艺，提高工作效率。
2、为解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体结构的形成方法，包括：
3、提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层和位于所述待刻蚀层上的掩膜层；
4、在所述掩膜层上形成图案，暴露出部分掩膜层表面；
5、对暴露出的掩膜层执行改性处理，在所述掩膜层中形成改性区域；
6、形成改性区域之后，去除所述图案；
7、重复在所述掩膜层上形成图案至去除所述图案的步骤一次或
8、选取性地去除所述部分非改性区域的掩膜层，保留所述部分改性区域的掩膜层；
9、以保留的所述部分改性区域的掩膜层为掩膜图案化所述待刻蚀层，形成目标图形。
10、可选地，所述改性处理为等离子体处理工艺；
11、所述掩膜层的材料为氮化硅，且所述等离子体处理工艺所采用的反应气体为氧化二氮，所述改性区域的材料为氮氧化硅。
12、可选地，重复在所述掩膜层上形成图案至去除所述图案的步骤的次数为3至4次。
13、可选地，形成掩膜层的工艺为原子层沉积工艺。
14、可选地，所述掩膜层的厚度为8nm至16nm。
15、可选地，去除所述改性区域之外的所述掩膜层的工艺为第一湿法刻蚀工艺。
16、可选地，所述第一湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为磷酸溶液。
17、可选地，形成所述图案的步骤包括：
18、所述掩膜层上形成平坦化材料层、位于所述平坦化材料层上的抗反射材料层和位于所述抗反射材料层上的图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层具有光刻胶开口；
19、以所述图案化的光阻层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射材料层和平坦化材料层，在所述抗反射材料层和平坦化材料层中形成位于光刻胶开口底部的掩膜开口，使所述抗反射材料层和平坦化材料层形成所述图案。
20、可选地，所述平坦化材料层的材料包括旋涂的碳。
21、可选地，所述抗反射材料的材料包括基于硅的抗反射材料。
22、可选地，去除剩余的所述图案的工艺为第二湿法刻蚀工艺。
23、可选地，所述第二湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为高温过氧化硫混合物。
24、可选地，选取性地去除所述部分非改性区域的掩膜层之后，所述半导体结构的形成方法还包括：
25、对保留的所述部分改性区域的掩膜层和待刻蚀层执行湿法清洗工艺。
26、可选地，所述湿法清洗工艺所采用的清洗溶液包括氢氟酸和臭氧的混合溶液。
27、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
28、本专利技术提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层和位于所述待刻蚀层上的掩膜层；在所述掩膜层上形成图案，暴露出部分掩膜层表面；对暴露出的掩膜层执行改性处理，在所述掩膜层中形成改性区域；形成改性区域之后，去除所述图案；重复在所述掩膜层上形成图案至去除所述图案的步骤一次或多次，在所述掩膜层形成部分改性区域和部分非改性区域；选取性地去除所述部分非改性区域的掩膜层，保留所述部分改性区域的掩膜层；以保留的所述部分改性区域的掩膜层为掩膜图案化所述待刻蚀层，形成目标图形。
29、可以看出，重复在所述掩膜层上形成图案至去除所述图案的步骤一次或多次，在所述掩膜层形成部分改性区域和部分非改性区域，与采用负性显影工艺进行多次离子注入形成位于掩膜层中的改性区域的工艺相比，可以简化工艺操作，提高工作效率。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理为等离子体处理工艺；
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，重复在所述掩膜层上形成图案至去除所述图案的步骤的次数为3至4次。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成掩膜层的工艺为原子层沉积工艺。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为8nm至16nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述改性区域之外的所述掩膜层的工艺为第一湿法刻蚀工艺。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为磷酸溶液。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述图案的步骤包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化材料层的材料包括旋涂的碳。
10.根据权利要求8所述
11.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除剩余的所述图案的工艺为第二湿法刻蚀工艺。
12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为高温过氧化硫混合物。
13.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，选取性地去除所述部分非改性区域的掩膜层之后，还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺所采用的清洗溶液包括氢氟酸和臭氧的混合溶液。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理为等离子体处理工艺；
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，重复在所述掩膜层上形成图案至去除所述图案的步骤的次数为3至4次。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成掩膜层的工艺为原子层沉积工艺。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为8nm至16nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述改性区域之外的所述掩膜层的工艺为第一湿法刻蚀工艺。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液为磷酸溶液。
8.根据权利要求1所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：司进，殷立强，俞涛，崇二敏，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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