【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体相关，具体涉及一种可覆胶刚性印章的制作方法。
技术介绍
1、业内常用柔软的pdms印章通过范德华力作用拾取和放置micro-led显示器件；采用普通平面衬底材料，经过匀胶、光刻、显影等微纳加工手段，在平面衬底上制作出周期性的图形；制作出的弹性pdms印章将用于印章转移仪器，执行拾取和放置micro-led的动作，但现有的弹性pdms印章存在如下的问题：1.执行过程中涉及到不同的压力与温度，会对印章造成机械损伤与永久形变，导致印章粘力下降，从而降低生产效率；2.变形的印章可能对后续抓取或放置的micro-led产生不同矢量的压力，影响产品可靠性；3.失效的印章将无法再次回收使用，增加生产成本。
2、基于上述问题，提出一种可覆胶刚性印章的制作方。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种可覆胶刚性印章的制作方法，避免印章在生产过程中发生机械损伤和形变从而影响寿命、精度等指标。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
3、一种可覆胶刚性印章的制作方法，包括如下步骤：
4、s1，准备好待加工的图形化衬底；
5、s2，在图形化衬底上均匀沉积一层二氧化硅；
6、s3，经过光刻和蚀刻，得到图案化的二氧化硅保护层；
7、s4，再对图形化衬底材料进行蚀刻，得到图案化印章凸点，其上表面覆盖二氧化硅保护层；
8、s5，再对得到的图案化印章凸点进一步蚀刻清洗，去除二氧化硅
9、s6，继续在图形化衬底和图案化印章凸点上均匀沉积一层二氧化硅；
10、s7，经过光刻和蚀刻，在图案化印章凸点上方得到图案化的二氧化硅保护层；
11、s8，再经过进一步对图形化衬底材料的蚀刻，在图案化印章凸点上刻蚀出图案化的坑道，得到新的图案化印章凸点；
12、s9，最后经过蚀刻清洗，去除图形化衬底上的二氧化硅和新的图案化印章凸点上的二氧化硅保护层后，得到可覆胶的刚性印章。
13、优选地一种方案，在步骤s1中，所述图形化衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝中的一种。
14、优选地一种方案，在步骤s4中，图案化印章凸点的厚度为0.1-100μm。
15、优选地一种方案，在步骤s8中，图案化的坑道的深度为0.1-80μm。
16、优选地一种方案，在步骤s8中，图案化的坑道上规则排列有坑道点阵。
17、优选地一种方案，在步骤s8中，坑道点阵的形状为圆形、矩形、三角形、多边形、条状、块状中的一种。
18、由于上述技术方案的运用，本申请与现有技术相比的有益效果在于：
19、本申请提供的一种可覆胶刚性印章的制作方法，通过采用沉积在衬底材料上的图案化的二氧化硅作为保护层，以及采用不同腐蚀试剂的干/湿法腐蚀的方式，将未被二氧化硅保护层覆盖的衬底材料蚀刻去除，只保留二氧化硅保护层所覆盖区域的衬底材料，得到特殊图案化的、刚性的印章；可以显著提升印章的结构刚性，解决了传统pdms印章所遭受的机械损伤和形变等问题，使得生产过程中对印章的机械损伤与变形得到有效控制，从而降低生产成本，提高生产效率；此外，图案化的刚性印章回收使用流程简便，只需去胶后，针对不同生产项目选择对应胶材，重新匀胶得到新的印章投入生产，显著地节约成本，提高产品的可靠性以及多元性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，在步骤S1中，所述图形化衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝中的一种。
3.如权利要求1所述的可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，在步骤S4中，图案化印章凸点的厚度为0.1-100μm。
4.如权利要求1所述的可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，在步骤S8中，图案化的坑道的深度为0.1-80μm。
5.如权利要求1所述的可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，在步骤S8中，图案化的坑道上规则排列有坑道点阵。
6.如权利要求5所述的可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，在步骤S8中，坑道点阵的形状为圆形、矩形、三角形、多边形、条状、块状中的一种。
【技术特征摘要】
1.一种可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，在步骤s1中，所述图形化衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝中的一种。
3.如权利要求1所述的可覆胶刚性印章的制作方法，其特征在于，在步骤s4中，图案化印章凸点的厚度为0.1-100μm。
4.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈波，
申请(专利权)人：昆山麦沄显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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