发光二极管及其制备方法技术

本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管包括：自下而上依次堆叠设置的基板、第一导电层、第一发光单元和第二发光单元，以及用于连接外部电源的第一电极和第二电极；第一发光单元的第一型半导体与第二发光单元的第二型半导体相互靠近并电性连接；第一发光单元的第二型半导体设于第一导电层上并与第一导电层电性连接，第二发光单元的第一型半导体设于第二发光单元背离第一发光单元的一侧；第一电极和第二电极中的一者与第一导电层电性连接、另一者与第二发光单元的第一型半导体电性连接。本申请提供的发光二极管，通过将第一发光单元和第二发光单元串联并堆叠设置，可提高发光二极管的单位面积出光亮度。可提高发光二极管的单位面积出光亮度。可提高发光二极管的单位面积出光亮度。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制备方法


[0001]本申请涉及光电子制造
，具体涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是将LED结构设计进行薄膜花、微小化，其尺寸仅在1
‑
100μm等级左右。由于具有良好的稳定性及寿命，以及低功耗、色彩饱和度高、对比度强、反应速度快等优势，被广泛应用于显示领域。
[0003]然而，如何提升微型发光二极管在小电流下的亮度和出光效率已成为了亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种结构紧凑、高亮度的发光二极管。
[0005]本申请实施例一方面提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：
[0006]自下而上依次堆叠设置的基板、第一导电层、第一发光单元和第二发光单元，以及用于连接外部电源的第一电极和第二电极；
[0007]其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元均具有依次层叠设置的第一型半导体、发光层以及第二型半导体；所述第一发光单元的第一型半导体与所述第二发光单元的第二型半导体相互靠近设置并电性连接；所述第一发光单元的第二型半导体设于所述第一导电层上并与所述第一导电层电性连接，所述第二发光单元的第一型半导体设于所述第二发光单元背离所述第一发光单元的一侧；所述第一电极和所述第二电极中的一者与所述第一导电层电性连接、另一者与所述第二发光单元的第一型半导体电性连接。
[0008]本申请实施例另一方面还提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：提供第一发光单元，并在所述第一发光单元的一侧形成第一导电层；提供基板，并将所述第一导电层键合在所述基板上，且使得所述第一发光单元位于所述第一导电层背离所述基板的一侧；提供第二发光单元，并将所述第二发光单元键合于所述第一发光单元背离所述基板的一侧；形成第一电极和第二电极，使得所述第一电极和所述第二电极中的一者与所述第一导电层电性连接、另一者与所述第二发光单元电性连接；其中，所述第一发光单元的第一型半导体与所述第二发光单元的第二型半导体相互靠近设置并电性连接；所述第一发光单元的第二型半导体设于所述第一导电层上并与所述第一导电层电性连接，所述第二发光单元的第一型半导体设于所述第二发光单元背离所述第一发光单元的一侧；所述第一电极和所述第二电极中的所述另一种与所述第二发光单元的第二型半导体电性连接。
[0009]本申请提供的发光二极管及其制作方法，通过将第一发光单元和第二发光单元串联并堆叠设置，可提高发光二极管的单位面积出光亮度，并使发光二极管的结构更加紧凑，同时将发光二极管装配于芯片等结构上时不依赖于巨量转移技术，有较高的产品生产良率。
[0010]本申请实施例又一方面还提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：基板、设
于所述基板上的第一导电层、并排设置于所述第一导电层上的第一发光单元和第二发光单元、以及用于连接外部电源的第一电极和第二电极；其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元均具有依次层叠设置的第一型半导体、发光层以及第二型半导体；
[0011]所述第一发光单元的第一型半导体与所述第二发光单元的第二型半导体并排设于所述第一导电层上并分别与所述第一导电层电性连接；所述第一电极和所述第二电极中的一者与所述第一发光单元的第二型半导体电性连接、另一者与所述第二发光单元的第一型半导体电性连接。
[0012]本申请提供的发光二极管，通过将第一发光单元和第二发光单元串联且并排设置，可提高发光二极管的出光效率，并使发光二极管的结构更加紧凑，同时将发光二极管装配于芯片等结构上时不依赖于巨量转移技术，有较高的产品生产良率。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是本申请一些实施例中发光二极管的结构示意图；
[0015]图2是本申请另一些实施例中发光二极管的结构示意图；
[0016]图3是本申请另一些实施例中发光二极管的结构示意图；
[0017]图4是本申请另一些实施例中发光二极管的结构示意图；
[0018]图5是本申请另一些实施例中发光二极管的结构示意图；
[0019]图6是本申请一些实施例中发光二极管的制备流程示意图；
[0020]图7是本申请另一些实施例中发光二极管的制备流程示意图；
[0021]图8是本申请另一些实施例中发光二极管的制备流程示意图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0023]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0024]请参阅图1，图1是本申请一些实施例中发光二极管10的结构示意图。发光二极管10可以包括基板100以及设于基板100上的发光组件200，发光组件200可以包括第一导电层210、第一发光单元220以及第二发光单元230。其中，第一导电层210设于基板100上，第一发光单元220设于第一导电层210背离基板100的一侧，第二发光单元230设于第一发光单元220背离第一导电层210的一侧。换言之，发光二极管10可以包括自下而上依次堆叠设置的
基板100、第一导电层210、第一发光单元220以及第二发光单元230。
[0025]需要说明的是，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0026]进一步地，发光二极管10还可以包括用于连接外部电源的第一电极101以及第二电极102，即第一电极101和第二电极102被配置为用于形成发光二极管10的外接电极。换言之，第一电极101和第二电极102可以被配置为发光二极管10用于连接外部电源的正负电极，以为发光二极管10的发光提供电能。
[0027]在一实施方式中，基板100可以采用蓝宝石等透光材料制成，该基板100主要用于承载第一发光单元220和第二发光单元230。第一电极101和第二电极102可以采用诸如铬、铝、镍、钛、金或铂等导电材料制成。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：自下而上依次堆叠设置的基板、第一导电层、第一发光单元和第二发光单元，以及用于连接外部电源的第一电极和第二电极；其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元均具有依次层叠设置的第一型半导体、发光层以及第二型半导体；所述第一发光单元的第一型半导体与所述第二发光单元的第二型半导体相互靠近设置并电性连接；所述第一发光单元的第二型半导体设于所述第一导电层上并与所述第一导电层电性连接，所述第二发光单元的第一型半导体设于所述第二发光单元背离所述第一发光单元的一侧；所述第一电极和所述第二电极中的一者与所述第一导电层电性连接、另一者与所述第二发光单元的第一型半导体电性连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电层、所述第一发光单元以及所述第二发光单元构成所述发光二极管的发光组件，所述发光组件设于所述基板上，所述发光二极管还包括设于所述基板上并包覆于所述发光组件的第一绝缘层；其中，所述第一电极和所述第二电极分别穿设于所述第一绝缘层。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括设于所述基板和所述第一导电层之间的第一键合层。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极设于所述第二发光单元背离所述第一发光单元的一侧；其中，所述第一电极和所述第二电极中的一者穿设于所述第一绝缘层并与所述第二发光单元的第一型半导体电性连接，另一者依次穿过所述第一绝缘层、所述第二发光单元、所述第一发光单元并与所述第一导电层电性连接，所述第一电极和所述第二电极中的所述另一者与所述第一发光单元、所述第二发光单元均绝缘设置。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一发光单元投影于所述基板上的投影覆盖所述第一导电层投影于所述基板上的投影；和/或者，所述第二发光单元投影于所述基板上的投影覆盖所述第一导电层投影于所述基板上的投影。6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电层投影于所述基板上的投影超出所述第一发光单元投影于所述基板上的投影的至少部分边缘；其中，所述第一电极和所述第二电极中的一者穿设于所述第一绝缘层并与所述第一导电层超出所述第一发光单元的部分电性连接，另一者穿设于所述第一绝缘层并与所述第二发光单元的第一型半导体电性连接。7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括第二导电层，所述第二导电层设于所述第一发光单元的第一型半导体和所述第二发光单元的第二型半导体之间。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括第二键合层和第一连接件，所述第二导电层和所述第一发光单元的第一型半导体通过所述第一连接件实现电性连接；其中，所述第二键合层设于所述第二导电层靠近所述第一发光单元的一侧，和/或者，所述第二键合层设于所述第二导电层靠近所述第二发光单元的一侧。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括设于所述发光组件和所述第一绝缘层之间的第二绝缘层，所述第一连接件的两端分别穿设于所述第二绝缘层，以使得所述第一连接件的两端分别连接所述第二导电层和所述第一发光单元的第一型半导体。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层和/或者所述第二绝缘层复用为光反射层。11.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供第一发光单元，并在所述第一发光单元的一侧形成第一导电层；提供基板，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈波，
申请(专利权)人：昆山麦沄显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：