【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体相关，具体涉及一种micro芯片巨量转移方法。
技术介绍
1、目前，氮化镓基二极管主要应用于照明和显示器。在显示器领域，与基于lcd或oled的主流技术相比，micro led具有更高的发光效率、更高的对比度和更高的能效，由于micro led具有这些优势，它可被应用于可穿戴设备、抬头显示、高分辨率显示屏，具有广泛的应用前景。
2、micro led主要通过巨量转移的方式把单色或多色micro led从原始晶圆转移至承接基板或驱动板；当前，已量产的最主流的巨量转移的方式为印章转移和激光转移，激光转移由于在转移效率和对位精度方面的巨大优势，而得到了更广泛的应用；当前，采用激光转移，区块面积可达4*4mm，如以15*30um micro芯片为例，其单次转移数量可达35k；转移至承接板或驱动板的micro芯片，由于各区块可能来自于不同的原始晶圆，由于原始晶圆的片间差，很容易在区块的拼接区域产生颜色和亮度的差异，即出现所谓的mura现象，导致显示屏的整面屏显示不均匀，造成各种痕迹的现象。
3、当前，传统led显示方式采用smd封装模式，即来自于整个晶圆芯片首先封成灯珠，灯珠再经过测试分选，把光电参数相同的灯珠归为一档，同档的灯珠经过充分混合后，在放置到驱动板，由于上到驱动板的灯珠是经过充分混合的同一档位的灯珠，屏上颜色均匀，无区块间的mura现象存在；而mini或micro芯片，采用cob的封装模式，芯片通过固晶或转移的方式直接置于驱动板，由于各区块可能来自于不同的原始晶圆，由于原始晶圆的片间
4、上述通过测试分选的方式，把同一规格的来自于不同晶圆母片的芯片放置到同一区块，确实能很好地解决区块间的mura现象，但其首先需要知道芯片的光电参数和位置坐标，但由于micro芯片尺寸过小，无法测试micro芯片的光电参数，因此，上述方案只适合尺寸比较大的可做光电测试的mini芯片，并不适合micro芯片。
5、基于上述问题，提出一种micro芯片巨量转移方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种micro芯片巨量转移方法，把来自于不同晶圆的micro芯片放置于承载板的同一区块，消除了区块间的mura现象。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
3、一种micro芯片巨量转移方法，包括如下步骤：
4、s10，准备好激光转移设备、部分区域透光以及部分区域非透光的基准板、多片待转移晶圆和承载板；
5、s20，将第一片待转移晶圆传输进入激光转移设备，基准板、待转移晶圆、承载板三者进行精准定位后，开启激光源，激光源透过基准板的透光区域照射至待转移晶圆上，透光区域下的待转移晶圆上的micro芯片被转移至承载板上；
6、s30，第一片待转移晶圆完成后移出，将第二片待转移晶圆传输进入激光转移设备，再次对基准板、待转移晶圆、承载板三者进行精准定位后，开启激光源，激光源透过基准板的透光区域照射至待转移晶圆上，透光区域下的待转移晶圆上的micro芯片被转移至承载板上第一片完成转移晶圆的micro芯片相邻位置；
7、s40，第二片待转移晶圆完成后移出，将第三片待转移晶圆传输进入激光转移设备，再次对基准板、待转移晶圆、承载板三者进行精准定位后，开启激光源，激光源透过基准板的透光区域照射至待转移晶圆上，透光区域下的待转移晶圆上的micro芯片被转移至承载板上第一片完成转移晶圆的micro芯片相邻位置；
8、s50，第三片待转移晶圆完成后移出，将第四片待转移晶圆传输进入激光转移设备，再次对基准板、待转移晶圆、承载板三者进行精准定位后，开启激光源，激光源透过基准板的透光区域照射至待转移晶圆上，透光区域下的待转移晶圆上的micro芯片被转移至承载板上第二片完成转移晶圆的micro芯片相邻位置；
9、s60，按步骤s20-s50的顺序将待转移晶圆全部转移完成后，退出承载板，将来自于不同晶圆的micro芯片转移至承载板的同一区块。
10、优选地一种方案，在步骤s10中，所述激光转移设备其激光波长为248nm。
11、优选地一种方案，在步骤s10中，所述待转移晶圆为单色micro led晶圆，主要包括支撑衬底、临时激光键合材料和micro led芯片；其中支撑衬底为透明双抛蓝宝石材料，厚度为200-700um；micro led芯片尺寸32*58um；临时激光键合材料为有机吸光材料。
12、优选地一种方案，在步骤s10中，所述基准板为石英玻璃或苏打玻璃，其整面包括无数个透光和非透光区域，非透光区域为石英玻璃表面镀金属材料，且其中，单个透光区域的尺寸比micro芯片大，二者间距1-10um。
13、优选地一种方案，在步骤s10中，承载板包括承载基板和其上的承载胶，其中承载板为蓝宝石材料，厚度为200-700um。
14、优选地一种方案，在步骤s20-s50中，激光源的激光束斑为1-6mm，激光步进频率为1-10khz。
15、优选地一种方案，所述支撑衬底的厚度为300-600um。
16、优选地一种方案，所述承载板的厚度为300-600um。
17、优选地一种方案，所述激光源的激光束斑为2-5mm，激光步进频率为2-8khz。
18、由于上述技术方案的运用，本申请与现有技术相比的有益效果在于：
19、本申请提供的一种micro芯片巨量转移方法，通过在待转移晶圆之上放置一既有透光区域又有不透光区域的基准板，以使晶圆上的部分区域micro芯片转移，通过巨量转移的方式，把来自于不同晶圆的micro芯片放置于承载板的同一区块，采用这样的方式来消除区块间的mura现象。
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1.一种Micro芯片巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的Micro芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S10中，所述激光转移设备其激光波长为248nm。
3.如权利要求1所述的Micro芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S10中，所述待转移晶圆为单色Micro LED晶圆，主要包括支撑衬底、临时激光键合材料和Micro LED芯片；其中支撑衬底为透明双抛蓝宝石材料，厚度为200-700um；Micro LED芯片尺寸32*58um；临时激光键合材料为有机吸光材料。
4.如权利要求3所述的Micro芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S10中，所述基准板为石英玻璃或苏打玻璃，其整面包括无数个透光和非透光区域，非透光区域为石英玻璃表面镀金属材料，且其中，单个透光区域的尺寸比Micro芯片大，二者间距1-10um。
5.如权利要求1所述的Micro芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S10中，承载板包括承载基板和其上的承载胶，其中承载板为蓝宝石材料，厚度为200-700um。
6.如权利要求1所
7.如权利要求3中所述的Micro芯片巨量转移方法，其特征在于，所述支撑衬底的厚度为300-600um。
8.如权利要求5中所述的Micro芯片巨量转移方法，其特征在于，所述承载板的厚度为300-600um。
9.如权利要求6中所述的Micro芯片巨量转移方法，其特征在于，所述激光源的激光束斑为2-5mm，激光步进频率为2-8KHz。
...【技术特征摘要】
1.一种micro芯片巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的micro芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤s10中，所述激光转移设备其激光波长为248nm。
3.如权利要求1所述的micro芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤s10中，所述待转移晶圆为单色micro led晶圆，主要包括支撑衬底、临时激光键合材料和micro led芯片；其中支撑衬底为透明双抛蓝宝石材料，厚度为200-700um；micro led芯片尺寸32*58um；临时激光键合材料为有机吸光材料。
4.如权利要求3所述的micro芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤s10中，所述基准板为石英玻璃或苏打玻璃，其整面包括无数个透光和非透光区域，非透光区域为石英玻璃表面镀金属材料，且其中，单个透光区域的尺寸比m...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈波，
申请(专利权)人：昆山麦沄显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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