利用剥离工艺进行图形转移的方法及半导体器件结构技术

本发明专利技术涉及一种利用剥离工艺进行图形转移的方法及半导体器件结构，所述方法包括：获取基底，基底上形成有台阶结构；在台阶结构的侧面形成侧墙结构；在基底上、台阶结构上及侧墙结构上形成光刻胶层；使用具有目标材料图形的光刻版对光刻胶层进行曝光，然后对光刻胶层进行显影；形成目标材料层，所述目标材料层覆盖光刻胶层露出的基底、台阶结构及侧墙结构且在光刻胶层的边缘断开；去除光刻胶层，基底、台阶结构及侧墙结构上具有目标材料图形的目标材料层被保留。本发明专利技术通过在台阶结构的侧面形成平缓的侧墙结构，使得目标材料层在侧墙结构的位置不易断开，目标材料可以获得预期的连续结构，从而能够使得剥离工艺适用于台阶结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种利用剥离工艺进行图形转移的方法，还涉及一种半导体器件结构。

技术介绍

1、在半导体器件制备过程中，有些材料的图形转移不适合用光刻胶做掩膜进行刻蚀的方法来制备。一种替代的图形转移工艺是剥离(lift off)工艺。示例性地，剥离工艺首先在基底表面形成光刻胶层，再通过光刻工艺对光刻胶层进行图形转移，显影后的光刻胶层的目标材料图形被去除，然后沉积一层或多层目标材料，此时目标材料部分直接沉积于基片表面，部分沉积在光刻胶层上，最后将基底浸泡于显影液中去除光刻胶层，位于光刻胶层上的目标材料也随之被去除，基底上的目标材料图形则保留下来。

2、然而，剥离工艺应用于目标材料覆盖在台阶上的结构时，目标材料容易在台阶处断开，得不到预期的目标材料形貌，从而会影响产品良率。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种适用于在台阶结构上形成目标材料的利用剥离工艺进行图形转移的方法。

2、一种利用剥离工艺进行图形转移的方法，包括：获取基底，所述基底上形成有台阶结构；在所述台本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用剥离工艺进行图形转移的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述在所述台阶结构的侧面形成侧墙结构的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述干法刻蚀为等离子体刻蚀。

4.根据权利要求2所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述步骤B完成后还包括：重复步骤A和步骤B，以获得坡度更平缓的侧墙结构。

5.根据权利要求1所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述目标材料层为金属层。

6.根据权利要求5所述的利用剥离工...

【技术特征摘要】

1.一种利用剥离工艺进行图形转移的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述在所述台阶结构的侧面形成侧墙结构的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述干法刻蚀为等离子体刻蚀。

4.根据权利要求2所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述步骤b完成后还包括：重复步骤a和步骤b，以获得坡度更平缓的侧墙结构。

5.根据权利要求1所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述目标材料层为金属层。

6.根据权利要求5所述的利用剥离工艺进行图形转移的方法，其特征在于，所述形成目标材料层的步骤是通过金属蒸镀工艺或溅射工...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡永刚，胡永强，张丽平，周伍清，蔡华洁，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：