半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括用于形成第一型器件的第一区域；基底包括用于形成目标图形的目标层，第一区域的目标层包括多个第一预设区域和位于第一预设区域之间的第二预设区域；在基底上形成分立的核心层，且在第一区域中，位于第一预设区域的核心层的线宽，和位于第二预设区域的核心层的线宽相同；在核心层的侧壁上形成第一侧墙；去除核心层；在第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙，位于第一预设区域的相邻第一侧墙相对侧壁上的第二侧墙用于作为牺牲侧墙；去除第一侧墙；去除牺牲侧墙，剩余的第二侧墙用于作为掩膜侧墙；以掩膜侧墙为掩膜，图形化目标层，形成多个目标图形。本发明专利技术实施例提高了图形化的自由度和灵活度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着图形特征尺寸(critical dimension，cd)的不断缩小，自对准四重图形化(self-aligned quadruple patterning，saqp)方法应运而生。

2、自对准双重图形化方法在衬底上所形成图形的密度是利用光刻工艺在衬底上所形成图形的密度的两倍，即可以获得1/2最小间距(1/2pitch)，而自对准四重图形化方法在不改变目前光刻技术的前提下(即光刻窗口大小不变)，在衬底上所形成图形的密度是利用光刻工艺在衬底上所形成图形的密度的四倍，即可以获得1/4最小间距(1/4pitch)，从而可以极大地提高半导体集成电路的密度，缩小图形的特征尺寸，进而有利于器件性能的提高。

3、但是，目前图形化的自由度和灵活度仍有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，提高图形化的自由度和灵活度。

2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述核心层的步骤中，在所述第一区域中，位于所述第一预设区域的核心层，和与所述第一预设区域相邻的第二预设区域上的核心层之间的间隔，大于所述核心层的线宽。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括用于形成第二型器件的第二区域；所述第二区域的目标层包括多个第三预设区域和位于第三区域之间的第四预设区域；

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述核心层的步骤中，在所述第二区域中，位于所述第三预设区...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述核心层的步骤中，在所述第一区域中，位于所述第一预设区域的核心层，和与所述第一预设区域相邻的第二预设区域上的核心层之间的间隔，大于所述核心层的线宽。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括用于形成第二型器件的第二区域；所述第二区域的目标层包括多个第三预设区域和位于第三区域之间的第四预设区域；

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述核心层的步骤中，在所述第二区域中，位于所述第三预设区域的核心层，和与所述第三预设区域相邻的第四预设区域上的核心层之间的间隔，与所述第四预设区域的核心层的线宽相同。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标层为介电层；

【专利技术属性】
技术研发人员：苏柏青，王俊，郁扬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：

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