System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极制造技术_技高网

一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极制造技术

技术编号:40334131 阅读:7 留言:0更新日期:2024-02-09 14:24
本发明专利技术专利公开一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,包括以下步骤:S1、选用2.8mm普通玻璃作为衬底,去离子水清洗衬底,去除衬底表面污渍并吹干;S2、将清洗后的衬底置入磁控溅射镀膜设备,对溅射腔体抽真空,当真空度达标时以金属锆为靶材,采用直流电源,通入氩气进行预溅射。预溅射结束后通入氧气,真空度在达标时开始镀制。S3、将镀制好氧化锆的玻璃传送到硅靶位置,当真空度达标后以旋转硅为靶材。采用中频电源通入氩气进行预溅射。预溅射结束后通入氧气待真空度达标后开始溅射。本发明专利技术通过薄膜太阳能电池吸收光谱曲线结合薄膜干涉原理,镀制出了具有区间增透效果的彩色前电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及玻璃薄膜制造,具体涉及一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极


技术介绍

1、薄膜太阳能电池因其转换率高而备受好评,为未来新能源的趋势,但是薄膜太阳能电池颜色较深,导致其应用面较窄,单纯的夹胶或颜色玻璃会导致其透过率降低,影响其发电效率。

2、碲化镉薄膜太阳能电池为目前市场应用较广的薄膜太阳能电池,其具有高转换效率,低成本等优异的特性。但因其本身具有颜色,在实际应用于建筑上时受到局限,且碲化镉薄膜太阳能电池目前所使用的前电极为fto导电玻璃,离线制备的fto导电玻璃目前国内技术水平达不到要求,纯依靠日本进口。本专利提出了一种碲化镉薄膜太阳能用前电极的膜系,在赋予薄膜太阳能电池颜色的同时增加其透过率。


技术实现思路

1、本专利技术专利的目的在于利用光学干涉原理,设计出一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,可以应用于碲化镉薄膜太阳能电池上使其具有多种颜色的同时增加其透过率。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:

3、一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,通过下述步骤加工得到:

4、s1、根据碲化镉薄膜太阳能电池的吸收光谱曲线,确定所需增透区间;

5、s2、清洗衬底,送样进镀膜室,在真空抽至所需真空度之后开始镀制薄膜;

6、s3、镀制zro2-s i o2-zro2-i to复合薄膜。

7、作为本专利技术进一步的方案:步骤s1中碲化镉薄膜太阳能电池的吸收光谱曲线集中在500nm-900nm,在可见光区380nm-760nm中的380nm-500nm区间;通过薄膜干涉原理设计膜系使膜系对该区间有增反作用的同时对500nm-900nm区间有增透作用。

8、作为本专利技术进一步的方案:步骤s3中所述i to透明导电膜不仅作为导电层,也作为第四介质层被设计在整体膜系中起到增透/增反的作用。

9、作为本专利技术进一步的方案:包括以下步骤:

10、s1、选用2.8mm普通玻璃作为衬底,去离子水清洗衬底,去除衬底表面污渍并吹干;

11、s2、将清洗后的衬底置入磁控溅射镀膜设备,对溅射腔体抽真空,当真空度5*10-6torr时以金属锆为靶材,采用直流电源功率3kw,通入200sccm氩气进行预溅射;

12、预溅射结束后,通入氧分压为55sccm,真空度在4.5*10-3tor r时溅射81次,厚度160nm;

13、s3、将镀制好氧化锆的玻璃传送到硅靶位置,当真空度在7*10-6torr时以旋转硅为靶材;采用中频电源功率3kw,通入200sccm氩气进行预溅射;预溅射结束后通入氧分压40sccm,真空度在4.0*10-3torr时溅射46次,厚度100nm;

14、s4、将玻璃传送到锆靶位置,当真空度5*10-6torr时以金属锆为靶材,采用直流电源功率3kw,通入200sccm氩气进行预溅射;预溅射结束后,通入氧分压为55sccm,真空度在4.5*10-3tor r时溅射81次,厚度160nm;

15、s5、将玻璃传送到i to靶位置,提前设置加热温度400度,当真空度5*10-6torr时以i to为靶材,采用直流电源功率3kw,通入200sccm氩气进行预溅射;预溅射结束后通入氧分压5sccm,真空度在4.5*10-3tor r时溅射45次,厚度208nm,电阻10欧;整体前电极在500nm-900nm区间透过率为89%,a值为0.52,b值为-44.2,薄膜呈蓝色。

16、本专利技术的有益效果:

17、本专利技术采用高折射率材料(n>1.8)比如氧化锆(n1≈2.2)与低折射率材料(n2<n1)比如氧化硅(n2≈1.4)以及低折射率透明导电薄膜(n3<n1)比如i to(n3≈1.8)镀制复合膜,利用薄膜干涉原理,使膜系在380nm-500nm具有增反效果,在500nm-900nm出现增透效果,实现膜系具有颜色且在碲化镉太阳能薄膜电池的光谱吸收区进行增透,使用离线磁控溅射技术镀制i to薄膜作为导电层。

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【技术保护点】

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,其特征在于,通过下述步骤加工得到:

2.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,其特征在于,步骤S1中碲化镉薄膜太阳能电池的吸收光谱曲线集中在500nm-900nm,在可见光区380nm-760nm中的380nm-500nm区间;通过薄膜干涉原理设计膜系使膜系对该区间有增反作用的同时对500nm-900nm区间有增透作用。

3.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,其特征在于,步骤S3中所述ITO透明导电膜不仅作为导电层,也作为第四介质层被设计在整体膜系中起到增透/增反的作用。

4.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,其特征在于,包括以下步骤:

【技术特征摘要】

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,其特征在于,通过下述步骤加工得到:

2.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池用彩色增透前电极,其特征在于,步骤s1中碲化镉薄膜太阳能电池的吸收光谱曲线集中在500nm-900nm,在可见光区380nm-760nm中的380nm-500nm区间;通过薄膜干涉原理设计膜系使膜系对该区间有增...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭寿彭塞奥金克武王天齐姚婷婷王金磊甘治平李刚
申请(专利权)人:中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
类型:发明
国别省市:

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