一种重掺硼碱腐蚀硅片制造技术

本技术属于重掺硼硅片加工技术领域，尤其是一种重掺硼碱腐蚀硅片，包括晶圆，所述晶圆的外表面涂覆有导电层，所述导电层的外表面粘接有隔离层，所述隔离层对晶圆的边缘和中心进行连接。该重掺硼碱腐蚀硅片，通过设置根据晶圆实际使用情况在晶圆的导电层表面设置隔离层，利用隔离层事先规划出导电层裸露出的部分，再向导电层和隔离层的表面涂覆耐磨层，由于由于耐磨层与隔离层间存在细微的高度落差，使得落差处的耐磨层厚度降低，再向耐磨层的表面涂覆耐腐蚀层，使得耐磨层的表面具有耐腐蚀防护，同理落差处的耐腐蚀层厚度降低，进而通过少量的耐腐蚀液即可将隔离层腐蚀并剥落，导电层露出，从而便于重掺硼碱腐蚀硅片进行使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及重掺硼硅片加工，尤其涉及一种重掺硼碱腐蚀硅片。

技术介绍

1、随着半导体产业的发展，大规模集成电路(ulsi)应用的摩尔式快速成长推动了作为外延衬底材料的重掺单晶晶圆的广泛应用。重掺p型单晶硅材料能大大提升动态存储器的记忆保持时间，是解决电路中锁存效应和α粒子引起的软失效的最佳途径。而重掺硼作为主要的p型重掺单晶，具有许多优良特性，如电阻率分布均匀；氧浓度增加，提升硅片内吸杂能力；提高硅片的机械强度等。

2、在中国专利网站上公开的一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺（公开号为：cn111341655a），虽然通过的重掺硼碱腐蚀工艺加工出了表面腐蚀平整的硅片技术问题，但依然存在以下问题：

3、硅片的功能单一，缺乏耐磨耐腐蚀的特性，尤其在使用时，由于硅片在加工时，极易接触硬质夹持部件并发生摩擦，还会通过腐蚀性溶液进行二次加工，使得硅片的加工和使用环境复杂，而且在加工过程中会向硅片的表面添加导电涂层，使得硅片的表面具有良好的导电性，而导电层同样容易被外部物质磨损或腐蚀，不仅影响硅片的使用，同时还可能将硅片损坏，从而不便于进行使用。

技术实现思路

1、基于现有的硅片的表面不便于进行防护的技术问题，本技术提出了一种重掺硼碱腐蚀硅片。

2、本技术提出的一种重掺硼碱腐蚀硅片，包括晶圆，所述晶圆的外表面涂覆有导电层，所述导电层的外表面粘接有隔离层，所述隔离层对晶圆的边缘和中心进行连接，所述隔离层的外表面和导电层的外表面均涂覆有耐磨层，所述耐磨层的外表面涂覆有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层的表面涂覆有腐蚀液。

3、优选地，所述导电层的材质为铜金属涂层。

4、通过上述技术方案，利用在晶圆的表面添加铜金属涂层制备的导电层，从而便于对晶圆的表面进行保护和强化，提高硅片的尺寸稳定性和导电性能。

5、优选地，所述隔离层为层叠的pvc薄膜。

6、通过上述技术方案，利用隔离层对晶圆的表面区域进行划分，从而便于对晶圆表面的不同区域进行区别加工。

7、优选地，所述耐磨层的材质为氧化硅涂层。

8、通过上述技术方案，利用在晶圆的表面涂覆耐磨层，从而便于提高晶圆表面的物理、化学和机械稳定性，具有良好的耐磨损性能和高温稳定性。

9、优选地，所述耐腐蚀层的材质为氧化铝涂层。

10、通过上述技术方案，利用少量的耐腐蚀层对耐磨层的外表面进行简易防护，从而提高耐磨层表面的抗氧化性能和防腐蚀性能，同时还可以增强耐磨层表面的磨损和刮擦性能。

11、优选地，所述腐蚀液为浓度40%的氢氧化钾水溶液。

12、通过上述技术方案，利用腐蚀液通过隔离层表面的间隙进入隔离层内，并对隔离层进行腐蚀，从而便于将隔离层及其表面结构腐蚀，并使得导电层露出。

13、本技术中的有益效果为：

14、通过设置根据晶圆实际使用情况在晶圆的导电层表面设置隔离层，利用隔离层事先规划出导电层裸露出的部分，再向导电层和隔离层的表面涂覆耐磨层，由于由于耐磨层与隔离层间存在细微的高度落差，使得落差处的耐磨层厚度降低，再向耐磨层的表面涂覆耐腐蚀层，使得耐磨层的表面具有耐腐蚀防护，同理落差处的耐腐蚀层厚度降低，进而通过少量的耐腐蚀液即可将隔离层腐蚀并剥落，导电层露出，从而便于重掺硼碱腐蚀硅片进行使用。

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【技术保护点】

1.一种重掺硼碱腐蚀硅片，包括晶圆（1），其特征在于：所述晶圆（1）的外表面涂覆有导电层（2），所述导电层（2）的外表面粘接有隔离层（3），所述隔离层（3）对晶圆（1）的边缘和中心进行连接，所述隔离层（3）的外表面和导电层（2）的外表面均涂覆有耐磨层（4），所述耐磨层（4）的外表面涂覆有耐腐蚀层（5），所述耐腐蚀层（5）的表面涂覆有腐蚀液（6）。

2.根据权利要求1所述的一种重掺硼碱腐蚀硅片，其特征在于：所述导电层（2）的材质为铜金属涂层。

3.根据权利要求1所述的一种重掺硼碱腐蚀硅片，其特征在于：所述隔离层（3）为层叠的PVC薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种重掺硼碱腐蚀硅片，其特征在于：所述耐磨层（4）的材质为氧化硅涂层。

5.根据权利要求1所述的一种重掺硼碱腐蚀硅片，其特征在于：所述耐腐蚀层（5）的材质为氧化铝涂层。

6.根据权利要求1所述的一种重掺硼碱腐蚀硅片，其特征在于：所述腐蚀液（6）为浓度40%的氢氧化钾水溶液。

【技术特征摘要】

1.一种重掺硼碱腐蚀硅片，包括晶圆（1），其特征在于：所述晶圆（1）的外表面涂覆有导电层（2），所述导电层（2）的外表面粘接有隔离层（3），所述隔离层（3）对晶圆（1）的边缘和中心进行连接，所述隔离层（3）的外表面和导电层（2）的外表面均涂覆有耐磨层（4），所述耐磨层（4）的外表面涂覆有耐腐蚀层（5），所述耐腐蚀层（5）的表面涂覆有腐蚀液（6）。

2.根据权利要求1所述的一种重掺硼碱腐蚀硅片，其特征在于：所述导电层（2）的材质为铜金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩春阳，
申请(专利权)人：天津天物金佰微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：