【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于压电薄膜，涉及一种压电薄膜及其制备方法，尤其涉及一种有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、聚偏氟乙烯(pvdf)不仅是一种性能优良的热塑性塑料，而且是一种性能优异的膜材料，pvdf的分子结构为链状的氟化碳氢化合物，常表现为半结晶状态，即结晶相和无序相共存。结晶部分使其具有较高的强度，而无定型部分则赋予其良好的柔软性，对于许多要求在酸、碱条件下使用的材料，pvdf显示出尤其优越的性能，被广泛用于电声转换、水声转换、医学监测以及热电测量和监视装置。
2、与传统无机类压电陶瓷材料相比，单一的pvdf压电材料的压电常数仍然偏小，难以满足换能器、传感器和能量收集器件等自供电电子设备对该类材料的使用要求，因此，提高pvdf压电材料的压电性能已成为目前国内外的研究热点之一。在这些研究中，被广泛使用的研究方法就是将不同种类的功能材料，例如，陶瓷填料、碳基材料(碳纳米管、石墨烯和炭黑)、金属氧化物、金属粒子等掺杂到聚合物基体中来改善聚合物基体自身的压电性能。
3、石墨烯是一类典型的低维碳基材料，其c原子的sp2杂化使其具有高的载流子迁移率和电导率；大的比表面积，更有利于构建导电网络，可以降低内阻。石墨烯的加入有利于pvdf薄膜获得更好的压电输出性能。此外，石墨烯在复合材料中还能够起到增加聚合物β相含量的作用，从而增强pvdf的压电性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电
2、本专利技术的技术方案如下：
3、一种有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
4、s1：将花状石墨烯fgo加入分散机中搅拌分散后，滴加二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液，搅拌1～4小时，再继续滴加二十一氟十一烷酸/dmf溶液，继续搅拌2～4小时，出料；干燥后得到二十一氟十一烷酸修饰花状石墨烯hfa-fgo；
5、s2：将二十一氟十一烷酸修饰花状石墨烯hfa-fgo加入dmf中，混合均匀，得到有机氟修饰花状石墨烯分散液；
6、s3：将聚偏氟乙烯pvdf加入有机氟修饰花状石墨烯分散液中，混合均匀，得到pvdf/有机氟修饰花状石墨烯混合液；
7、s4：对pvdf/有机氟修饰花状石墨烯混合液进行涂膜烘干，得到有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜。
8、优选的，步骤s1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液的浓度为10～30％，以质量比计；所述的二十一氟十一烷酸/dmf溶液的浓度为5～25％，以质量比计。
9、优选的，步骤s1中，所述的花状石墨烯fgo、二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液和二十一氟十一烷酸/dmf溶液的质量比为10：1～3：1～5。
10、优选的，步骤s1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液在1～3小时滴加完毕；所述的二十一氟十一烷酸/dmf溶液在2～6小时滴加完毕。
11、优选的，步骤s1中，所述的搅拌分散时间为15～45分钟，速率为500～1500转/分钟；所述的干燥条件为在145℃、0.8mpa的真空环境中干燥24小时。
12、优选的，步骤s2中，所述的二十一氟十一烷酸修饰花状石墨烯hfa-fgo的质量与dmf的体积比为0.1～1g：20～100ml。
13、优选的，步骤s3中，所述的聚偏氟乙烯pvdf和有机氟修饰花状石墨烯的质量比为5～15：0.1～1。
14、优选的，步骤s2中，所述的混合条件为超声波分散1小时；步骤s3中，所述的混合条件为磁力搅拌4～8小时。
15、优选的，步骤s4中，所述的涂膜烘干为在温度为25℃、空气相对湿度为35％的条件下进行涂膜，然后在120℃真空烘干处理4～8小时。
16、一种有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜，利用上述方法制得。
17、本专利技术的有益效果为：
18、本专利技术的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜，fgo经有较长碳链的hfa化学修饰后，更好地提高了fgo在基体的分散性，有效地提高了pvdf压电薄膜的力学性能；使得导电网络的形成变更难，漏电流减小，介电损耗减小；使fgo更有效地成为β相pvdf的结晶核，增强了hfa-fgo的导电性和诱导结晶作用，有效地提高了pvdf压电薄膜的压电性能。
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1.一种有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/DMF溶液的浓度为10～30％，以质量比计；所述的二十一氟十一烷酸/DMF溶液的浓度为5～25％，以质量比计。
3.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的花状石墨烯FGO、二苯基甲烷二异氰酸酯/DMF溶液和二十一氟十一烷酸/DMF溶液的质量比为10：1～3：1～5。
4.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/DMF溶液在1～3小时滴加完毕；所述的二十一氟十一烷酸/DMF溶液在2～6小时滴加完毕。
5.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的搅拌分散时间为15～45分钟，速率为500～1500转/分钟；所述的干燥条件为在145℃、0.
6.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述的二十一氟十一烷酸修饰花状石墨烯HFA-FGO的质量与DMF的体积比为0.1～1g：20～100mL。
7.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述的聚偏氟乙烯PVDF和有机氟修饰花状石墨烯的质量比为5～15：0.1～1。
8.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述的混合条件为超声波分散1小时；步骤S3中，所述的混合条件为磁力搅拌4～8小时。
9.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述的涂膜烘干为在温度为25℃、空气相对湿度为35％的条件下进行涂膜，然后在120℃真空烘干处理4～8小时。
10.一种有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜，其特征在于，利用如权利要求1-9任一项所述的方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液的浓度为10～30％，以质量比计；所述的二十一氟十一烷酸/dmf溶液的浓度为5～25％，以质量比计。
3.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述的花状石墨烯fgo、二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液和二十一氟十一烷酸/dmf溶液的质量比为10：1～3：1～5。
4.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液在1～3小时滴加完毕；所述的二十一氟十一烷酸/dmf溶液在2～6小时滴加完毕。
5.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述的搅拌分散时间为15～45分钟，速率为500～1500转/分钟；所述的干燥条件为在...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑跃伟，章旭平，朱伟江，朱桂炜，吴森祥，袁利平，代希坤，
申请(专利权)人：浙江百安医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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