一种有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于属于压电薄膜技术领域，涉及一种有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜及其制备方法。具体步骤包括：将花状石墨烯FGO加入分散机中搅拌分散后，滴加二苯基甲烷二异氰酸酯/DMF溶液，搅拌，再继续滴加二十一氟十一烷酸/DMF溶液，继续搅拌，出料；干燥后得到二十一氟十一烷酸修饰花状石墨烯HFA‑FGO；将HFA‑FGO加入DMF中，混合均匀，得到有机氟修饰花状石墨烯分散液；将PVDF加入有机氟修饰花状石墨烯分散液中，混合均匀，得到PVDF/有机氟修饰花状石墨烯混合液；对PVDF/有机氟修饰花状石墨烯混合液进行涂膜烘干，得到有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜。FGO经有较长碳链的HFA化学修饰后，更好地提高了FGO在基体的分散性，有效地提高了PVDF压电薄膜的力学性能和压电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于压电薄膜，涉及一种压电薄膜及其制备方法，尤其涉及一种有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、聚偏氟乙烯(pvdf)不仅是一种性能优良的热塑性塑料，而且是一种性能优异的膜材料，pvdf的分子结构为链状的氟化碳氢化合物，常表现为半结晶状态，即结晶相和无序相共存。结晶部分使其具有较高的强度，而无定型部分则赋予其良好的柔软性，对于许多要求在酸、碱条件下使用的材料，pvdf显示出尤其优越的性能，被广泛用于电声转换、水声转换、医学监测以及热电测量和监视装置。

2、与传统无机类压电陶瓷材料相比，单一的pvdf压电材料的压电常数仍然偏小，难以满足换能器、传感器和能量收集器件等自供电电子设备对该类材料的使用要求，因此，提高pvdf压电材料的压电性能已成为目前国内外的研究热点之一。在这些研究中，被广泛使用的研究方法就是将不同种类的功能材料，例如，陶瓷填料、碳基材料(碳纳米管、石墨烯和炭黑)、金属氧化物、金属粒子等掺杂到聚合物基体中来改善聚合物基体自身的压电性能。

3、石墨烯是一类典型的低维碳基材料，其c原子的sp本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/DMF溶液的浓度为10～30％，以质量比计；所述的二十一氟十一烷酸/DMF溶液的浓度为5～25％，以质量比计。

3.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性PVDF压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的花状石墨烯FGO、二苯基甲烷二异氰酸酯/DMF溶液和二十一氟十一烷酸/DMF溶液的质量比为10：1～3：1～5。

4.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液的浓度为10～30％，以质量比计；所述的二十一氟十一烷酸/dmf溶液的浓度为5～25％，以质量比计。

3.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述的花状石墨烯fgo、二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液和二十一氟十一烷酸/dmf溶液的质量比为10：1～3：1～5。

4.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述的二苯基甲烷二异氰酸酯/dmf溶液在1～3小时滴加完毕；所述的二十一氟十一烷酸/dmf溶液在2～6小时滴加完毕。

5.根据权利要求1所述的有机氟修饰石墨烯改性pvdf压电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述的搅拌分散时间为15～45分钟，速率为500～1500转/分钟；所述的干燥条件为在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑跃伟，章旭平，朱伟江，朱桂炜，吴森祥，袁利平，代希坤，
申请(专利权)人：浙江百安医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：