一种适用于光声成像的超声换能器及其制备方法技术

本申请涉及一种适用于光声成像的超声换能器及其制备方法，超声换能器采用PVDF复合压电薄膜，该薄膜采用石墨烯粉末、二甲基甲酰胺DMF、碳纤维粉末和改性有机硅树脂制备而成。石墨烯粉末和碳纤维粉末的加持，可以使得制备的PVDF复合压电薄膜，具有良好的韧性和硬度，较比其他仅仅采用“石墨烯粉末和二甲基甲酰胺DMF”制备得到的薄膜，本申请PVDF复合压电薄膜韧性和强度更加可靠，可以提高2～5倍，提升了PVDF复合压电薄膜的使用性能，适应超声换能器的各种应用环境。同时增加了改性有机硅树脂，调节其分子结构，增加实现硬度、柔韧性、热塑性及粘接性等力学性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及，尤其涉及一种适用于光声成像的用于光声成像的超声换能器及其制备方法。

技术介绍

1、在早期，薄膜制备技术处于发展阶段，技术和设施不够完善，大部分选用的是zno材料。zno材料的优点是具有很高压电系数的半导体，可以达到5.5～12.5pm/v，缺点是能带的间隙很小，仅有3.37ev，并且不能与cmos兼容，使得应用面受到限制。

2、随着薄膜制备技术的发展，许多薄膜材料相继受到关注。锆钛酸铅(pzt)薄膜具有很高的压电系数，可达到60pm/v，同时也具有很高的介电常数，又可以进行大规模的生产，成为主要的压电薄膜材料。但是pzt薄膜需要进行极化和退火处理，并且pzt薄膜含有铅元素，在制备过程与废弃后会存在污染问题，需要寻找更绿色环保的材料。

3、氮化铝(aln)薄膜和高分子材料聚偏氟乙烯(pvdf)薄膜逐渐进入人们的视野。与pzt薄膜和zno薄膜相比，aln薄膜绝缘电阻高、绝缘电阻大、热导率高、介电损耗低、表面声波传输速度快、化学和温度性优异，并且aln薄膜可与互补金属氧化物半导体(cmos)工艺兼容，可承受温度1000℃以上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于光声成像的超声换能器，其特征在于，包括表面极化处理的PVDF复合压电薄膜和L形状的铜电极，其中，所述L形状的铜电极成中心对称粘贴在所述PVDF复合压电薄膜的同一侧面上，所述PVDF复合压电薄膜左右对称折叠构成所述超声换能器。

2.根据权利要求1所述一种适用于光声成像的超声换能器，其特征在于，所述PVDF复合压电薄膜，采用如下方法制备：

3.根据权利要求2所述适用于光声成像的超声换能器，其特征在于，搅拌采用超声波高分子材料分散搅拌设备，在100～25转/分条件下搅拌4～6小时。

4.根据权利要求2所述适用于光声成像的超声换能器，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种适用于光声成像的超声换能器，其特征在于，包括表面极化处理的pvdf复合压电薄膜和l形状的铜电极，其中，所述l形状的铜电极成中心对称粘贴在所述pvdf复合压电薄膜的同一侧面上，所述pvdf复合压电薄膜左右对称折叠构成所述超声换能器。

2.根据权利要求1所述一种适用于光声成像的超声换能器，其特征在于，所述pvdf复合压电薄膜，采用如下方法制备：

3.根据权利要求2所述适用于光声成像的超声换能器，其特征在于，搅拌采用超声波高分子材料分散搅拌设备，在100～25转/分条件下搅拌4～6小时。

4.根据权利要求2所述适用于光声成像的超声换能器，其特征在于，薄膜涂布干燥，包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟江，郑跃伟，章旭平，朱桂炜，吴森祥，袁利平，代希坤，
申请(专利权)人：浙江百安医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：