【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，具体涉及一种在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法。
技术介绍
1、本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
2、现有技术中，led已经替代节能灯成为第四代照明产品，但由于led材料缺陷，取光效率几乎达到极限值，而激光(ld)作为一种新的光源，光效远高于led，并且随着技术的应用，光效将进一步提长，节能率比led至少可提高50％以上。
3、目前已经商用的白光led主要是利用a色光和表面涂覆蓝色光激发黄光发射的荧光粉的方法合成白光。然而，本专利技术人发现，现有的这种方法存在得到的白光色饱和度较差和色温不稳定的问题，而所述色饱和度较差是由于白光中缺少红色光部分，色温的不稳定性是由于长时间荧光粉性能退化所导致。
技术实现思路
1、针对上述的问题，本专利技术提供一种在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，本专利技术利用外延技术制备能发出三种不同颜色的激光芯片，其合成的光具有色饱和度优良、色温稳定性高的特点。为实现上述目的，本专利技术公开如下所示的技术方案。
2、一种在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，包括如下步骤：
3、(1)一次外延：在衬底上制备a色光激光激发层，然后在所述a色光激光激发层上覆盖二氧化硅层。完成后去除掉三分之二长度的a色光激光激发层和二氧化硅层，然后在去除露出的a色光激光激
4、(2)二次外延：在所述一级外延芯片的a色光激光激发层侧面的衬底上制备与该a色光激光激发层等厚度/高度的b色光激光激发层，然后在所述a色光激光激发层和b色光激光激发层上覆盖二氧化硅层。完成后去除掉二分之一长度的b色光激光激发层及其上表面的二氧化硅层，然后在去除露出的b色光激光激发层的侧壁上制备二氧化硅层保护层，即得二级外延芯片。
5、(3)三次外延：在所述二级外延芯片的b色光激光激发层侧面的衬底上制备与该b色光激光激发层等厚度/高度的c色光激光激发层，然后去除所述a色光激光激发层和b色光激光激发层上覆盖的剩余二氧化硅层，使a色光激光激发层和b色光激光激发层露出，即得三级外延芯片，即为所述三色激光外延结构。
6、与现有技术相比，本专利技术至少具有以下方面的有益效果：本专利技术利用外延技术制备能发出三种不同颜色的激光芯片，其不仅可发出单色光，也可以三种光同发光合成其他颜色的光。由于本专利技术不使用荧光粉，不存在色饱和度较差和色温不稳定的问题，而所述色饱和度较差是由于白光中缺少红色光部分，色温的不稳定性是由于长时间荧光粉性能退化所导致。而是由三原色芯片混色合成的光，所以具有色饱和度优异，色温稳定性高，颜色均匀性、一致性好的特点。本专利技术制备简单高效，不仅易于产业化生产，而且光效提高了30％。另外，由于三种激光激发层共用n电极，极大地节省了材料和成本，增加了芯片产量。由rgb三原色混色，光电效率最高，从长远发展的观点来看，这种方案会是主流方案。可以实现随意的颜色调节，优秀的显色能力，非常宽的色域范围。。
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1.一种在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其中，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(3)中，还包括在所述三色激光外延结构的衬底下表面上制备N电极的步骤。
3.根据权利要求2所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(3)中，还包括在所述三色激光外延结构的A色光激光激发层、B色光激发的上表面上制备P电极的步骤，且相邻激光激发层对应的P电极之间通过二氧化硅层进行隔离。
4.根据权利要求1-3任一项所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，所述A色光、B色光、C色光为不同颜色的三种光，优选为蓝、绿、红、黄、紫中的任意三种，更优选为蓝、绿、红三种颜色的光。
5.根据权利要求4所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述蓝色光激光激发层的材质包括AlGaN、GaN、InGaN中的任意一种；优选地，步骤(1)中，所述衬底的材质包括SiC、Al2O3、Si中的任意一种。
6.根据权利要求4所述的
7.根据权利要求4所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述绿色光激光激发层的材质包括AlGaN、GaN、InGaN中的任意一种。
8.根据权利要求4所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述绿色光激光激发层的厚度范围为10-20nm。
9.根据权利要求4所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述红色光激光激发层的材质包括ALGaInP、ALGaAs、GaAs中的任意一种。
10.根据权利要求4所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述红色光激光激发层的厚度范围为10-20nm。
...【技术特征摘要】
1.一种在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其中，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(3)中，还包括在所述三色激光外延结构的衬底下表面上制备n电极的步骤。
3.根据权利要求2所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(3)中，还包括在所述三色激光外延结构的a色光激光激发层、b色光激发的上表面上制备p电极的步骤，且相邻激光激发层对应的p电极之间通过二氧化硅层进行隔离。
4.根据权利要求1-3任一项所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，所述a色光、b色光、c色光为不同颜色的三种光，优选为蓝、绿、红、黄、紫中的任意三种，更优选为蓝、绿、红三种颜色的光。
5.根据权利要求4所述的在在同一芯片上制备三色激光外延结构的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述蓝色光激光激发层的材质包括algan、gan、ingan中的任意一种；优选地，步骤(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：王小敏，吕敏，
申请(专利权)人：潍坊华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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