本申请提供一种布线结构、一种有该布线结构的半导体元件及其制备方法。该布线结构包括一基底、该基底之上的一金属层、至少一个第一导电特征以及至少一个第二导电特征。该第一导电特征及该第二导电特征设置于该基底与该金属层之间；该第一导电特征具有一第一关键尺寸，该第二导电特征具有小于该第一关键尺寸的一第二关键尺寸。可以借由改变该第一导电特征及该第二导电特征的关键尺寸来调整该布线结构的一有效电阻。
【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/879,995号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年8月3日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种用于半导体积体电路的布线结构及其制备方法，特别是关于一种具有不同关键尺寸导电特征的金属互连及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件的制备通常分为两个主要阶段。“前段”(feol)致力于建立所有的主动元件，如在半导体元件的单个基底中或其上的晶体管，而“后段”(beol)则建立金属线，将晶体管相互连接并向半导体元件提供电源。feol由一连串重复的步骤组成，这些步骤改变了晶圆表面部分的电性能，并在选定的区域上方建立新的材料。一旦所有的主动元件建立后，制备的第二个阶段(即beol)即开始。在beol期间，金属线和金属互连(“通孔”)被建立，以建构半导体元件的连接，其中金属互连用于下部和上部金属线的电性连接。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
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【技术保护点】
1.一种布线结构，包括：
2.如权利要求1所述的布线结构，其中该第二关键尺寸与两倍的该隔离衬垫的一厚度之和等于该第一关键尺寸。
3.如权利要求2所述的布线结构，更包括包围该第一导电特征及该隔离衬垫的一介电层。
4.如权利要求3所述的布线结构，其中该第一导电特征及该第二导电特征分别与该半导体元件及该金属层接触。
5.如权利要求4所述的布线结构，其中连接该第一导电特征及该第二导电特征的该半导体元件的一最顶层包含导电材料。
6.如权利要求1所述的布线结构，其中该第一导电特征及该第二导电特征被一扩散阻障衬垫所包围。</p>7.一种
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【技术特征摘要】
1.一种布线结构，包括：
2.如权利要求1所述的布线结构，其中该第二关键尺寸与两倍的该隔离衬垫的一厚度之和等于该第一关键尺寸。
3.如权利要求2所述的布线结构，更包括包围该第一导电特征及该隔离衬垫的一介电层。
4.如权利要求3所述的布线结构，其中该第一导电特征及该第二导电特征分别与该半导体元件及该金属层接触。
5.如权利要求4所述的布线结构，其中连接该第一导电特征及该第二导电特征的该半导体元件的一最顶层包含导电材料。
6.如权利要求1所述的布线结构，其中该第一导电特征及该第二导电特征被一扩散阻障衬垫所包围。
7.一种半导体元件，包括：
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第二关键尺寸与两倍的该隔离衬垫的一厚度之和等于该第一关键尺寸。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该布线结构更包括包围该第一导电特征及该隔离衬垫的一层间介电(ild)层。
10.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一导电特征及该第二导电特征分别与该第一金属层及该第二金属层接触。
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑闵中，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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