【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ic(integrated circuit，集成电路)裸片形成方法以及ic裸片结构，特别是涉及可防止漏电流的ic裸片形成方法以及ic裸片结构。
技术介绍
1、通常，一个ic封装(package)可以包含多个ic裸片(die)。然而，在某些使用场合，ic裸片需要被分离成多个单一裸片。在这种情况下，单一裸片因为其一些物理结构被损坏，可能会产生漏电流。因此，需要一些机制来防止这类漏电流。
技术实现思路
1、本专利技术一目的为提供一种ic裸片形成方法，其可产生可防止漏电流的ic裸片结构。
2、本专利技术另一目的为提供一种可防止漏电流的ic裸片结构。
3、本专利技术一实施例揭露了一种ic裸片形成方法，用以在一半导体晶片上形成多个ic裸片，包含：在一第一区形成一第一裸片，包含：在该第一区形成一第一装置；在该第一区形成一第二装置；形成连接该第一装置以及该第二装置的一金属层；在一第二区形成一第二裸片，包含：在该第二区形成一第三装置；在该第二区形成一第四装置；形成连接该...
【技术保护点】
1.一种集成电路裸片形成方法，用以在半导体晶片上形成多个集成电路裸片，包含：
2.如权利要求1所述的集成电路裸片形成方法，其中该第一装置为时钟脉冲产生器且该第三装置为三角波产生器。
3.如权利要求1所述的集成电路裸片形成方法，还包含：
4.如权利要求3所述的集成电路裸片形成方法，其中该开关电路若接收到代表该第一裸片和该第二裸片被分离的分离信号时，则该开关电路关闭。
5.如权利要求1所述的集成电路裸片形成方法，还包含：
6.如权利要求5所述的集成电路裸片形成方法，其中该控制信号为分离信号，该逻辑电路在该分离信号...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路裸片形成方法，用以在半导体晶片上形成多个集成电路裸片，包含：
2.如权利要求1所述的集成电路裸片形成方法，其中该第一装置为时钟脉冲产生器且该第三装置为三角波产生器。
3.如权利要求1所述的集成电路裸片形成方法，还包含：
4.如权利要求3所述的集成电路裸片形成方法，其中该开关电路若接收到代表该第一裸片和该第二裸片被分离的分离信号时，则该开关电路关闭。
5.如权利要求1所述的集成电路裸片形成方法，还包含：
6.如权利要求5所述的集成电路裸片形成方法，其中该控制信号为分离信号，该逻辑电路在该分离信号代表该第一裸片和该第二裸片被分离时输出预定逻辑值。
7.如权利要求1所述的集成电路裸片形成方法，还包含：
8.如权利要求7所述的集成电路裸片形成方法，其中当第一裸片和该第二裸片未被分离时该反相器输出该第一电流，且当第一裸片和该第二裸片被分离时该反相器输出该第二电流。
9.如权利要求1所述的集成电路裸片形成方法，其中形成第一金属层的该步骤还包含：
10.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张智胜，陈曜洲，
申请(专利权)人：晶豪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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