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本发明公开一种集成电路裸片形成方法以及集成电路裸片结构，其中该集成电路裸片形成方法，用以在一半导体晶片上形成多个集成电路裸片，包含：在一第一区形成一第一裸片，包含：在第一区形成一第一装置、一第二装置；形成连接第一装置以及第二装置的一金属层；...
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