【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中公开的实施例涉及包括具有存储器单元串的存储器阵列的集成电路及包含例如用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。可以个别存储器单元的一或多个阵列制作存储器。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可被称为字线)写入到存储器单元或从存储器单元读取。感测线可使沿阵列的列的存储器单元导电互连，且存取线可使沿阵列的行的存储器单元导电互连。每一存储器单元可通过感测线及存取线的组合唯一地寻址。
2、存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下存储数据达延长时段。非易失性存储器常规地被指定为具有至少约10年的留存时间的存储器。易失性存储器消散且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以按至少两个不同可选择状态留存或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个信息电平
【技术保护点】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层包括所述(a)。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层包括所述(c)。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述SiOxNy中的Si、O及N的总和的Si含量是至少85原子百分比。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层包括所述(b)。
6.根据权利要求5所述的方法，其包括用个别地包括氮化硅或二氧化硅中的一者的多个层...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层包括所述(a)。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层包括所述(c)。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述sioxny中的si、o及n的总和的si含量是至少85原子百分比。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层包括所述(b)。
6.根据权利要求5所述的方法，其包括用个别地包括氮化硅或二氧化硅中的一者的多个层加衬里于所述水平伸长沟槽的侧壁。
7.根据权利要求6所述的方法，其包括在形成所述导电材料之前使用不同蚀刻化学品循序地蚀除所述多个层，所述化学品中的一者蚀刻所述多个层的所述氮化硅且所述化学品中的另一者蚀刻所述多个层的所述二氧化硅。
8.根据权利要求7所述的方法，其包括在形成所述导电材料之前，使用所述不同蚀刻化学品来蚀除所述双层的所述氮化硅及所述二氧化硅，同时蚀除所述多个层的所述氮化硅及所述二氧化硅。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层仅具有所述(a)、所述(b)及所述(c)中的一者。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层具有所述(a)、所述(b)及所述(c)中的同一者。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层具有所述(a)、所述(b)及所述(c)中的不同者。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层中的至少一者具有所述(a)、所述(b)及所述(c)中的至少两者。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层中的至少一者直接抵靠所述最下第一阶层的所述牺牲材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层中的每一者直接抵靠所述最下第一阶层的所述牺牲材料。
16.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述导电材料之前从所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层移除所述(a)、所述(b)及所述(c)中的所述至少一者的全部。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述替换包括相对于所述(a)、(b)及(c)中的所述至少一者选择性地蚀刻所述最下第一阶层的所述牺牲材料以留下竖直介于所述最下第二阶层与所述次最下第二阶层之间且所述导电材料形成到其中的空隙空间。
18.根据权利要求17所述的方法，其包括从所述最下第二阶层及所述次最下第二阶层移除所述(a)、所述(b)及所述(c)中的所述至少一者的全部剩余部分以在其中形成所述导电材料之前扩大所述空隙空间。
19.一种方法，其包括：
20.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·N·斯卡伯勒，J·D·格林利，J·D·霍普金斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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