【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.电子元件(10)，其包含以单元(100)的三维阵列布置的多个单元(100)，其中所述单元(100)位于两个交叉电极线(30、31)之间的交叉处，其特征在于各单元(100)以此顺序包含第一电极(102)、分子层(20)的一部分(104)和第二电极(106)，其中分子层(20)是具有借助构象柔性单元连接至偶极单元的锚固基团的有机分子的自组装单层。
2.根据权利要求1的电子元件(10)，其特征在于各单元(100)进一步包含二极管、阈值开关或晶体管作为选择器装置(108)。
3.根据权利要求2的电子元件(10)，其中所述选择器装置(108)配置为有机分子的另一自组装单层或配置为布置在分子层与第一电极或第二电极之间的无机二极管。
4.根据权利要求1至3任一项的电子元件(10)，其特征在于各单元(100)的第一电极(102)和/或第二电极(106)由金属、导电合金、导电陶瓷、半导体、导电氧化物材料、导电或半导电有机分子或层状导电2D材料制成。
5.根据权利要求1至4任一项的电子元件(10)，其特征在于用于形成自组装单层的有机分子选自一种或多
6.根据权利要求5的电子元件(10)，其中式I中的基团T是指3至10元饱和或部分不饱和的脂族环，其中至少一个-CH2-基团被-O-、-S-、-NRx-、-S(O)-、-SO2-、-NRx-或-N(O)Rx-替代，或其中至少一个-CH＝基团被-N＝替代。
7.式IA的化合物
8.根据权利要求7的化合物，其中所述化合物选自式IA-1a至IA-1f
9.根据权利要求7或8的化合物，其中
10.根据权利要求7的化合物，其中所述化合物选自式IA-2的化合物
11.根据权利要求10的式IA-2的化合物，其中
12.生产根据权利要求1至6任一项的包含多个单元(100)的电子元件(10)的方法，其特征在于所述方法包含：
13.根据权利要求12的方法，其特征在于在根据步骤B)形成第一电极层(14)或根据步骤D)形成附加电极层(22)之后并且在根据步骤C)形成分子单层(20)之前，沉积二极管层结构或阈值开关结构形式的选择器装置(108)。
14.根据权利要求12或13的方法，其特征在于由介电材料(18)分隔的电极线(30、31)的第一电极层(14)和/或附加电极层(22)的形成包含以下步骤：
15.根据权利要求14的方法，其特征在于非电极区域(32)中的电极材料(16)的除去或电极区域(34)中的介电材料(18)的除去通过限定要除去的区域并蚀刻的光刻方法进行。
16.根据权利要求12至15任一项的方法，其特征在于介电材料(18)和/或基础衬底(12)的材料选自SiO2、ZrO2、金刚石、Al2O3或GaN。
17.根据权利要求14或15的方法，其特征在于介电材料(18)和/或电极材料(16)的沉积借助物理气相沉积、化学气相沉积、化学溶液沉积、原子层沉积、微接触或转移印刷或溶胶-凝胶法进行。
18.根据权利要求12至17任一项的方法，其特征在于用分子单层(20)涂布包含以下步骤：
19.根据权利要求18的方法，其特征在于预处理借助UV-臭氧处理进行。
20.根据权利要求18或19的方法，其特征在于所述溶液是用于形成自组装单层的分子的膦酸和溶剂的混合物。
21.根据权利要求18至20任一项的方法，其特征在于用于形成自组装单层的有机分子选自一种或多种如权利要求5中定义的式I的化合物。
22.根据权利要求18至21任一项的方法，其特征在于退火在50℃至250℃的温度下进行1分钟至60分钟的时间。
23.根据权利要求1至6任一项的电子元件(10)或借助根据权利要求6至17任一项的方法获得的电子元件(10)作为存储器件和/或作为神经网络器件的用途，在所述存储器件中电子元件(10)的单元(100)充当存储单元，在所述神经网络器件中电子元件(10)的单元(100)充当突触。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.电子元件(10)，其包含以单元(100)的三维阵列布置的多个单元(100)，其中所述单元(100)位于两个交叉电极线(30、31)之间的交叉处，其特征在于各单元(100)以此顺序包含第一电极(102)、分子层(20)的一部分(104)和第二电极(106)，其中分子层(20)是具有借助构象柔性单元连接至偶极单元的锚固基团的有机分子的自组装单层。
2.根据权利要求1的电子元件(10)，其特征在于各单元(100)进一步包含二极管、阈值开关或晶体管作为选择器装置(108)。
3.根据权利要求2的电子元件(10)，其中所述选择器装置(108)配置为有机分子的另一自组装单层或配置为布置在分子层与第一电极或第二电极之间的无机二极管。
4.根据权利要求1至3任一项的电子元件(10)，其特征在于各单元(100)的第一电极(102)和/或第二电极(106)由金属、导电合金、导电陶瓷、半导体、导电氧化物材料、导电或半导电有机分子或层状导电2d材料制成。
5.根据权利要求1至4任一项的电子元件(10)，其特征在于用于形成自组装单层的有机分子选自一种或多种式i的化合物
6.根据权利要求5的电子元件(10)，其中式i中的基团t是指3至10元饱和或部分不饱和的脂族环，其中至少一个-ch2-基团被-o-、-s-、-nrx-、-s(o)-、-so2-、-nrx-或-n(o)rx-替代，或其中至少一个-ch＝基团被-n＝替代。
7.式ia的化合物
8.根据权利要求7的化合物，其中所述化合物选自式ia-1a至ia-1f
9.根据权利要求7或8的化合物，其中
10.根据权利要求7的化合物，其中所述化合物选自式ia-2的化合物
11.根据权利要求10的式ia-2的化合物，其中
12.生产根据权利要求1至6任一项的包含多个单元(100)的电子元件(10)的方法，其特征在于所述方法包含：
13.根据权利要求12的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·科尔施，S·雷希，H·塞姆，M·托尔诺，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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