【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种研磨装置。
技术介绍
1、在半导体器件的制造工序中，器件表面的平坦化技术变得越来越重要。该平坦化技术中，最重要的技术是化学机械研磨(chemical mechanical polishing或cmp)。该化学机械研磨(以下，称作cmp)使用研磨装置一边向研磨垫供给包含二氧化硅(sio2)、氧化铈(ceo2)等磨粒的研磨液(浆料)，一边使晶片等基板与研磨面滑动接触而进行研磨。
2、在半导体器件的制造中，cmp(chemical mechanical polishing)装置在研磨基板的表面的工序中使用。cmp装置用研磨头保持基板并使基板旋转，进而将基板按压于旋转的研磨台上的研磨垫，从而对基板的表面进行研磨。在基板的研磨中，向研磨垫供给研磨液(浆料)，基板的表面通过研磨液的化学性作用和研磨液所含的磨粒的机械性作用而被平坦化。
3、基于研磨液的化学性作用具有按照阿伦尼乌斯方程的温度依存性。因此，基板的研磨率依存于基板的表面温度。因此，为了提高控制研磨率的精度，基板的表面温度是重要的因素之一。因此，研究...
【技术保护点】
1.一种研磨装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种研磨装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
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