【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磨削加工，具体涉及一种晶圆研磨装置及研磨工艺。
技术介绍
1、晶圆是半导体的基础，半导体集成电路的产生是通过在晶圆的薄基板上制造多个相同电路来实现的。而切割后的晶圆表面有瑕疵且粗糙，会影响电路的精密度，因此需要采用cmp工艺对其进一步加工，即采用抛光液和cmp设备将晶圆表面研磨至光滑，为了避免过磨导致抛光质量及晶圆利用率的降低，采用保持环对晶圆起到固定作用，将边缘的抛光垫和晶圆以下的抛光垫按压到同样的高度，能够有效地解决边缘过磨的问题。
2、现有技术中，保持环上通常开设有沟槽，便于抛光液的吸入和排出。例如授权公告号为cn113276018b的专利技术专利就公开了一种化学机械抛光用保持环，保持环本体上若干组沟槽，每组沟槽包括倾斜方向相反且相互独立的引液槽和排屑槽，但是引液槽和排液槽与保持环外圈连通的一端距离较近，会增加排液槽排出的抛光液再次通过引液槽进入保持环内的几率，影响抛光效果。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种晶圆研磨装置及研磨工艺，以解决现有技术中保持环...
【技术保护点】
1.一种晶圆研磨装置，其特征在于：包括基座、平台、抛光头和保持环；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨装置，其特征在于：引液槽和排液槽均包括依次连通的第一槽段、过渡段和第二槽段，第一槽段和第二槽段平行且位于不同高度，过渡段与第一槽段和第二槽段的夹角均大于等于90°；引液槽的第一槽段与保持环的外圈连通，引液槽的第二槽段与保持环的内圈连通，且引液槽的第一槽段低于引液槽的第二槽段；排液槽的第一槽段与保持环的内圈连通，排液槽的第二槽段与保持环的外圈连通，且排液槽的第一槽段低于排液槽的第二槽段；引液槽和排液槽的过渡段交叉分布。
3.根据权利要求2所述的...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨装置，其特征在于：包括基座、平台、抛光头和保持环；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨装置，其特征在于：引液槽和排液槽均包括依次连通的第一槽段、过渡段和第二槽段，第一槽段和第二槽段平行且位于不同高度，过渡段与第一槽段和第二槽段的夹角均大于等于90°；引液槽的第一槽段与保持环的外圈连通，引液槽的第二槽段与保持环的内圈连通，且引液槽的第一槽段低于引液槽的第二槽段；排液槽的第一槽段与保持环的内圈连通，排液槽的第二槽段与保持环的外圈连通，且排液槽的第一槽段低于排液槽的第二槽段；引液槽和排液槽的过渡段交叉分布。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆研磨装置，其特征在于：引液槽的第一槽段和排液槽的第一槽段均与保持环的下侧面连通。
4.根据权利要求2所述的一种晶圆研磨装置，其特征在于：沿抛光头的转动方向，引液槽的第一槽段的远离过渡段的一端位于靠近过渡段的一端的前侧，排液槽的第一槽段的远离过渡段的第一端位于靠近过渡段的...
【专利技术属性】
技术研发人员：马灵箭，熊伟，童媛，黄涛，
申请(专利权)人：江苏中科智芯集成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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