【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在倒装芯片激光键合工艺中在半导体芯片受压的状态下辐射激光束的键合工具，更具体地，涉及一种在半导体芯片受压的状态下通过将键合工艺期间由于激光传输而产生的热量均匀地分布到半导体芯片的整个区域来提高键合质量的键合工具。
技术介绍
1、通常，通过使称为无pb或cu柱的凸块经历对流回流来进行倒装芯片键合工艺，并且由于这种回流方法的性质，同时向基板和半导体芯片施加热量，从而引起不希望的问题。当对基板加热时，基板膨胀，从而由于半导体芯片和基板之间的热膨胀系数的差异而损坏半导体芯片的凸块或精细电路层，并且进一步由于半导体芯片的翘曲而导致的将半导体芯片异常键合到基板而引起缺陷，这是最严重的问题。
2、当没有适当地执行数千至数万个凸块中的任何一个的钎焊时，半导体芯片封装可能发生故障，因此，已经进行了许多努力来防止凸块在回流工艺期间被损坏。
3、为了解决这些问题，已经研究了激光辅助键合技术。回流工艺通常进行5-7分钟，而使用激光的激光辅助键合是通过仅对半导体芯片加热每区域1-5秒的非常短的时间来进行的。因此，半导体芯...
【技术保护点】
1.一种倒装芯片激光键合设备的键合工具，包括键合工具，被配置为在通过真空吸附固定半导体芯片之后将所述半导体芯片按压到基板上；激光发生器，安装在所述键合工具上方，并且被配置为辐射激光束以在所述半导体芯片和所述基板之间进行键合；和非接触温度计，被配置为监测所述半导体芯片的表面的温度；
2.根据权利要求1所述的键合工具，其中，所述接触凸起独立地形成为与所述接触凸起中的相应的相邻接触凸起间隔开，并且被配置为使得形成在所述键合工具的中心处的所述接触凸起的横截面面积相对较大，并且当所述接触凸起更靠近所述键合工具的外部时，所述接触凸起的所述横截面面积逐渐减小。
<...【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片激光键合设备的键合工具，包括键合工具，被配置为在通过真空吸附固定半导体芯片之后将所述半导体芯片按压到基板上；激光发生器，安装在所述键合工具上方，并且被配置为辐射激光束以在所述半导体芯片和所述基板之间进行键合；和非接触温度计，被配置为监测所述半导体芯片的表面的温度；
2.根据权利要求1所述的键合工具，其中，所述接触凸起独立地形成为与所述接触凸起中的相应的相邻接触凸起间隔开，并且被配置为使得形成在所述键合工具的中心处的所述接触凸起的横截面面积相对较大，并且当所述接触凸起更靠近所述键合工具的外部时，所述接触凸起的所述横截面面积逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的键合工具，其中，所述接触凸起独立地形成为与所述接触凸起中的相应的相邻接触凸起间隔开，并且被配置为使得其横截面面积相同，并且当所述接触凸起从所述键合工具的中心更靠近所述键合工具的外部时，所述凸起中相应的相邻凸起之间的间隔逐渐增大。
4.根据权利要求1所述的键合工具，其中，所述接触凸起独立地形成为与所述接触凸起中的相应的相邻接触凸起间隔开，并且被配置为使得当所述接触凸起从所述键合工具的中心更靠近所述键合工具的外部时，所述凸起中相应的相邻凸起之间的间隔逐渐增大，并且当所述接触凸起从所述键合工具的所述中心更靠近所述键合工具的所述外部时，所述接触凸起的横截面面积逐渐减小。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的键合工具，其中，所述接触凸起具...
【专利技术属性】
技术研发人员：康贤谷，
申请(专利权)人：苏州正齐半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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