一种硼扩散的掺杂方法、太阳能电池及制备方法技术

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉一种硼扩散的掺杂方法、太阳能电池及制备方法；所述掺杂方法包括：使硅基体表面形成P+掺杂层；对P+掺杂层进行SE激光处理，以在硅基体表面形成P++掺杂层；对P++掺杂层进行氧化推进，并通入硼源进行第一硼扩散，以实现硼的深度扩散，得到含硼扩散SE结构的N型硼扩散硅基体；通过在太阳能电池的制备阶段，在形成的p+掺杂层上进行SE激光处理，可以区别形成SE结构的p++区与非SE结构的p+区，再在后氧化工序的氧化推进中加入硼源进行二次硼扩散，增加替位硼原子的有效掺杂量，在p+区内的低掺杂使得表面复合速率较低，而p++区内的高掺杂有利于后续形成良好的欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，尤其涉一种硼扩散的掺杂方法、太阳能电池及制备方法。

技术介绍

1、现阶段的二次硼扩路线(前硼扩→se激光→后氧化)在后氧化工序中氧化推进之后，由于硼硅玻璃层(bsg)的生长，p+区和p++区的表面溶度、peak点溶度会大幅下降，金属半导体接触几乎没有得到改善，导致目前topcon+se技术均无法完全发挥出se的技术优势，这使得现有技术距离se技术提效0.4％甚至更高效率的目标仍有不小空间。

2、而在太阳能电池的制备阶段，要使正面银浆形成有效的接触，这要求p++区的硼掺杂量要达到e19量级，现状是硼掺杂p++区的peak点溶度在e18量级，因此一般正面银浆无法形成良好的欧姆接触，导致太阳能电池的工作效率较低。

技术实现思路

1、本申请提供了一种硼扩散的掺杂方法、太阳能电池及制备方法，以解决现有技术中正面银浆难以形成良好欧姆接触的技术问题。

2、第一方面，本申请提供了一种硼扩散的掺杂方法，所述掺杂方法包括：

3、使硅基体表面形成p+掺杂层；

4本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硼扩散的掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括：

2.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述第一硼扩散的温度为800℃～850℃。

3.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述硼源包括三氯化硼。

4.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述SE激光处理的光栅线宽度为70μm～90μm。

5.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述P+掺杂层的方阻为220Ω/sqr～300Ω/sqr；和/或，

6.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述P++掺杂层的Peak点溶度≥4E19；和/或，...

【技术特征摘要】

1.一种硼扩散的掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括：

2.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述第一硼扩散的温度为800℃～850℃。

3.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述硼源包括三氯化硼。

4.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述se激光处理的光栅线宽度为70μm～90μm。

5.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述p+掺杂层的方阻为220ω/sqr～300ω/sqr；和/或，

6.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述p++掺杂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志锋，余竹云，朱玉娟，李钡，纪桂平，张明涛，金雪虎，姜海洋，
申请(专利权)人：中环新能安徽先进电池制造有限公司，
类型：发明
国别省市：