【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，尤其涉一种硼扩散的掺杂方法、太阳能电池及制备方法。
技术介绍
1、现阶段的二次硼扩路线(前硼扩→se激光→后氧化)在后氧化工序中氧化推进之后，由于硼硅玻璃层(bsg)的生长，p+区和p++区的表面溶度、peak点溶度会大幅下降，金属半导体接触几乎没有得到改善，导致目前topcon+se技术均无法完全发挥出se的技术优势，这使得现有技术距离se技术提效0.4％甚至更高效率的目标仍有不小空间。
2、而在太阳能电池的制备阶段，要使正面银浆形成有效的接触，这要求p++区的硼掺杂量要达到e19量级，现状是硼掺杂p++区的peak点溶度在e18量级，因此一般正面银浆无法形成良好的欧姆接触，导致太阳能电池的工作效率较低。
技术实现思路
1、本申请提供了一种硼扩散的掺杂方法、太阳能电池及制备方法，以解决现有技术中正面银浆难以形成良好欧姆接触的技术问题。
2、第一方面，本申请提供了一种硼扩散的掺杂方法，所述掺杂方法包括：
3、使硅基体表面形成p+掺杂层；
4、对所述p+掺杂层进行se激光处理，以在所述硅基体表面形成p++掺杂层；
5、对所述p++掺杂层进行氧化推进，并通入硼源进行第一硼扩散，以实现硼的深度扩散，得到含硼扩散se结构的n型硼扩散硅基体。
6、可选的，所述第一硼扩散的温度为800℃～850℃。
7、可选的，所述硼源包括三氯化硼。
8、可选的，所述se激光处理的光栅线宽度为
9、可选的，所述p+掺杂层的方阻为220ω/sqr～300ω/sqr；和/或，
10、所述p++掺杂层的方阻为70ω/sqr～100ω/sqr。
11、可选的，所述p++掺杂层的peak点溶度≥4e19；和/或，
12、所述p++掺杂层的结深为1.7μm～1.9μm。
13、可选的，所述方法还包括：
14、对硅基体表面进行制绒处理，并在制绒后的所述硅基体单面进行第二硼扩散，以在所述硅基体表面形成p+掺杂层。
15、第二方面，本申请提供了一种topcon电池，所述topcon电池包括第一方面所述的掺杂方法制备得到的n型硼扩散硅基体。
16、可选的，所述n型硼扩散硅基体中硅基体的厚度为80μm～200μm，所述n型硼扩散硅基体中硅基体的电阻率为0.5ω·cm～5ω·cm。
17、第三方面，本申请提供了一种制备第二方面所述的topcon电池的制备方法，所述制备方法包括：
18、对第一方面所述的掺杂方法制备得到的n型硼扩散硅基体进行湿法除杂，得到n型硼扩散片；
19、对所述n型硼扩散片进行二氧化硅隧穿层和多晶硅层的生长，后进行磷扩散和多晶硅的掺杂，得到第一硅基体；
20、在所述多层硅基体的表面进行清洗，并依次进行氧化硅钝化层、氧化铝钝化层与氮化硅层的制备，得到第二硅基体；
21、在所述第二硅基体的表面进行丝网印刷，并进行烘干，得到topcon电池；
22、其中，所述丝网印刷的印刷图形与所述se激光处理的图案相同。
23、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
24、本申请实施例提供的一种硼扩散的掺杂方法，通过在太阳能电池的制备阶段，在形成的p+掺杂层上进行se激光处理，可以区别形成se结构的p++区与非se结构的p+区，再在后氧化工序的氧化推进中加入硼源进行二次硼扩散，从而增加替位硼原子的有效掺杂量，而由于se激光处理后硼的掺杂量在p++区内相比p+区内的高，因此在p+区内的低掺杂使得表面复合速率较低，而p++区内的高掺杂有利于后续形成良好的欧姆接触，以此提高se处理的效率，从而提高电池的工作效率。
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1.一种硼扩散的掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括：
2.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述第一硼扩散的温度为800℃～850℃。
3.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述硼源包括三氯化硼。
4.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述SE激光处理的光栅线宽度为70μm～90μm。
5.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述P+掺杂层的方阻为220Ω/sqr～300Ω/sqr；和/或，
6.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述P++掺杂层的Peak点溶度≥4E19；和/或，
7.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.一种TOPCon电池，其特征在于，所述TOPCon电池包括权利要求1-7任一项所述的掺杂方法制备得到的N型硼扩散硅基体。
9.根据权利要求8所述的TOPCon电池，其特征在于，所述N型硼扩散硅基体中硅基体的厚度为80μm～200μm，所述N型硼扩散硅基体中硅基体的电阻率为0.5Ω·cm～5Ω·cm。
10.一种制备如权利要求8或9所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种硼扩散的掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括：
2.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述第一硼扩散的温度为800℃～850℃。
3.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述硼源包括三氯化硼。
4.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述se激光处理的光栅线宽度为70μm～90μm。
5.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述p+掺杂层的方阻为220ω/sqr～300ω/sqr；和/或，
6.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，所述p++掺杂层...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志锋，余竹云，朱玉娟，李钡，纪桂平，张明涛，金雪虎，姜海洋，
申请(专利权)人：中环新能安徽先进电池制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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