【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，尤其涉及钝化接触技术。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，即俗称的topcon电池的制作主要是将超薄隧穿氧化层与重掺杂的多晶硅层相结合沉积在硅衬底表面。硅衬底和多晶硅层之间的界面复合可以通过氧化硅的化学钝化作用降低。在这种钝化接触的结构中多数载流子以隧穿的方式实现输运，而少子则因为势垒和多晶硅的场效应作用无法穿过，故此种结构称之为钝化接触结构。topcon电池传统的钝化接触结构一般是在n型硅基底生长厚度约1-5nm的超薄sio2层钝化硅基底表面；然后再超薄氧化层上生长磷掺杂多晶硅层实现载流子的选择性传输。
2、topcon电池工作过程中，入射光经过pn结后，大部分可见光被吸收，剩余的红外光经过掺杂多晶硅薄膜后，会被减反射层反射并回到pn结。然而，掺杂多晶硅薄膜有较高的光吸收，造成长波段的红外光的能量损失；另外，多晶硅薄膜的导电性取决于掺杂浓度，较好的导电性必须有相对高的掺杂浓度，而高掺杂浓度时掺杂原子的扩散能力更强，在高温退火步骤时容易被推进到基底，造成俄歇复合的增加从而降低电池的性能，这又不得不把掺杂多晶硅层的厚度做得很厚，进一步导致能量损失。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种钝化接触结构及制备方法、钝化接触电池，以解决掺杂多晶硅薄膜光吸收较高、造成能量损失的技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种钝化接触结构，所述钝化接触结构包括：
3、n型硅片，所述n型硅片的一面为抛光面；
4、依序
5、在本申请的一些实施例中，所述隧穿氧化层的厚度为1～10nm。
6、在本申请的一些实施例中，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为10～120nm；和/或，
7、所述磷掺杂多晶硅层的磷原子掺杂浓度不高于2e20。
8、在本申请的一些实施例中，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为90～100nm。
9、在本申请的一些实施例中，所述金属薄膜层的材料为银、铜、铝中的一种；和/或，
10、所述金属薄膜层的厚度为10～100nm。
11、第二方面，本申请实施例提供一种钝化接触结构的制备方法，所述钝化接触结构的制备方法包括如下步骤：
12、提供具有抛光面的n型硅片；
13、在所述抛光面上依序制备隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、金属薄膜层。
14、在本申请的一些实施例中，所述金属薄膜层的材料为银、铜、铝中的一种；和/或，
15、所述隧穿氧化层的厚度为1～10nm；和/或，
16、所述磷掺杂多晶硅层的厚度为10～120nm；和/或，
17、所述金属薄膜层的厚度为10～100nm。
18、在本申请的一些实施例中，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为90～100nm。
19、在本申请的一些实施例中，所述金属薄膜层通过蒸镀工艺或原子沉积工艺制备。
20、第三方面，本申请实施例提供一种钝化接触电池，所述钝化接触电池包括：
21、第一方面任一实施例所述的钝化接触结构，或者第二方面任一实施例所述的方法制备得到的钝化接触结构，其中，所述n型硅片的另一面为绒面；
22、设置在所述金属薄膜层上的第一减反射层；
23、嵌入所述钝化接触结构、并与所述磷掺杂多晶硅层形成电接触的第一电极；
24、依序设置在所述绒面上的硼掺杂氧化层、钝化层和第二减反射层；
25、嵌入所述第二减反射层、钝化层和硼掺杂氧化层中、并与所述硼掺杂氧化层和所述n型硅片之间形成电接触的第二电极。
26、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
27、本申请实施例提供的钝化接触结构，通过在所述磷掺杂多晶硅层上增加一层金属薄膜层，金属薄膜层一方面可以增强磷掺杂多晶硅层的导电性能，从而使得磷掺杂多晶硅层不必维持高的掺杂浓度，因而掺杂原子被推进到n型硅片的风险降低，这使得掺杂多晶硅层的厚度可以相应减薄，从而可以降低其对红外光的吸收；同时，金属薄膜层对红外光具有高反射率，这进一步增加了红外光的吸收利用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种钝化接触结构，其特征在于，所述钝化接触结构包括：
2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1～10nm。
3.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为10～120nm；和/或，
4.根据权利要求3所述的钝化接触结构，其特征在于，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为90～100nm。
5.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述金属薄膜层的材料为银、铜、铝中的一种；和/或，
6.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述钝化接触结构的制备方法包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜层的材料为银、铜、铝中的一种；和/或，
8.根据权利要求7所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为90～100nm。
9.根据权利要求6所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜层通过蒸镀工艺或原子沉积工艺制备。
10.一种钝化接触电池，其
...【技术特征摘要】
1.一种钝化接触结构，其特征在于，所述钝化接触结构包括：
2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1～10nm。
3.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为10～120nm；和/或，
4.根据权利要求3所述的钝化接触结构，其特征在于，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为90～100nm。
5.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于，所述金属薄膜层的材料为银、铜、铝中的一种；和/或，
6.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志锋，李钡，王佳丽，张明涛，周池池，黄伟，杨红山，
申请(专利权)人：中环新能安徽先进电池制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。