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本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉一种硼扩散的掺杂方法、太阳能电池及制备方法；所述掺杂方法包括：使硅基体表面形成P+掺杂层；对P+掺杂层进行SE激光处理，以在硅基体表面形成P++掺杂层；对P++掺杂层进行氧化推进，并通入硼源进行第一硼扩散...
该专利属于中环新能（安徽）先进电池制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环新能（安徽）先进电池制造有限公司授权不得商用。

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