前端微腔制造技术

本发明专利技术涉及一种在例如ＣＭＯＳ工艺的工艺中形成微腔的方法，优选地包括微机电系统（ＭＥＭＳ）。ＭＥＭＳ谐振器正在许多研究小组中被集中研究，并且近期一些第一批产品已经被发布。这种类型的器件提供高品质因数（Ｑ－ｆａｃｔｏｒ）、小尺寸、高度集成和潜在的低成本。这些器件预计可代替高精度振荡器中的大体积的石英晶体，也可被用作ＲＦ滤波器。振荡器可被用在计时和频率参考应用中，诸如移动电话、包括蓝牙模块的装置以及其他数字和电信装置中的ＲＦ模块。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在ＣＭＯＳ工艺中形成一个或更多个微腔（１３４）的方法，每一个微腔包括微机电系统（ＭＥＭＳ），该ＣＭＯＳ工艺进一步形成至少一个半导体元件，并具有共同的工艺步骤，该方法包括：－提供衬底（１００），该衬底具有用于容纳所述至少一个半导体元件的正面、以及背面，－在衬底（１００）的正面沉积电介质层（１０１），－在所述电介质层（１０１）上沉积硅层（１０２），－在所述硅层（１０２）中形成一组一个或更多个正面释放开口（１１４，１１５），所述释放开口选自沟槽、通道、孔及其组合构成的组，－在所述硅层（１０２）中形成电介质结构（１２１），并且采用电介质材料填充正面一组的一个或更多个释放开口（１１４，１１５），使得在释放之前微腔（１３４）包括电介质材料，－采用金属或多晶硅层（１０５）对电介质结构（１２１）加帽盖，电介质结构（１２１）将成为微腔（１３４），－在所述至少一个半导体元件的形成完成之后释放微腔（１３４），其中释放微腔包括－通过以下步骤，提供穿过衬底（１００）的所述背面的一组一个或更多个背面释放开（１２４），所述释放开口选自沟槽、通道、孔及其组合构成的组，－在ＭＥＭＳ器件下方，一直向上穿过到达电介质层（１０１），穿过衬底（１００）的所述背面，蚀刻所述一组一个或更多个背面释放开口（１２４），其中所述蚀刻选自湿法或蒸汽ＨＦ蚀刻，－在所述硅层（１０２）中所述一组一个或更多个正面释放开口（１１４，１１５）中去除电介质材料，并且在所述硅层（１０２）中去除电介质结构，从而释放微腔（１３４）。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：帕图斯胡贝图斯柯奈利斯马尼，杨雅可比科宁，约瑟夫托马斯马蒂纳斯范贝克，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]