一种宽输入范围预稳压电源电路制造技术

本发明专利技术公开一种宽输入范围预稳压电源电路，属于集成电路领域，包括NMOS管MN1～MN3、二极管D1～D2、电阻R1～R6、电容C1～C2、齐纳管ZN1～ZN6。电路预稳压电压通过齐纳基准源实现，其电压约等于齐纳管ZN6的击穿电压；NMOS管MN1～MN3通过串接方式连接，提高电路的最高输入电压；二极管D1、D2与齐纳管ZN1串联，产生NMOS管MN3栅极的偏置电压，电阻R1使齐纳管ZN1进入击穿状态，电容C1为NMOS管MN3栅极电压提供滤波；电阻R2、R3、R4使齐纳管ZN2处于击穿状态并产生NMOS管MN1、MN2的栅极偏置电压；齐纳管ZN3、ZN4、ZN5分别将NMOS管MN1、MN2、MN3的栅源电压钳制在5V左右，防止NMOS器件栅源击穿失效；电阻R5对齐纳管预稳压主通路进行限流；电阻R6为预稳压电压提供直流负载，电容C2对预稳压电压进行滤波。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种宽输入范围预稳压电源电路。

技术介绍

1、预稳压电路位于供电电源和被电源供电的电路之间，是电路的次级电源。面对噪声干扰过大和总是跳动不定的主电源，预稳压模块可以提供一种缓冲隔离，经过预稳压处理后的电源波动范围大大降低。通过这种技术可以显著提高电路的电源抑制比，提高工作性能。

2、目前通常采用基于齐纳基准源的预稳压电路，如图1所示，包括pmos晶体管mp1～mp3；nmos晶体管mn1～mn6；二极管d1～d3；电阻r1～r5；电容c1。该电路中nmos晶体管mn1、mn2、电阻r5构成启动电路，使电路脱离“简并”偏置点；晶体管mn3、mn4、mp1、mp2、电阻r3构成简易差分对器件，对齐纳管z1提供偏置使齐纳管反向击穿，击穿电压5.6v左右；经过晶体管mn6、mn5分别增减一个阈值电压vthn，所以输出预稳压电压也在5.6v左右；电阻r1、r2、r4配置合适的工作点关断启动电路；二极管d1、d2、d3单向导通保证外部en电压不会影响预稳压电路。

3、该技术存在以下缺点：>

4、(1)、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽输入范围预稳压电源电路，其特征在于，包括NMOS管MN1～MN3、二极管D1～D2、电阻R1～R6、电容C1～C2、齐纳管ZN1～ZN6；

2.如权利要求1所述的宽输入范围预稳压电源电路，其特征在于，所述电阻R1的第一端、所述电阻R2的第一端和所述电阻R5的第一端均连接输入电压VIN。

3.如权利要求1所述的宽输入范围预稳压电源电路，其特征在于，所述齐纳管ZN1的正极、所述电容C1的第二端、所述齐纳管ZN6的正极、所述电阻R6的第二端和所述电容C2的第二端均接地。

4.如权利要求1所述的宽输入范围预稳压电源电路，其特征在于，所述NMOS管MN...

【技术特征摘要】

1.一种宽输入范围预稳压电源电路，其特征在于，包括nmos管mn1～mn3、二极管d1～d2、电阻r1～r6、电容c1～c2、齐纳管zn1～zn6；

2.如权利要求1所述的宽输入范围预稳压电源电路，其特征在于，所述电阻r1的第一端、所述电阻r2的第一端和所述电阻r5的第一端均连接输入电压vin。

【专利技术属性】
技术研发人员：邱旻韡，屈柯柯，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：