【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于集成电路领域，特别是关于一种ldo电路。
技术介绍
1、目前，soc(系统级芯片)整体趋向于低功耗的应用场景，与此同时对ldo静态功耗的要求越来越高，如ldo电路处于dropout(深线性)区域时静态功耗也需要尽可能的小。
2、图1示出的是一种传统ldo架构，通过电阻rf1和电阻rf2形成一个闭环负反馈电路，实现vout＝vref*(1+rf1/rf2)，当mos管mp0与mos管mp1处于饱和区时，我们近似认为两者是电流镜关系，因此mos管mn0、mos管mp0上的支路电流跟ldo电路的负载电流成线性关系；当ldo电路处于dropout区时，ldo电路的闭环稳定系统被破坏，放大器ea的输出为高，此时可以认为mos管mn0与mos管mp0组成电阻+mos管结构，此时的支路电流较大且与ldo电路的负载电流无关。
3、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种ldo电路，其能够降低静态功耗，同时有利于提高处于dropout区的ldo电路的linetran(线性)性能。
2、为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种ldo电路，包括：第一差分放大器、功率管、第一电流镜单元、输出管、分压单元、电流采样镜像单元和控制单元；
3、所述功率管的控制端与第一差分放大器的输出端相
4、所述分压单元基于ldo电路的输出电压产生分压信号，所述第一差分放大器基于参考电压和分压信号产生控制电压以控制功率管的开启和关断；
5、所述第一电流镜单元基于流过功率管的第一电流产生第二电流，所述电流采样镜像单元对输出管上的负载电流进行采样并产生第三电流，所述控制单元基于第二电流和第三电流的控制以控制功率管的控制端和地电压之间的通断。
6、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第一电流镜单元包括第一mos管和第二mos管，所述第一mos管的控制端、第二mos管的控制端与输出管的控制端相连，所述第一mos管的第二端和第二mos管的第二端与电源电压相连，所述第一mos管的第一端与第一mos管的控制端相连，所述第一mos管的第一端与功率管的第一端相连，所述第二mos管的第一端与电流采样镜像单元以及控制单元相连。
7、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第一mos管和第二mos管的宽长比之比为k1：1。
8、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述电流采样镜像单元包括采样单元和第二电流镜单元，所述采样单元用于采集输出管上的负载电流而产生采样电流，所述第二电流镜单元用于镜像采样电流而产生第三电流。
9、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述采样单元包括第三mos管、第四mos管和第二差分放大器，所述第三mos管的控制端与输出管的控制端相连，所述第三mos管的第二端与电源电压相连，所述第三mos管的第一端与第二差分放大器的第一输入端相连，所述第二差分放大器的第二输入端与输出管的第一端相连，所述第四mos管的第二端与第二差分放大器的第一输入端相连，所述第四mos管的控制端与第二差分放大器的输出端相连，所述第四mos管的第一端与第二电流镜单元相连并输出采样电流。
10、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第二电流镜单元包括第五mos管和第六mos管，所述第五mos管的第一端与第五mos管的控制端以及采样单元相连以接收采样电流，所述第六mos管的控制端与第五mos管的控制端相连，所述第六mos管的第一端与第一电流镜单元以及控制单元相连，所述第五mos管的第二端和第六mos管的第二端与地电压相连。
11、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第三mos管和输出管的宽长比之比为k2：1。
12、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第一mos管和输出管的宽长比之比为1：k3。
13、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述控制单元包括开关管，所述开关管的第一端与功率管的控制端相连，所述开关管的第二端与地电压相连，所述开关管的控制端与第一电流镜单元和电流采样镜像单元相连。
14、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述分压单元包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的第一端与输出管的第一端相连以形成ldo电路的输出端，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端相连以输出分压信号，所述第二电阻的第二端与地电压相连。
15、与现有技术相比，根据本专利技术实施例的ldo电路，在ldo电路工作于dropout区时，通过将第一电流镜单元基于流过功率管的第一电流产生的第二电流与第二电流镜单元复制传输的第三电流进行比较，通过比较产生的信号控制控制单元的开启，从而对第一电流进行控制，避免ldo电路工作于dropout区时静态功耗较大的情况，同时有利于提高处于dropout区的ldo电路的linetran性能。
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1.一种LDO电路，其特征在于，包括：第一差分放大器、功率管、第一电流镜单元、输出管、分压单元、电流采样镜像单元和控制单元；
2.如权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的控制端、第二MOS管的控制端与输出管的控制端相连，所述第一MOS管的第二端和第二MOS管的第二端与电源电压相连，所述第一MOS管的第一端与第一MOS管的控制端相连，所述第一MOS管的第一端与功率管的第一端相连，所述第二MOS管的第一端与电流采样镜像单元以及控制单元相连。
3.如权利要求2所述的LDO电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管的宽长比之比为k1：1。
4.如权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述电流采样镜像单元包括采样单元和第二电流镜单元，所述采样单元用于采集输出管上的负载电流而产生采样电流，所述第二电流镜单元用于镜像采样电流而产生第三电流。
5.如权利要求4所述的LDO电路，其特征在于，所述采样单元包括第三MOS管、第四MOS管和第二差分放大器，所述第三MOS管的控制端
6.如权利要求4所述的LDO电路，其特征在于，所述第二电流镜单元包括第五MOS管和第六MOS管，所述第五MOS管的第一端与第五MOS管的控制端以及采样单元相连以接收采样电流，所述第六MOS管的控制端与第五MOS管的控制端相连，所述第六MOS管的第一端与第一电流镜单元以及控制单元相连，所述第五MOS管的第二端和第六MOS管的第二端与地电压相连。
7.如权利要求5所述的LDO电路，其特征在于，所述第三MOS管和输出管的宽长比之比为k2：1。
8.如权利要求2所述的LDO电路，其特征在于，所述第一MOS管和输出管的宽长比之比为1：k3。
9.如权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述控制单元包括开关管，所述开关管的第一端与功率管的控制端相连，所述开关管的第二端与地电压相连，所述开关管的控制端与第一电流镜单元和电流采样镜像单元相连。
10.如权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述分压单元包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的第一端与输出管的第一端相连以形成LDO电路的输出端，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端相连以输出分压信号，所述第二电阻的第二端与地电压相连。
...【技术特征摘要】
1.一种ldo电路，其特征在于，包括：第一差分放大器、功率管、第一电流镜单元、输出管、分压单元、电流采样镜像单元和控制单元；
2.如权利要求1所述的ldo电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括第一mos管和第二mos管，所述第一mos管的控制端、第二mos管的控制端与输出管的控制端相连，所述第一mos管的第二端和第二mos管的第二端与电源电压相连，所述第一mos管的第一端与第一mos管的控制端相连，所述第一mos管的第一端与功率管的第一端相连，所述第二mos管的第一端与电流采样镜像单元以及控制单元相连。
3.如权利要求2所述的ldo电路，其特征在于，所述第一mos管和第二mos管的宽长比之比为k1：1。
4.如权利要求1所述的ldo电路，其特征在于，所述电流采样镜像单元包括采样单元和第二电流镜单元，所述采样单元用于采集输出管上的负载电流而产生采样电流，所述第二电流镜单元用于镜像采样电流而产生第三电流。
5.如权利要求4所述的ldo电路，其特征在于，所述采样单元包括第三mos管、第四mos管和第二差分放大器，所述第三mos管的控制端与输出管的控制端相连，所述第三mos管的第二端与电源电压相连，所述第三mos管的第一端与第二差分放大器的第一输入端相连，所述第二差分放大器的第二输入端与输出管的第一端相连，所述第四mos管的第二端与...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱田友，柯可人，吴东铭，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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