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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及激光加工装置、激光加工方法和电子器件的制造方法。
技术介绍
1、近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长大约为248.0nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长大约为193.4nm的激光的arf准分子激光装置。
2、krf准分子激光装置和arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽,大约为350pm~400pm。因此,在利用使krf和arf激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时,有时产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时设置有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowingmodule:lnm)。下面,将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本特开2017-186185号公报
6、专利文献2:美国专利第9168614号说明书
7、专利文献3:日本特开2017-51990号公报
8、专利文献4:日本特开平10-314965号公报
技术实现思路
1、本公开的1个观点的激光加工装置对在加工面配置有树脂层的被加工物照射通过在一对放电电极
2、本公开的1个观点的激光加工方法对在加工面配置有树脂层的被加工物照射通过在一对放电电极间进行放电激励而输出的激光,而在被加工物形成孔,其中,该激光加工方法具有以下工序:被加工物设置工序,将配置有树脂层的被加工物设置于移动台的载台;转印定位工序,进行转印位置与被加工物之间的相对定位,以使转印位置和树脂层的表面一致;激光输出工序,对配置有树脂层的被加工物输出第1发散角比第2发散角大的激光,该第1发散角是一对放电电极间的放电方向的发散角,该第2发散角是相对于放电方向和激光的行进方向垂直的方向的发散角;导入光学工序,将激光引导至转印掩模;转印图案形成工序,形成转印图案;转印成像工序,使转印图案成像于树脂层;以及发散角调整工序,将第1发散角与第2发散角之差调整为较小。
3、本公开的1个观点的电子器件的制造方法具有以下工序:第1结合工序,使中介层和集成电路芯片结合而彼此电连接;以及第2结合工序,使中介层和电路基板结合而彼此电连接,中介层包含形成有多个贯通孔的绝缘性的基板和被设置于该多个贯通孔内的导电体,多个贯通孔通过如下的激光加工方法来形成:在被照射到绝缘性的基板的多个激光各自的照射位置形成孔,该绝缘性的基板在加工面配置有树脂层,激光加工方法包含以下步骤:生成第1发散角比第2发散角大的激光,该第1发散角是一对放电电极间的放电方向的发散角,该第2发散角是相对于放电方向和激光的行进方向垂直的方向的发散角,在针对该激光减小第1发散角与第2发散角之差后,使激光成像于树脂层,在绝缘性的基板形成贯通孔。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种激光加工装置,其对在加工面配置有树脂层的被加工物照射通过在一对放电电极间进行放电激励而输出的激光,而在所述被加工物形成孔,其中,所述激光加工装置具有:
2.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
3.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
4.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
5.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
6.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
7.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
8.根据权利要求7所述的激光加工装置,其中,
9.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
10.一种激光加工方法,其对在加工面配置有树脂层的被加工物照射通过在一对放电电极间进行放电激励而输出的激光,而在所述被加工物形成孔,其中,所述激光加工方法具有以下工序:
11.根据权利要求10所述的激光加工方法,其中,
12.根据权利要求10所述的激光加工方法,其中,
13.根据权利要求10所述的激光加工方法,其中,
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种激光加工装置,其对在加工面配置有树脂层的被加工物照射通过在一对放电电极间进行放电激励而输出的激光,而在所述被加工物形成孔,其中,所述激光加工装置具有:
2.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
3.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
4.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
5.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
6.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
7.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
8.根据权利要求7所述的激光加工装置,其中,
9.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
10.一种激光加工方法,其对在加工面配置有树脂层的被加工...
【专利技术属性】
技术研发人员:川筋康文,阿达康弘,诹访辉,
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社,
类型:发明
国别省市:
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