System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 离子阱芯片参数标定方法及装置、电子设备和介质制造方法及图纸_技高网

离子阱芯片参数标定方法及装置、电子设备和介质制造方法及图纸

技术编号:40281183 阅读:3 留言:0更新日期:2024-02-07 20:35
本公开提供了一种离子阱芯片参数标定方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品,涉及量子计算机领域,尤其涉及离子阱芯片技术领域。实现方案为:确定离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置;对于一个或多个离子中的每个离子,执行以下操作:通过激光器照射该离子,确定激光照射到该离子后的等效振幅;基于等效振幅,确定该离子对应的π脉冲时长;以及基于π脉冲时长设置激光器的脉冲时间,并在第一预设范围内按第一预设步长改变激光器的频率,以确定声子频率、以及所子和该离子之间的耦合强度。π脉冲时长表示该离子在基态和激发态之间变换所需的激光脉冲时间。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及量子计算机领域,尤其涉及离子阱芯片,具体涉及一种离子阱芯片参数标定方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。


技术介绍

1、离子阱量子计算是一种基于悬浮在真空中的离子作为量子比特(qubit)进行信息处理的技术,因为单个离子内部天然具备分立的能级自由度,如电子轨道能级、自旋轨道耦合能级、核自旋能级,因此天然适合用作理想的量子比特载体。用离子来构建量子比特并进行量子计算操作的技术被称之为离子阱量子计算。

2、为了实现高保真度的量子操作,研究人员需要精确标定离子阱系统的参数,包括激光、声子频率、离子间相互作用等。这些参数的精确标定能够提高离子阱中量子操作的效率和精度,从而提高离子阱量子计算的性能。


技术实现思路

1、本公开提供了一种离子阱芯片参数标定方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。

2、根据本公开的一方面,提供了一种离子阱芯片参数标定方法,包括:确定所述离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置;对于所述一个或多个离子中的每个离子,执行以下操作:通过激光器照射该离子,确定所述激光照射到该离子后的等效振幅;基于所述等效振幅,确定该离子对应的π脉冲时长,其中所述π脉冲时长表示该离子在基态和激发态之间变换所需的激光脉冲时间;以及基于所述π脉冲时长设置所述激光器的脉冲时间,并在第一预设范围内按第一预设步长改变所述激光器的频率,以确定声子频率、以及所述声子和该离子之间的耦合强度。

3、根据本公开的另一方面,提供了一种离子阱芯片参数标定装置,包括:确定单元,配置为确定所述离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置;操作执行单元,配置为对于所述一个或多个离子中的每个离子,执行以下操作:第一确定子单元,配置为通过激光器照射该离子,确定所述激光照射到该离子后的等效振幅;第二确定子单元,配置为基于所述等效振幅,确定该离子对应的π脉冲时长,其中所述π脉冲时长表示该离子在基态和激发态之间变换所需的激光脉冲时间;以及第三确定子单元,配置为基于所述π脉冲时长设置所述激光器的脉冲时间,并在第一预设范围内按第一预设步长改变所述激光器的频率,以确定声子频率、以及所述声子和该离子之间的耦合强度。

4、根据本公开的另一方面,提供了一种电子设备,包括:至少一个处理器;以及与至少一个处理器通信连接的存储器;存储器存储有可被至少一个处理器执行的指令,该指令被至少一个处理器执行,以使至少一个处理器能够执行本公开所述的方法。

5、根据本公开的另一方面,提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质,该计算机指令用于使计算机执行本公开所述的方法。

6、根据本公开的另一方面,提供了一种计算机程序产品,包括计算机程序,该计算机程序在被处理器执行时实现本公开所述的方法。

7、根据本公开的一个或多个实施例,可以减少人工干预和实验操作的复杂性,大大降低了实验误差,提高了参数标定精度,并且具有很强的适应性和灵活性,能够在不同的实验条件下实现参数优化。

8、应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

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【技术保护点】

1.一种离子阱芯片参数标定方法,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中,确定所述离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置包括:在第二预设范围内按第二预设步长改变所述激光器的入射角度,以通过荧光成像确定一个或多个离子各自所在的位置。

3.如权利要求1所述的方法,其中,确定所述激光照射到该离子后的等效振幅包括:

4.如权利要求3所述的方法,其中,基于以下公式进行所述第一函数拟合:

5.如权利要求2或3所述的方法,其中,通过以下公式确定该离子对应的π脉冲时长Tπ:

6.如权利要求1所述的方法,其中,确定声子频率、以及所述声子和该离子之间的耦合强度包括:

7.如权利要求6所述的方法,其中,基于以下公式进行所述第二函数拟合:

8.如权利要求6所述的方法,其中,获取所述激光器的预设脉冲时间包括:将所述预设脉冲时间设置等于为所述π脉冲时长或者在预设的误差范围内接近于所述π脉冲时长。

9.一种离子阱芯片参数标定装置,包括:

10.如权利要求9所述的装置,其中,所述确定单元包括:用于在第二预设范围内按第二预设步长改变所述激光器的入射角度、以通过荧光成像确定一个或多个离子各自所在的位置的单元。

11.如权利要求9所述的装置,其中,所述第一确定子单元包括:

12.如权利要求11所述的装置,其中,基于以下公式进行所述第一函数拟合:

13.如权利要求10或11所述的装置,其中,通过以下公式确定该离子对应的π脉冲时长Tπ:

14.如权利要求9所述的装置,其中,所述第三确定子单元包括:

15.如权利要求14所述的装置,其中,基于以下公式进行所述第二函数拟合:

16.如权利要求14所述的装置,其中,将所述预设脉冲时间设置等于为所述π脉冲时长或者在预设的误差范围内接近于所述π脉冲时长。

17.一种电子设备,包括:

18.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质,其中,所述计算机指令用于使所述计算机执行根据权利要求1-8中任一项所述的方法。

19.一种计算机程序产品,包括计算机程序,其中,所述计算机程序在被处理器执行时实现权利要求1-8中任一项所述的方法。

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【技术特征摘要】

1.一种离子阱芯片参数标定方法,包括:

2.如权利要求1所述的方法,其中,确定所述离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置包括:在第二预设范围内按第二预设步长改变所述激光器的入射角度,以通过荧光成像确定一个或多个离子各自所在的位置。

3.如权利要求1所述的方法,其中,确定所述激光照射到该离子后的等效振幅包括:

4.如权利要求3所述的方法,其中,基于以下公式进行所述第一函数拟合:

5.如权利要求2或3所述的方法,其中,通过以下公式确定该离子对应的π脉冲时长tπ:

6.如权利要求1所述的方法,其中,确定声子频率、以及所述声子和该离子之间的耦合强度包括:

7.如权利要求6所述的方法,其中,基于以下公式进行所述第二函数拟合:

8.如权利要求6所述的方法,其中,获取所述激光器的预设脉冲时间包括:将所述预设脉冲时间设置等于为所述π脉冲时长或者在预设的误差范围内接近于所述π脉冲时长。

9.一种离子阱芯片参数标定装置,包括:

10.如权利要求9所述的装置,其中,所述确定单元包括:用...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪景波黄晨
申请(专利权)人:北京百度网讯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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