【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件、显示装置及其制造方法。
技术介绍
1、当与传统光源相比时，发光二极管(led)被称为具有诸如长寿命、低功耗、快响应速度、环境亲和性等的优点的下一代光源，由于这些优点，工业需求正在增加。led通常应用并使用于各种产品中，诸如照明装置和显示装置的背光。
2、最近，开发了使用ii-vi族或iii-v族化合物半导体的微单元或纳米单元超小型led。此外，已经开发了微型led显示器，其中这种超小型led被直接用作显示像素的发光器件。然而，当led在这种微单元或纳米单元中小型化时，led的发光效率可能降低。
3、此外，作为可以用于提取诸如绿光的长波长光的材料，可以使用诸如ingan的氮化物基材料或诸如algainp的磷化物基材料。然而，磷化物基材料可能不适合用在诸如微型led的小型led中，因为随着led的尺寸减小，内部量子效率降低得越低。此外，随着氮化物基材料中in含量增加，相对于n-gan层的晶格常数差异会增大，因此会出现晶格缺陷。
技术实现思路
1、提供了一种能够发射高效率光的发光器件及其制造方法。
2、提供了一种能够减少晶格缺陷的发光器件及其制造方法。
3、提供了一种能够发射高效率光的显示装置。
4、其它方面将部分地在以下描述中阐述，部分地将从该描述中显而易见，或可以通过实施所给出的本公开的实施方式了解。
5、根据一示例实施方式的一方面，一种发光器件包括：掺有n型掺杂剂并具有第一晶格常数的第一氮化
6、在应力松弛层中，面对有源层的区域的第四晶格常数可以大于面对第一氮化物半导体层的区域的第五晶格常数，并且应力松弛层中的第四晶格常数和第五晶格常数之间的差可以是第一晶格常数的约1％或更多。
7、在有源层中，侧有源区的厚度可以小于上有源区的厚度。
8、发光器件可以进一步包括在第一氮化物半导体层的侧表面上的第一钝化层，其中侧有源区可以接触第一钝化层。
9、侧有源区可以延伸以接触第一氮化物半导体层的侧表面。
10、应力松弛层可以包括ingan，有源层可以包括ingan。
11、应力松弛层的铟含量可以小于有源层的铟含量。
12、有源层可以包括约20％或更高的铟含量，使得有源层被配置为发射长波长光。
13、有源层的宽度可以是约10μm或更小。
14、第二氮化物半导体层可以在上有源区上。
15、有源层可以包括彼此间隔开的多个有源层。
16、所述多个有源层中的每个可以具有不同的宽度。
17、第二氮化物半导体层可以将所述多个有源层彼此连接。
18、应力松弛层可以包括超晶格层，该超晶格层包括具有约10nm或更小的厚度的多个薄膜层。
19、应力松弛层可以包括具有约20％或更低的铟含量以及约10nm或更小的厚度的单层。
20、根据一示例实施方式的一方面，一种制造发光器件的方法包括：在基板上形成包括n型掺杂的氮化物半导体材料的第一氮化物半导体基层；在第一氮化物半导体基层上生长应力基层，该应力基层包括包含铟的氮化物半导体材料；通过蚀刻应力基层形成应力松弛层；在应力松弛层的上表面和侧表面上生长有源层，其中有源层至少部分地围绕应力松弛层，并且有源层包括包含铟的氮化物半导体材料；以及在有源层上生长包括p型掺杂的氮化物半导体材料的第二氮化物半导体层。
21、在蚀刻应力基层期间，晶格常数可以在应力基层的上部区域中增加。
22、蚀刻应力基层可以包括将第一氮化物半导体基层图案化为具有对应于应力松弛层的宽度的第一氮化物半导体层。
23、在应力松弛层中，上部区域的晶格常数和下部区域的晶格常数之间的差可以是第一氮化物半导体层的晶格常数的约1％或更多。
24、生长有源层可以包括：在应力松弛层的上表面上形成上有源区，以及在应力松弛层的侧表面上形成侧有源区。
25、侧有源区的厚度可以小于上有源区的厚度。
26、该方法可以包括在生长有源层之前，形成第一钝化层以至少部分地围绕第一氮化物半导体基层的侧表面。
27、有源层可以延伸以接触第一氮化物半导体基层的侧表面。
28、有源层可以包括约20％或更高的铟含量，使得有源层被配置为发射长波长光。
29、有源层的宽度可以是约10μm或更小。
30、根据一示例实施方式的一方面，一种显示装置包括：发光器件，包括：掺有n型掺杂剂并具有第一晶格常数的第一氮化物半导体层；提供在第一氮化物半导体层上并具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的有源层，该有源层包括包含铟的氮化物半导体材料；插置在第一氮化物半导体层和有源层之间并具有在第一晶格常数和第二晶格常数之间的第三晶格常数的应力松弛层，应力松弛层包括包含铟的氮化物半导体材料；以及提供在有源层上并掺有p型掺杂剂的第二氮化物半导体层，其中有源层包括：提供在应力松弛层的上表面上的上有源区，以及提供在应力松弛层的侧表面上的侧有源区。
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1.一种发光器件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述应力松弛层中，面对所述有源层的区域的第四晶格常数大于面对所述第一氮化物半导体层的区域的第五晶格常数，以及
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述有源层中，所述侧有源区的厚度小于所述上有源区的厚度。
4.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括提供在所述第一氮化物半导体层的侧表面上的第一钝化层，
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述侧有源区延伸以接触所述第一氮化物半导体层的侧表面。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述应力松弛层包括InGaN，以及
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述应力松弛层的铟含量小于所述有源层的铟含量。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层包括约20％或更高的铟含量，使得所述有源层被配置为发射长波长光。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层的宽度是约10μm或更小。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二氮化物半导体层提供
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层包括彼此间隔开的多个有源层。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述多个有源层具有不同的宽度。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第二氮化物半导体层将所述多个有源层彼此连接。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述应力松弛层包括超晶格层，所述超晶格层包括具有约10nm或更小的厚度的多个薄膜层。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述应力松弛层包括具有约20％或更低的铟含量以及约10nm或更小的厚度的单层。
16.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在蚀刻所述应力基层期间，晶格常数在所述应力基层的上部区域中增加。
18.根据权利要求17所述的方法，其中蚀刻所述应力基层包括将所述第一氮化物半导体基层图案化为具有对应于所述应力松弛层的宽度的第一氮化物半导体层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述应力松弛层中，所述上部区域的晶格常数和下部区域的晶格常数之间的差是所述第一氮化物半导体层的晶格常数的约1％或更多。
20.根据权利要求16所述的方法，其中生长所述有源层包括：
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述侧有源区的厚度小于所述上有源区的厚度。
22.根据权利要求16所述的方法，进一步包括，在生长所述有源层之前，形成第一钝化层以至少部分地围绕所述第一氮化物半导体基层的侧表面。
23.根据权利要求16所述的方法，其中所述有源层延伸以接触所述第一氮化物半导体基层的侧表面。
24.根据权利要求16所述的方法，其中所述有源层包括约20％或更高的铟含量，使得所述有源层被配置为发射长波长光。
25.根据权利要求16所述的方法，其中所述有源层的宽度是约10μm或更小。
26.一种显示装置，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述应力松弛层中，面对所述有源层的区域的第四晶格常数大于面对所述第一氮化物半导体层的区域的第五晶格常数，以及
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述有源层中，所述侧有源区的厚度小于所述上有源区的厚度。
4.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括提供在所述第一氮化物半导体层的侧表面上的第一钝化层，
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述侧有源区延伸以接触所述第一氮化物半导体层的侧表面。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述应力松弛层包括ingan，以及
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述应力松弛层的铟含量小于所述有源层的铟含量。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层包括约20％或更高的铟含量，使得所述有源层被配置为发射长波长光。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层的宽度是约10μm或更小。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二氮化物半导体层提供在所述上有源区上。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层包括彼此间隔开的多个有源层。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述多个有源层具有不同的宽度。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第二氮化物半导体层将所述多个有源层彼此连接。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述应力松弛层包括超晶格...
【专利技术属性】
技术研发人员：金柱成，朴永焕，朴珍珠，申东澈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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