【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及高压放电管及其制备方法。
技术介绍
1、高压放电管是一种使用于设备输入端的高压保护元件。若其两端的电压高过其保护规格值时，其内部会出现短路现象，并吸收掉输入的过高压。
2、高压放电管由于耐压易受边缘槽边界扩散以及钝化过程缺陷影响，导致发生表面提前击穿，以致于整体耐压下降及后续的可靠性能力降低。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种高压放电管及其制备方法，以避免由于沟槽污染以及钝化缺陷导致的表面击穿，并且提升产品的耐压和可靠性。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种高压放电管，包括：
3、n型衬底，n型衬底的两侧均设置有p型结构；所述p型结构包括：短基区和硼环；所述硼环设置于所述n型衬底和所述短基区之间；所述硼环中的硼离子浓度小于所述短基区中硼离子的浓度。
4、可选的，所述n型衬底的厚度范围为200μm-240μm，所述硼环靠近所述n型衬底一侧的表面距离所述短基区远离所述n型衬底一侧的表面的距离范围为50μm-60μm，所述短基区的厚度范围为30μm-40μm。
5、可选的，在所述p型结构中，所述硼环靠近所述短基区的表面与所述n型衬底靠近所述短基区的表面齐平。
6、可选的，所述p型结构还包括：
7、深硼区，所述深硼区设置于所述n型衬底和所述短基区之间，所述深硼区中的硼离子浓度小于所述硼环中硼离子的浓度。
8、可选的，所述深硼区的厚度大于所述硼环的厚度。p>
9、可选的，所述短基区远离所述n型衬底的一侧设置有至少一个n型发射单元。
10、所述高压放电管还包括：
11、两个金属层，分别对应于两个所述短基区设置，所述金属层位于对应的所述n型发射单元远离所述n型衬底的一侧。
12、可选的，所述高压放电管，还包括：
13、两个沟槽，两个所述沟槽分别环绕两个所述p型结构设置；两个钝化保护层，分别对应两个所述沟槽设置，所述钝化保护层覆盖对应的所述沟槽的表面，所述钝化保护层由所述沟槽底部延伸至对应的所述短基区表面的边缘区域。
14、可选的，所述高压放电管，还包括：
15、两个玻璃层，分别覆盖两个所述钝化保护层的表面；两个低温氧化物层，分别覆盖两个所述玻璃层的表面。
16、根据本专利技术的另一方面，提供了一种高压放电管的制备方法，包括：
17、提供n型衬底；在所述n型衬底的两侧均制备p型结构，制备所述p型结构包括：在所述n型衬底的表面生长氧化层；图案化所述氧化层，在所述n型衬底的表面形成硼环掺杂图案区，所述硼环掺杂图案区为环形；对所述硼环掺杂图案区进行掺杂，形成环状掺杂结构；对所述n型衬底的表面以及所述环状掺杂结构进行掺杂，形成短基区和硼环，所述硼环位于所述n型衬底和所述短基区之间；所述硼环中的硼离子浓度小于所述短基区中硼离子的浓度。
18、可选的，对所述n型衬底的表面以及所述环状掺杂结构进行掺杂之前，还包括：
19、图案化所述氧化层，在所述n型衬底的表面形成深硼掺杂图案区；对所述深硼掺杂图案区进行掺杂，形成深硼掺杂结构；相应的，在形成所述短基区时，还对所述深硼掺杂结构进行掺杂，以形成深硼区，所述深硼区中的硼离子浓度小于所述硼环中硼离子的浓度。
20、本专利技术实施例的技术方案，在n型衬底的两侧均设置有p型结构；p型结构包括：短基区和硼环；硼环设置于n型衬底和短基区之间；硼环中的硼离子浓度小于短基区中硼离子的浓度。硼环环绕n型衬底的四周设置，在后续在n型衬底的边缘形成沟槽时，因与沟槽接触的硼环中的硼离子的浓度相较于现有技术中与沟槽接触的短基区的浓度小，使得硼环发生击穿时对应的电压更高。通过形成高压硼环，避免由于沟槽污染以及钝化缺陷导致的表面击穿，并且提升产品的耐压和可靠性应。
21、当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高压放电管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高压放电管，其特征在于，所述N型衬底的厚度范围为200μm-240μm，所述硼环靠近所述N型衬底一侧的表面距离所述短基区远离所述N型衬底一侧的表面的距离范围为50μm-60μm，所述短基区的厚度范围为30μm-40μm。
3.根据权利要求1所述的高压放电管，其特征在于，在所述P型结构中，所述硼环靠近所述短基区的表面与所述N型衬底靠近所述短基区的表面齐平。
4.根据权利要求1-3任一项所述的高压放电管，其特征在于，所述P型结构还包括：
5.根据权利要求4所述的高压放电管，其特征在于，所述深硼区的厚度大于所述硼环的厚度。
6.根据权利要求1所述的高压放电管，其特征在于，所述短基区远离所述N型衬底的一侧设置有至少一个N型发射单元；
7.根据权利要求1所述的高压放电管，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的高压放电管，其特征在于，还包括：
9.一种高压放电管的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所
...【技术特征摘要】
1.一种高压放电管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高压放电管，其特征在于，所述n型衬底的厚度范围为200μm-240μm，所述硼环靠近所述n型衬底一侧的表面距离所述短基区远离所述n型衬底一侧的表面的距离范围为50μm-60μm，所述短基区的厚度范围为30μm-40μm。
3.根据权利要求1所述的高压放电管，其特征在于，在所述p型结构中，所述硼环靠近所述短基区的表面与所述n型衬底靠近所述短基区的表面齐平。
4.根据权利要求1-3任一项所述的高压放电管，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王跃，张常军，吴中瑞，
申请(专利权)人：深圳市槟城电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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