【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，更具体地涉及一种金属层光刻的返工方法。
技术介绍
1、在传统的mems光刻工艺中，由于涂胶机台故障或者涂胶工艺波动，常常会导致光刻胶层出现涂胶缺陷，部分金属层上方覆盖有光刻胶，而另一部分金属层上方未覆盖光刻胶。当出现上述现象时，需要对晶圆进行返工处理。现有的光刻返工去胶工艺，最常见的有干法灰化去胶、湿化学法去胶或二者的结合。但这些传统方法的去胶工艺都会对基底薄膜造成较大的材料损失或者性能改变，进而影响后续的二次光刻的图形质量，降低工艺稳定性。
2、例如，于2013年2月6日公布的中国专利文献cn102914950a采用氧气和氮气的干法灰化去胶工艺去除光刻胶，通常利用含氧的等离子将碳基的光刻胶燃烧成气体从而达到去除的目的，但是这种方法会使晶圆的表面薄膜(即金属层)接触到高温和高化学活性的含氧的等离子。高温制程和含氧的等离子会使晶圆的表面薄膜性质改变，甚至材料损失，造成薄膜厚度、反射率、吸收率和电性参数的波动，从而使第二次光刻工艺的参数偏移，图形表现变差。
3、例如，于2023年4月14日公布的中国专利文献cn115963700a先采用ebr溶液喷涂去除光刻胶、之后再采用氧气等离子干法去除金属层残留的光刻胶以及ebr，尽管氧气等离子干法的使用目的在于使得金属层的损伤同样是均匀的，但是与cn102914950a一样，高温制程和含氧的等离子会使晶圆的表面薄膜(即金属层)性质改变，甚至材料损失，造成薄膜厚度、反射率、吸收率和电性参数的波动，从而使第二次光刻工艺的参数偏移，图形表现变差。
...【技术保护点】
1.一种金属层光刻的返工方法，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种金属层光刻的返工方法，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的金属层光刻的返工方法，其特征在于，
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：温斐旻，王岳，闫丽荣，李海涛，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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