【技术实现步骤摘要】
本文中本公开涉及一种聚焦环和制造该聚焦环的方法，并且更特定地，涉及一种用于半导体等离子体蚀刻的聚焦环和制造该聚焦环的方法。
技术介绍
1、通常，通过在硅晶片上重复执行制造工艺来完成半导体元件。半导体制造工艺包括用于是目标材料的晶片的氧化、掩模、光致抗蚀剂涂覆、蚀刻、扩散和层压工艺。另外，在上文工艺之前和之后，应当执行例如洗涤、干燥和检查的过程。特定地，蚀刻工艺是用于在晶片上基本上形成图案的重要工艺。蚀刻工艺可以主要分为湿法蚀刻和干法蚀刻。
2、干法蚀刻工艺是去除在光学处理之后形成的光致抗蚀剂图案的曝光部分的工艺。将高频电力施加到上部电极和下部电极，所述上部电极和下部电极被安装成在密封内部空间中彼此间隔开预定距离以产生电场，并且被供应到密封空间中的反应气体被电场激活以变成等离子体状态，并且然后，设置在下部电极上的晶片被处于等离子体状态的离子蚀刻。
3、等离子体可以集中在晶片的整个顶表面的区域上方。为此，聚焦环设置成围绕设置在下部电极上方的卡盘主体的圆周。
4、聚焦环通过将高频电力施加到其上设置有晶片的区域来集中在卡盘主体上方形成的电场形成区域，并且晶片被设置在其上产生等离子体的区域的中心处并作为整体被均匀地蚀刻。
技术实现思路
1、本公开提供一种其中层压了具有优异耐久性的不同材料的聚焦环和制造该聚焦环的方法。
2、本专利技术构思的实施例提供了一种聚焦环，包括：第一环，所述第一环由第一材料制成；第二环，所述第二环由所述第一环覆盖，其中，所
3、在本专利技术构思的实施例中，一种用于制造聚焦环的方法包括：在由第一材料制成的第一环中形成凹部；在由不同于所述第一材料的第二材料制成的第二环中形成通孔；层压所述第一环和所述第二环，使得所述凹部和所述通孔彼此对准，其中，所述凹部和所述通孔彼此连通以形成联接凹槽；在所述联接凹槽中提供粘结剂组合物；以及固化所述粘结剂组合物以形成将所述第一环和所述第二环彼此联接的紧固构件。所述通孔可以具有第一直径，并且所述凹部可以具有大于或等于第一直径的第二直径。
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1.一种聚焦环，包括：
2.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述第二直径大于所述第一直径，并且
3.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述紧固构件包括多个紧固构件，并且
4.根据权利要求3所述的聚焦环，其中，所述多个紧固构件的数量是4到24。
5.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述紧固构件包括第一紧固构件和第二紧固构件，
6.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述紧固构件包括在顺时针方向上顺序地布置的第一紧固构件、第二紧固构件和第三紧固构件，
7.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，限定了穿过所述第一环的中心的第一中心线，并且
8.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述第二环包括安置在静电卡盘上的内部区域和安置在盖环上的外部区域，并且
9.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述第一环包括被配置成覆盖所述第二环的盖部分，
10.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述第一材料和所述第二材料选自由碳化硅(SiC)、硅(Si)和碳化硼组成的组中的不同材料。
11.根
12.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述紧固构件具有凹陷底表面。
13.根据权利要求12所述的聚焦环，其中，所述凹陷底表面包括在所述凹陷底表面的边缘处的最低表面和在所述凹陷底表面的中心处的最高表面，并且
14.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述贯通部分的下部部分具有大于所述第一直径的第三直径。
15.根据权利要求14所述的聚焦环，其中，所述贯通部分的所述下部部分具有直径逐渐增大的锥形形状。
16.一种用于制造聚焦环的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第二直径大于所述第一直径，并且
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述凹部的深度与所述第一环的盖部分的厚度的比率是大约0.1到大约0.7。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述粘结剂组合物的固化工艺在大约80℃到大约200℃的温度下执行大约1小时到大约10小时。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述凹部形成在穿过所述第一环的中心的第一中心线外部。
...【技术特征摘要】
1.一种聚焦环，包括：
2.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述第二直径大于所述第一直径，并且
3.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述紧固构件包括多个紧固构件，并且
4.根据权利要求3所述的聚焦环，其中，所述多个紧固构件的数量是4到24。
5.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述紧固构件包括第一紧固构件和第二紧固构件，
6.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述紧固构件包括在顺时针方向上顺序地布置的第一紧固构件、第二紧固构件和第三紧固构件，
7.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，限定了穿过所述第一环的中心的第一中心线，并且
8.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述第二环包括安置在静电卡盘上的内部区域和安置在盖环上的外部区域，并且
9.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述第一环包括被配置成覆盖所述第二环的盖部分，
10.根据权利要求1所述的聚焦环，其中，所述第一材料和所述第二材料选自由碳化硅(sic)、硅(si)和碳化硼组成的组中的不同材料。
11.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳济根，安娥兰，崔王基，李银英，
申请(专利权)人：哈纳材料公司，
类型：发明
国别省市：
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