【技术实现步骤摘要】
本说明书公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、在专利文献1中，公开了具备在背面形成有金属层的半导体基板的半导体装置。该金属层相对于封装基板被焊接。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2004－241623号公报
技术实现思路
1、通常，对于在焊接半导体基板时利用的金属层的材料，使用焊料浸润性高的金属。因此，在专利文献1的技术中，当对封装基板焊接金属层时，焊料可能浸润扩散至金属层的侧面(即，外周面)从而焊料到达半导体基板的侧面。结果，半导体装置的特性产生偏差。在本说明书中，提出了在将半导体基板焊接时适当地抑制焊料的不必要的浸润扩散的技术。
2、本说明书公开的半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板的表面设置的金属层。上述金属层具有第1金属层和将上述第1金属层的表面覆盖且与上述第1金属层相比焊料浸润性高的第2金属层。上述第2金属层在上述金属层的主表面露出。上述第1金属层在上述金属层的侧面露出。在上述金属层的上述主表面设有突起部。上述突起部以沿着上述主表面的外周缘绕一圈的方式延伸。
3、该半导体装置中，焊料浸润性高的第2金属层在金属层的主表面露出。因此，在将金属层向对象部件焊接时，焊料适当地在金属层的主表面浸润扩散。另一方面，在金属层的主表面，设有沿其外周缘绕一圈的突起部。因此，在将金属层向对象部件焊接时，焊料被突起部堵住，抑制了焊料浸润扩散至比金属层靠外周侧的情况。此外，该半导体装置中，
4、此外，本说明书公开半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具备以下工序：对于在半导体晶片的第1表面形成的金属层的主表面，沿着分割预定线将推压部件推抵，从而沿着上述分割预定线使上述金属层变形，形成沿着上述分割预定线延伸的槽和与上述槽相邻接而延伸的突起部，并且对于上述半导体晶片形成沿着上述分割预定线且在上述半导体晶片的厚度方向上延伸的裂纹的工序，其中，上述金属层具有第1金属层和与上述第1金属层相比焊料浸润性高且将上述第1金属层的表面覆盖并且在上述金属层的上述主表面露出的第2金属层；以及在形成上述裂纹的上述工序之后，对位于上述第1表面的相反侧的上述半导体晶片的第2表面，沿着上述分割预定线将分割部件推抵，从而沿着上述分割预定线分割上述半导体晶片的工序。
5、在该制造方法中，对于在半导体晶片的第1表面形成的金属层的主表面，沿着分割预定线将推压部件推抵。通过将推压部件推抵，在第1表面侧形成裂纹。此外，通过将推压部件推抵，金属层塑性变形而形成槽，对应于推压部件向金属层陷入的量，金属层被推出到与分割预定线相邻接的范围。由此，形成与槽相邻接而延伸的突起部。然后，沿着分割预定线，从第2表面侧将分割部件向半导体晶片推抵。由此，使裂纹裂开，在经由裂纹拉开相邻的区域的方向上施加力。结果，裂纹在半导体晶片的厚度方向上伸展。由此，半导体晶片被沿着分割预定线分割。此外，对于金属层也在跨裂纹而拉开相邻的区域的方向上施加力，金属层也被分割。
6、这样，上述的制造方法中，在形成裂纹时，形成与分割预定线(槽)相邻接而延伸的突起部。因此，当沿着分割预定线将半导体晶片及金属层分割时，在分割后的金属层的主表面，设置沿着其外周缘绕一圈的突起部。因而，在通过该制造方法制造的半导体装置中，在将金属层向对象部件焊接时，由突起部将焊料堵住，抑制了焊料浸润扩散至比金属层靠外周侧的情况。此外，金属层由于包含第1金属层和第2金属层这二层，所以分割后的金属层成为在其侧面露出焊料浸润性低的第1金属层的状态。因而，在通过该制造方法制造的半导体装置中，即使在假设焊料越过了突起部的情况下，焊料也难以在金属层的侧面浸润扩散，抑制了焊料到达半导体基板的侧面的情况。如以上那样，在通过该制造方法制造的半导体装置中，能够确保浸润性并且抑制焊料的不必要的浸润扩散。
7、另外，本说明书中，“焊料”例如具有除了以锡等金属为主成分的利用了金属的熔点(熔融和凝固)的接合材料以外、还包含利用了金属微粒相对于分散介质(有机溶剂等)的分散和析出的导电性接合剂的包括性含义。
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1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
10.如权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊泽辉显，植茶雅史，南云裕司，奥田胜，长屋正武，北市充，森亮，木山直哉，武田真和，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：
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