【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像处理，具体涉及一种微型片式电感双线绕线异常定位方法及系统。
技术介绍
1、双线微型贴片电感是现代电子电路中的重要元件，它通过两根平行的导线在导磁材料做成内芯上缠绕，在两根导线不相互接触的情况下利用两根导线产生的互感现象形成电感元件，在电路系统中其主要起到稳流、滤波等作用。早双线微型贴片电感的生产过程中，为了保证产品良品率，需要对贴片电感各项指标进行质量检测，其中最重要的就是检测双线微型贴片电感是否出现绕线异常。
2、在双线微型贴片电感的绕线异常主要通过是观察绕线结构是否和设计一样，主要观察缠绕的双线出现重叠或间隙过大，因为此元件是依靠平行导线之间的互感现象来形成电感，如果电感的绕线出现错位会对器件性能造成较大影响。
3、传统的图像检测技术在对双线微型贴片电感进行图像分割时，由于用于双线微型贴片电感的漆包线弯曲缠绕且表面光滑，容易造成漆包线边缘反光，在图像预处理阶段进行阈值分割时，使经过现有算法得到的图像分割效果不好，无法准确获得漆包线的纹路图像而造成误检。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种微型片式电感双线绕线异常定位方法及系统，所采用的技术方案具体如下：
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，该方法包括以下步骤：
3、采集电感图像并进行灰度化；
4、根据电感灰度图像结合阈值分割得到二值图像，并提取磁芯内、外径圆；采用磁芯内、外径圆构成
5、结合漆包线缠绕区域灰度图像构建极坐标，并计算极坐标中各位置的光照强度；根据各位置的光照强度得到漆包线缠绕区域灰度图像在极坐标中各位置的反光分布补偿；提取各像素点的关联像素点；根据像素点的各关联像素点周围的纹路分布得到各关联像素点的中心位置偏移量；根据像素点的反光分布补偿及对应关联像素点的中心位置偏移量得到像素点修正后的灰度值；
6、采用大津阈值对所有像素点修正后的灰度值进行分割得到漆包线缠绕区域二值图像；根据漆包线缠绕区域二值图像中各连通域内像素点的分布得到各连通域的异常检测值，将异常检测值大于等于预设阈值的连通域对应的漆包线线段作为双线绕线异常的漆包线段，完成微型片式电感双线绕线异常定位。
7、进一步地，所述根据电感灰度图像结合阈值分割得到二值图像，并提取磁芯内、外径圆，包括：
8、采用大津阈值法对电感灰度图像进行二值分割，提取二值分割后的图像中灰度值为1的区域的中心，记为磁芯中心；以磁芯中心为圆心预设值为半径生成圆，每次将所生成圆的半径增加w，当所生成的圆上所有像素点灰度值第一次同时为1时，此时的圆作为磁芯内径圆；继续将所生成圆的半径增加w，当所生产的圆上所有像素点灰度值第一次同时为0时，此时的圆作为磁芯外径圆；其中，w为预设所生成圆的半径每次增加的数值。
9、进一步地，所述根据漆包线缠绕区域纹路图像中各边缘像素点的分布将纹路进行划分，从纹路划分后的漆包线缠绕区域纹路图像中提取各漆包线边缘纹路，包括：
10、将纹路图像中各纹路中的所有像素点采用最小二乘法拟合得到各纹路的拟合直线；计算纹路中各像素点到纹路拟合直线的欧式距离，纹路中所有像素点的所述欧式距离构成对应纹路的向量，提取向量中的各极大值点，若极大值点的值大于预设阈值时，则对应极大值点作为纹路断点，结合各断点将对应纹路进行划分；
11、对划分后所得到的各纹路进行直线拟合，各纹路拟合得到的线段作为各纹路的纹路方向，其中，所述纹路方向为从所述线段距离磁芯中心远的一端指向近的一端；获取每条纹路中点与磁芯中心连线方向，当所述连线方向与每条纹路的纹路方向的夹角小于等于预设角度时，则对应纹路为漆包线边缘纹路。
12、进一步地，所述结合漆包线缠绕区域灰度图像构建极坐标，并计算极坐标中各位置的光照强度，包括：
13、将漆包线缠绕区域灰度图像中每个像素点的横坐标和纵坐标分别减去磁芯中心的横坐标和纵坐标得到每个像素点的更新坐标，将所有像素点的更新坐标作为直角坐标系转换到极坐标系的输入，输出所有像素点的极坐标；
14、所述光照强度表达式为：
15、；
16、式中，是漆包线缠绕区域灰度图像中极坐标位置的灰度值，分别是反光分布补偿的窗口预设宽度、长度，是反光补偿的窗口中像素点总数，是极坐标位置的光照强度。
17、进一步地，所述反光分布补偿，包括：
18、计算所有位置的光照强度的均值，将各位置的光照强度与所述均值的差值作为各位置的反光分布补偿。
19、进一步地，所述提取各像素点的关联像素点，包括：
20、对于各像素点；
21、以像素点为初始生长点，沿着初始生长点的极坐标顺时针方向和逆时针方向，分别选取与初始生长点所在极径相同且极角差异最小的漆包线边缘纹路上的像素点，分别记为第一、第二选取像素点，将初始生长点分别与第一、第二选取像素点连接得到一个连接角；
22、将所述连接角的平分线作为初始生长点的生长方向，以初始生长点为起点，沿着生长方向触碰第一个漆包线边缘纹路像素点作为新的初始生长点，依次进行生长，生长停止条件为：触碰到的像素点为磁芯内径圆或磁芯外径圆为止；生长过程中所触碰遍历的所有漆包线边缘纹路像素点作为第一个初始生长点的关联像素点。
23、进一步地，所述根据像素点的各关联像素点周围的纹路分布得到各关联像素点的中心位置偏移量，包括：
24、沿着关联像素点极坐标的顺时针、逆时针旋转，分别统计关联像素点顺时针、逆时针方向上最近纹路的旋转角，计算顺时针与逆时针方向上最近纹路的旋转角之间的差值绝对值及和值，计算所述差值绝对值与所述和值的比值，将所述比值作为关联像素点的中心位置偏移量。
25、进一步地，所述根据像素点的反光分布补偿及对应关联像素点的中心位置偏移量得到像素点修正后的灰度值，表达式为：
26、；
27、式中，、、分别是像素点的第个关联像素点的灰度值、中心位置偏移量、反光分布补偿，是关联像素点个数，是像素点修正后的灰度值，是第个关联像素点的坐标与像素点的坐标之间的欧式距离。
28、进一步地，所述根据漆包线缠绕区域二值图像中各连通域内像素点的分布得到各连通域的异常检测值，包括：
29、以连通域的中点和磁芯中心的连线作为分割线，过分割线上第个像素点做分割线的垂线，所述垂线与连通域有两个交点，分别计算两个交点与第个像素点的欧式距离，获取两个欧式距离的差值绝对值；将连通域内分割线上所有像素点的所述差值绝对值的均值作为连通域的倾斜特征值；...
【技术保护点】
1.一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述根据电感灰度图像结合阈值分割得到二值图像，并提取磁芯内、外径圆，包括：
3.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述根据漆包线缠绕区域纹路图像中各边缘像素点的分布将纹路进行划分，从纹路划分后的漆包线缠绕区域纹路图像中提取各漆包线边缘纹路，包括：
4.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述结合漆包线缠绕区域灰度图像构建极坐标，并计算极坐标中各位置的光照强度，包括：
5.如权利要求4所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述反光分布补偿，包括：
6.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述提取各像素点的关联像素点，包括：
7.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述根据像素点的各关联像素点周围的纹路分布得到各关联像素点
8.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述根据像素点的反光分布补偿及对应关联像素点的中心位置偏移量得到像素点修正后的灰度值，表达式为：
9.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述根据漆包线缠绕区域二值图像中各连通域内像素点的分布得到各连通域的异常检测值，包括：
10.一种微型片式电感双线绕线异常定位系统，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-9任意一项所述方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述根据电感灰度图像结合阈值分割得到二值图像，并提取磁芯内、外径圆，包括：
3.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述根据漆包线缠绕区域纹路图像中各边缘像素点的分布将纹路进行划分，从纹路划分后的漆包线缠绕区域纹路图像中提取各漆包线边缘纹路，包括：
4.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述结合漆包线缠绕区域灰度图像构建极坐标，并计算极坐标中各位置的光照强度，包括：
5.如权利要求4所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位方法，其特征在于，所述反光分布补偿，包括：
6.如权利要求1所述的一种微型片式电感双线绕线异常定位...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄汝林，
申请(专利权)人：惠州市德立电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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